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公开(公告)号：CN105593414A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480052509.9
申请日：2014-08-27
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B19/062 , C30B19/068 , C30B19/08 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02598 , H01L21/02609 , H01L21/02628 , H01L29/045 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供了一种具有大的生长厚度且不包含夹杂物的SiC单晶。所述SiC单晶是通过溶液法生长的SiC单晶，其中，SiC单晶的{0001}生长面中的{1-100}面的合计长度M与SiC单晶的生长面的外周长度P满足M/P≤0.70的关系，并且SiC单晶的生长方向的长度为2mm以上。
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公开(公告)号：CN104471117A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035985.5
申请日：2013-07-10
CPC classification number: C30B15/32 , C30B9/06 , C30B15/30 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
Abstract: SiC单晶体的制造装置(10)用于溶液生长法。SiC单晶体的制造装置(10)包括晶种轴(28)和坩埚(14)。晶种轴(28)具有供SiC晶种(32)安装的下端面(28S)。坩埚(14)用于收纳Si－C溶液(15)。晶种轴(28)包括筒部(28A)、底部(28B)和低导热性构件(28C)。底部(28B)配置于筒部(28A)的下端，且具有下端面(28S)。低导热性构件(28C)配置于底部(28B)的上表面，且具有比底部(28B)的热传导率低的热传导率。利用该制造装置，能够使SiC晶种的结晶生长面内的温度不易出现偏差。
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公开(公告)号：CN104066874A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201280067542.X
申请日：2012-12-27
CPC classification number: C30B19/062 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1024
Abstract: 本发明的目的是提供一种与以往相比能够使SiC单晶更快生长的采用熔液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴、和采用熔液法的单晶制造方法。一种籽晶保持轴，是采用熔液法的单晶制造装置所使用的籽晶保持轴，籽晶保持轴的侧面的至少一部分由具有比籽晶保持轴的反射率大的反射率的反射部件覆盖着，反射部件被配置成在反射部件和保持在籽晶保持轴的端面的籽晶之间空开间隔。
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公开(公告)号：CN103282559A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062930.4
申请日：2011-12-26
CPC classification number: C30B15/20 , C30B15/14 , C30B15/30 , C30B15/305 , C30B17/00 , C30B29/36 , Y10T117/1068
Abstract: 本发明提供一种易于向SiC晶种附近供给碳的SiC单晶体的制造装置。在将感应加热装置使电磁波向坩埚侧壁浸透的浸透深度设为D1（mm），将感应加热装置使电磁波向SiC溶液浸透的浸透深度设为D2（mm），将坩埚侧壁的厚度设为T（mm），将坩埚的内半径设为R（mm）时，控制装置控制感应加热装置，以使得在感应加热装置中流动的交流电流的频率f满足式（1）。（D1－T）×D2／R＞1（1）在此，D1由式（2）定义，D2由式（3）定义。D1＝503292×（1／（f×σc×μc））1/2（2）D2＝503292×（1／（f×σs×μs））1/2（3）在此，σc是侧壁的导电率（S／m），σs是SiC溶液的导电率（S／m）。μc是侧壁的相对磁导率（无量纲量），μs是SiC溶液的相对磁导率（无量纲量）。
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公开(公告)号：CN107208311A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680009053.7
申请日：2016-02-18
Applicant: 新日铁住金株式会社
Abstract: 本发明针对在籽晶与生长SiC单晶的界面附近发生的穿透螺型位错的增大，提供一种通过提高伴随SiC单晶的生长而发生的位错密度的减少率，从而制造从生长的初期阶段开始穿透螺型位错密度就较小的SiC单晶块的方法。本发明涉及一种碳化硅单晶块的制造方法，其是在由碳化硅单晶形成的籽晶的生长面上使用升华再结晶法使碳化硅单晶生长而制造碳化硅单晶块的方法，其中，预先在籽晶的生长面上形成台阶的高度为10μm～1mm、平台的宽度为200μm～1mm的台阶聚束，然后使用升华再结晶法使碳化硅单晶在所述籽晶的生长面上生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104603336A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380045663.9
申请日：2013-08-12
CPC classification number: H01L21/02628 , C30B9/06 , C30B17/00 , C30B29/36 , H01L21/02529 , H01L21/02598
Abstract: 在溶液法中，提供能够比以往大幅提高生长速度的SiC单晶体的制造方法。一种SiC单晶体的制造方法，使晶种基板接触被放入到坩埚内且具有温度从内部朝向液面降低的温度梯度的Si-C溶液，而晶体生长SiC单晶体，其中，所述坩埚的深度/内径小于1.71，从Si-C溶液的液面至液面下10mm的范围的温度梯度大于42℃/cm。
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公开(公告)号：CN104471118A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380037691.6
申请日：2013-05-08
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1008 , Y10T428/21 , Y10T428/24488 , C30B15/32
Abstract: 提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭，其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭，其中，所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。
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公开(公告)号：CN103930601A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201180074036.9
申请日：2011-12-09
Abstract: 提供一种SiC单晶的制造方法，该制造方法在采用熔液法使SiC单晶生长时，能够维持均匀的单晶生长能持续的平坦生长，并且实现为实现高的生产率所需的生长速度的提高。所述SiC单晶的制造方法，是在坩埚内从C的Si熔液使SiC单晶生长的方法，其特征在于，使高过饱和度生长期和低过饱和度生长期交替反复，所述高过饱和度生长期是将正在生长的SiC单晶与Si熔液的生长界面处的Si熔液中的C的过饱和度维持得比能够维持平坦生长的上限的临界值高来进行生长的生长期；所述低过饱和度生长期是将所述过饱和度维持得比所述临界值低来进行生长的生长期。
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公开(公告)号：CN103597129A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280027616.7
申请日：2012-06-11
CPC classification number: C30B15/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/08 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T117/1032
Abstract: 一种SiC单晶体的制造装置既抑制SiC溶液的周边区域的温度不均匀，同时又冷却SiC种结晶的附近区域。该SiC单晶体的制造装置包括籽晶轴（30）以及坩埚（14）。籽晶轴（30）具有供SiC种结晶（36）安装的下端面（34）。坩埚（14）用于容纳SiC溶液（16）。坩埚（14）包括主体（140）、中盖（42）和上盖（44）。主体（140）包括第1筒部（38）和配置于第1筒部（38）的下端部的底部（40）。中盖（42）配置于主体（140）内的SiC溶液（16）的液面的上方、且是第1筒部（38）内。中盖（42）具有使籽晶轴（30）穿过的第1通孔（48）。上盖（44）配置于中盖（42）的上方。上盖（44）具有使籽晶轴（30）穿过的第2通孔（52）。
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公开(公告)号：CN104471118B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201380037691.6
申请日：2013-05-08
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B17/00 , C30B19/04 , C30B19/062 , C30B19/068 , C30B29/36 , Y10T117/1008 , Y10T428/21 , Y10T428/24488
Abstract: 提供抑制了夹杂物的产生的高质量SiC单晶锭、以及这样的SiC单晶锭的制造方法。本发明涉及SiC单晶锭，其是包含晶种基板及以所述晶种基板为基点采用溶液法成长的SiC成长结晶的SiC单晶锭，其中，所述成长结晶具有凹形状的结晶成长面并且不含有夹杂物。
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