公开(公告)号：CN107002281A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064424.7

申请日：2015-12-04

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 佐藤信也 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  柘植弘志 ,  中林正史

IPC: C30B29/36

Abstract: 本发明提供可得到在广范围内确保了螺旋位错减少了的区域的SiC单晶基板的SiC单晶的制造方法、及SiC单晶基板。上述SiC单晶基板通过以下的制造方法而制造：使用在从{0001}面偏离的方位具有偏离角的籽晶，在上述块状的碳化硅单晶生长的晶体端面的晶体周缘部形成晶面{0001}面，并且在进行获得所得的SiC单晶的超过50％的厚度的晶体生长的生长主工序之前，包含与上述生长主工序相比提高氮浓度、以生长气氛压力为3.9kPa以上且39.9kPa以下、籽晶的温度为2100℃以上且低于2300℃进行晶体生长的生长副工序。

公开(公告)号：CN105658847A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201580002205.6

申请日：2015-02-27

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  伊藤涉 ,  藤本辰雄

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/02

CPC classification number: C30B25/20 ,  C23C16/325 ,  C23C16/44 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/165 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02661

Abstract: 本发明提供在SiC基板上使SiC外延生长来制造外延SiC晶片时得到具有与以往相比进一步降低了层叠缺陷以及彗星型缺陷的高品质外延膜的外延SiC晶片的制造方法。上述外延碳化硅晶片的制造方法的特征在于，在外延生长的开始前流入到生长炉中的生长前气氛气体含有氢气，余量为不活泼气体和不可避免的杂质，其中，上述氢气的含量相对于不活泼气体为0.1～10.0体积％。

公开(公告)号：CN102844474B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180018417.5

申请日：2011-05-10

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  柘植弘志 ,  星野泰三 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  中林正史 ,  矢代弘克

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02433 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供一种在偏离角度为1°~6°的碳化硅单晶基板上具有掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。外延膜通过使0.5μm以下的掺杂层和0.1μm以下的无掺杂层重复而生长。通过将材料气体中的碳原子数相对于硅原子数的比（C/Si比）规定为1.5~2.0而形成掺杂层，通过将C/Si比规定为0.5以上且低于1.5而形成无掺杂层。由此提供一种在偏离角度小的碳化硅单晶基板上具有高品质且掺杂密度的面内均匀性优良的碳化硅外延膜的外延碳化硅单晶基板。

公开(公告)号：CN104981892A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201480007779.8

申请日：2014-05-26

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  伊藤涉 ,  藤本辰雄

IPC: H01L21/205 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/304

CPC classification number: C30B25/186 ,  B24B37/042 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明提供能够得到具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片的碳化硅单晶基板的制造方法以及碳化硅单晶基板。具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法是：通过研磨速度为100nm/小时以下的CMP(化学机械研磨)法对碳化硅单晶基板的表面进行研磨来将表面除去100nm以上的厚度，使直径为0.5μm以上且1.5μm以下并且深度为50nm以上且500nm以下的大致圆形状的坑为1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN102308031B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201080006915.3

申请日：2010-02-25

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 胜野正和 ,  藤本辰雄 ,  柘植弘志 ,  中林正史

IPC: C30B29/06 ,  C30B23/06 ,  C30B29/36 ,  H01L21/203

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/005 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶制造用坩埚、以及碳化硅单晶的制造装置和制造方法，能够使结晶性良好的碳化硅单晶块以较高的合格率稳定地成长，是一种碳化硅单晶制造用坩埚，具有收容碳化硅原料的坩埚容器和安装有籽晶的坩埚盖，使坩埚容器内的碳化硅原料升华，对籽晶上供给碳化硅的升华气体，在该籽晶上使碳化硅单晶成长，在坩埚容器和坩埚盖上设有相互螺纹旋合的螺纹部，并且设有通过这些螺纹部的相对旋转而能够调节流量的升华气体排出槽；此外，是具备这样的坩埚的碳化硅单晶的制造装置及使用了该装置的碳化硅单晶的制造方法。

公开(公告)号：CN107709635A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680033576.5

申请日：2016-07-29

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 蓝乡崇 ,  伊藤涉 ,  藤本辰雄

IPC: C30B29/36 ,  H01L29/161

Abstract: 提供一种制造外延碳化硅单晶晶片的方法，该外延碳化硅单晶晶片是在偏斜角度小的碳化硅单晶基板上具有高品质且基底面位错少的碳化硅单晶薄膜而成的。所述制造方法是通过热CVD法在碳化硅单晶基板上使碳化硅外延生长来制造外延碳化硅单晶晶片，所述制造方法的特征在于，在外延生长炉内流入蚀刻气体，对碳化硅单晶基板的表面预先进行蚀刻以使得算术平均粗糙度Ra值达到0.5nm以上且3.0nm以下，然后开始外延生长，将碳化硅单晶基板的表面处的基底面位错的95％以上变换成贯通刃状位错。

公开(公告)号：CN107075728A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201680003693.7

申请日：2016-02-12

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 伊藤涉 ,  蓝乡崇 ,  藤本辰雄

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/42 ,  C23C16/452 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种在采用热CVD法进行的SiC薄膜的外延生长中能够提高掺杂密度的面内均匀性、并且使SiC薄膜以均匀的膜厚生长的方法。所述方法为碳化硅的外延生长方法，是将烃气体和硅原料气体以C/Si比成为0.5以上且1.5以下的范围的方式向碳化硅单晶基板上供给，采用热CVD法在1500℃以上且低于1800℃的温度下使其反应，从而在碳化硅单晶基板上形成碳化硅薄膜，其特征在于，使烃气体接触加热到1000℃以上且1200℃以下的烃分解催化剂，将烃气体的至少一部分分解为碳和氢后，向所述碳化硅单晶基板上供给。

公开(公告)号：CN106435733A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610843180.9

申请日：2009-10-14

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 中林正史 ,  藤本辰雄 ,  胜野正和 ,  柘植弘志

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/00 ,  Y10T428/2918

Abstract: 本发明提供一种优质的碳化硅单晶以及碳化硅单晶晶片，所述碳化硅单晶，其位错和微管等的晶体缺陷的密度低，在应用于器件时成品率高并可发挥高的性能，在晶种与生长晶体的界面的生长方向的前后的杂质添加元素浓度之比为5倍以内，并且，晶种附近的生长晶体的杂质添加元素浓度为2×1019cm-3以上、6×1020cm-3以下。

公开(公告)号：CN103620095B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201280031177.7

申请日：2012-08-29

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 佐藤信也 ,  藤本辰雄 ,  柘植弘志 ,  胜野正和

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明提供一种晶体品质高、尤其螺型位错密度非常低的SiC单晶的制造方法及通过该方法得到的SiC单晶锭。特别是，提供一种从通过升华再结晶法生长而成的块状的碳化硅单晶中切出的基板，该碳化硅单晶基板中，与中心部相比周边部的螺型位错密度小、局部地使螺型位错减少。本发明是采用了籽晶的利用升华再结晶法的SiC单晶的制造方法、及由此得到的SiC单晶锭。特别是，所述碳化硅单晶基板的特征在于，在将基板的直径设为R、定义以基板的中心点O为中心且具有0.5×R的直径的中心圆区域、和除去该中心圆区域后剩余的环状周边区域时，在所述环状周边区域中观察到的螺型位错密度的平均值为在所述中心圆区域中观察到的螺型位错密度的平均值的80%以下。

公开(公告)号：CN104704150A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201380052882.X

申请日：2013-11-15

Applicant: 新日铁住金株式会社

Inventor： 佐藤信也 ,  藤本辰雄 ,  柘植弘志 ,  胜野正和

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B23/02 ,  C30B23/002 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明提供碳化硅单晶基板及其制法，该碳化硅单晶基板是从采用升华再结晶法生长而成的块状碳化硅单晶切出的基板，其中，在将基板对半分所得到的某一单侧的半圆区域内产生的螺旋位错比在剩下的半圆区域产生的螺旋位错少，从而螺旋位错部分降低。其是从采用升华再结晶法生长而成的块状碳化硅单晶切出的碳化硅单晶基板，其中，在将该基板对半分所得到的单侧的半圆区域内的多个测定点观察得到的螺旋位错密度的平均值为在剩下的半圆区域内的多个测定点观察得到的螺旋位错密度的平均值的80％以下。