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公开(公告)号：CN113782621A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111062698.6
申请日：2021-09-10
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L31/0236 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种等离激元增强的碲镉汞微腔红外探测器及制备方法，器件自下而上依次包括衬底、绝缘胶、金属反射层、钝化层、碲镉汞薄膜、微纳结构以及电极；其中碲镉汞薄膜的厚度为亚微米级，可以减小工作时的暗电流，微纳结构、碲镉汞薄膜、钝化层和金属反射层形成等离激元微腔，极大提高碲镉汞的红外光吸收能力，该结构兼备高吸收和低噪声的特点，可以提高碲镉汞探测器的工作温度，解决了传统高性能碲镉汞红外探测器需要在液氮制冷等苛刻条件下工作的问题。相较于在外延厚衬底上制备碲镉汞薄膜，本发明的制备方法，实现了微纳结构‑碲镉汞薄膜‑金属反射层的超薄三明治结构的制备。
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公开(公告)号：CN113285048A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110392012.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种准二维钙钛矿光电传输一体化器件的制备方法，包括以下步骤：(1)制备发光层前驱体：将溴化铅、甲基溴化胺、异丁基溴化铵溶于有机溶剂制备成前驱液；(2)在透明导电衬底上依次沉积空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和金属电极，所述电子注入层在电子输入层上表面选取两个相互独立的区域进行沉积，所述电子注入层表面沉积所述金属电极，所述发光层通过步骤(1)中所述前驱液沉积而成。本发明的一体化光电传输器件发光波长在535nm并且发光光谱稳定；且在相同波长光激发下响应时间较短，响应度较高。一体化器件具有易于集成的优势以及在集成电路中芯片间的数据信息传递具有非常大的前景。
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公开(公告)号：CN119667869A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510123623.6
申请日：2025-01-26
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种基于氮化硅波导器件的偏振不敏感型2×2马赫‑曾德尔光开关。氮化硅波导层配置包括两个光输入波导、两个2×2弯曲波导型3dB定向耦合器、两个对称马赫‑曾德尔干涉(MZI)臂以及两个光输出波导；两个光输入波导分别与第一2×2 3dB定向耦合器的两个输入端口耦合，通过两路对称MZI臂，其中某一MZI臂直波导附有热电极可进行光信号相位调制，将两路MZI臂输出光输入至第二2×2 3dB定向耦合器，使得两路MZI臂输出光进行合并干涉，并分别引出两路输出波导。本发明基于氮化硅方形波导及2×2弯曲波导型3dB定向耦合器，具有偏振不敏感、大带宽、低插损、高消光比等优点。
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公开(公告)号：CN118315465A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410397882.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/02 , G01J1/42
Abstract: 本发明公开了一种变沟道长度的光电导位置探测器及微弱光位置探测方法，包括：衬底、沟道材料和两个不相连的分叉电极；该衬底采用对光具有吸收作用的材料得到，沟道材料置于衬底上表面，两个不相连的分叉电极与沟道材料形成电学接触；沟道材料为高迁移率材料；本发明通过设计分叉电极，构造出光斑位置与沟道长度的依赖关系，得到光斑位置与光电导增益的函数关系，进而实现具备高增益的高灵敏位置探测。本发明具有高增益、大尺寸的优点，适用于微弱光位置探测，而且可选取具有不同光吸收的衬底，实现特定波段光的位置探测。
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公开(公告)号：CN117779190A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311855806.4
申请日：2023-12-29
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于二维碲单晶的相工程调控方法。该方法包括以下步骤：选择拥有长梯度降温范围的管式炉，再通过两步气相沉积法(CVD)控制生长参数(包括温度，气体流速，保温时间)在单层二硫化钨(WS2)上生长碲单晶，其中，在第二步气相沉积中对气体流速的控制可得到所述的不同碲单晶相，实现相工程调控。利用原子簇密度和界面引导的多重控制策略，用于相和厚度控制合成α‑Te纳米片和β‑Te纳米带，得到不同相结构的二维高质量碲单晶。本发明得到的α‑Te纳米片表现出从金属到n型半导体的转变的电学特性，而β‑Te纳米带则展现出杰出的电学性能(包括迁移率，电流密度)，并且它们都展现出良好的空气稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112201762A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010999378.2
申请日：2020-09-22
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于宽色域显示的深红色钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步骤：(1)制备发光层前驱体，将碘化铯，碘化铅和聚合物溶于有机溶剂制备成前驱液；(2)在透明导电衬底上依次沉积空穴输层、发光层、电子传输层、电子注入层、金属电极，所述发光层通过步骤(1)中的前驱液沉积而成。本发明的深红色钙钛矿发光二极管具有较高的颜色饱和度，发光波长在696nm并且发光光谱稳定，发光峰不随驱动电压升高而移动。作为红色原色，该深红色发光器件在超宽色域显示领域具有明显的优势。
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公开(公告)号：CN119087170A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411218308.3
申请日：2024-09-02
Applicant: 东南大学
IPC: G01R31/265 , G01R31/26 , G01N21/47
Abstract: 本发明公开了一种高时空分辨的光生载流子瞬态输运绘像系统和方法，飞秒激光模块产生两束飞秒激光，分别作为泵浦激光和探测激光；泵浦激光经泵浦光倍频模块、延迟线模块和第一斩波模块，进入显微模块；探测激光经第二斩波模块进入探测光扫描模块，对探测激光进行空间扫描控制，随后，泵浦激光和探测激光在在显微模块处大致重合后进入到样品光电测量底座模块，其中探测激光经样品反射后，进入信号采集模块。本发明能够对载流子的瞬态输运过程进行表征，阐明其动力学过程，进而分析影响器件性能的关键因素，为光电器件的性能提升提供理论和实验指导。
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公开(公告)号：CN119836019A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411949199.2
申请日：2024-12-27
Applicant: 东南大学
IPC: H10F30/222 , H10F71/00 , H10F77/30
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料碲镉汞范德华异质结界面钝化的室温红外探测器及制备方法，包括：碲镉汞衬底、二维材料、金属底电极和金属顶电极；二维材料包括有界面钝化层，该碲镉汞衬底和二维材料形成范德华pn异质结，界面钝化层介于范德华pn异质结之间；本发明通过设计具有层间耦合石墨烯的二维材料碲镉汞范德华异质结，避免了通过传统离子注入的手段引入界面缺陷，并进一步抑制了碲镉汞界面缺陷辅助复合，有效延长载流子寿命，促进了光生载流子转移，提高了器件探测性能；本发明兼顾工艺简单便捷的优点，实现了非制冷低暗电流高灵敏度的中波红外探测，为开发新型室温集成化红外探测器提供了新的设计思路。
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公开(公告)号：CN118507326A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410574835.1
申请日：2024-05-10
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种等离子体处理抑制半导体发光器件效率滚降的方法，属于半导体光电器件领域。本发明通过非平行板式电容耦合等离子体装置来对二维半导体进行插层处理，即利用氧等离子嵌入二维半导体的范德华层间空隙，使样品原子层之间实现物理解耦，由此构筑单层二维半导体叠加的多量子阱超晶格结构，并成功降低EEA(Exciton‑exciton annihilation)速率，实现高效率的LED(Light‑emitting diodes)光源。该方法操作便捷且与目前硅基半导体工艺兼容度高，因此实用性较强。
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公开(公告)号：CN118259514A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410363765.5
申请日：2024-03-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明提供一种相位补偿型硅基星形90度光混频器，硅波导层配置包括信号光输入波导、本振光输入波导、Y分支和3个2×2多模干涉耦合器(MMI)组成的星形结以及四个输出波导；本振光输入波导与Y分支输入端口耦合，信号光输入波导与底部2×2多模干涉耦合器其中一个输入端口耦合，通过四路90度弯曲波导，将信号光和本振光输入至两侧2×2MMI多模干涉区，使得信号光和本振光在两侧的2×2MMI中混频，并分别引出至两侧的四个输出波导。本发明基于硅基波导及多模干涉耦合器，可通过热移相器补偿由四路90度弯曲波导产生的相位偏差，具有尺寸小、低相位偏差、可调谐等优点。
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