公开(公告)号：CN117779190A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311855806.4

申请日：2023-12-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 吕俊鹏 ,  倪振华 ,  赵蓓 ,  周珺

IPC: C30B29/02 ,  C30B29/64 ,  C30B25/16

Abstract: 本发明公开了一种用于二维碲单晶的相工程调控方法。该方法包括以下步骤：选择拥有长梯度降温范围的管式炉，再通过两步气相沉积法(CVD)控制生长参数(包括温度，气体流速，保温时间)在单层二硫化钨(WS2)上生长碲单晶，其中，在第二步气相沉积中对气体流速的控制可得到所述的不同碲单晶相，实现相工程调控。利用原子簇密度和界面引导的多重控制策略，用于相和厚度控制合成α‑Te纳米片和β‑Te纳米带，得到不同相结构的二维高质量碲单晶。本发明得到的α‑Te纳米片表现出从金属到n型半导体的转变的电学特性，而β‑Te纳米带则展现出杰出的电学性能(包括迁移率，电流密度)，并且它们都展现出良好的空气稳定性。

公开(公告)号：CN118996618A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411119754.9

申请日：2024-08-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 倪振华 ,  关辉艳 ,  赵蓓

IPC: C30B25/16 ,  C30B29/16 ,  C30B29/64

Abstract: 本发明公开了一种大面积二维α相三氧化钼单晶的制备方法。该方法包括以下步骤：(1)将剥离后的云母覆盖在金属钼薄片的上表面，间距控制在0.5毫米以内；(2)将云母与金属钼薄片组合放入拥有长梯度降温范围的管式炉内，再通过一步化学气相沉积法(CVD)控制生长参数(包括温度，气体流速，降温速率，保温时间)在云母衬底(mica)上生长α相氧化钼晶体。其中，在第二步气相沉积中对气体流速以及降温速率的控制可得到所述的二维大面积α相三氧化钼单晶。利用成核密度和吉布斯自由能诱导的多重控制策略，用于厚度和面积控制合成二维α相三氧化钼单畴，得到横向尺寸达到毫米级的二维大面积α相三氧化钼单晶。

公开(公告)号：CN118782690A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202410006427.6

申请日：2024-01-03

Applicant: 东南大学

Inventor： 吕俊鹏 ,  倪振华 ,  赵蓓 ,  郭丁立 ,  傅强

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/26 ,  H01L31/18 ,  H01L31/101 ,  H01L31/032

Abstract: 本发明公开了一种基于二维异质结的连续宽范围能带调控光电器件及其制备方法，包括以下步骤：(1)利用化学气相沉积生长制备异质结衬底材料WSe2纳米片：(2)将Bi2Se3或者Bi2Te3前驱体以特定摩尔比例混合放入双温区管式炉中心加热，将步骤(1)中获得的衬底材料WSe2纳米片置于管内下游，通过调控管式炉生长温度气体等参数制备WSe2/Bi2Te3‑xSex(0≤x≤3)异质结，再在所述异质结表面沉积金属电极。本发明制备出的光电探测器件在激光波长为535nm的探测性能优异并且稳定重复性高；且在相同波长光激发下响应度和比探测率较高(x＝3)，响应时间较短(x＝0)。制备出的发光二极管器件在单个二维异质结构发光二极管器件中表现出最高的亮度，并且比基于二维过渡金属硫族化合物的所有其他p‑n二极管具有更高的电致发光量子效率。