半导体发光设备
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101520139A

    公开(公告)日:2009-09-02

    申请号:CN200910118082.9

    申请日:2009-02-27

    Inventor: 原田光范

    Abstract: 半导体发光设备。一种半导体发光设备可以利用简单且较小的构造来改变其发射光的色温。半导体发光设备(10)可以包括:基板(12),形成在基板(12)上的电极布线(14),安装在电极布线(14)上的多个半导体发光元件(16a)、(16b)、(16c)和(16d),包围半导体发光元件(16a)、(16b)、(16c)和(16d)的波长转换层(18)。半导体发光元件(16a)、(16c)和(16b)、(16d)构成第一半导体发光元件组和第二半导体发光元件组。波长转换层(18)通过设置在基板(12)上的台阶(h)具有与第一组相对应的较薄部分和与第二组相对应的较厚部分。

    半导体发光器件的制造方法

    公开(公告)号:CN100446283C

    公开(公告)日:2008-12-24

    申请号:CN200510105871.0

    申请日:2005-09-29

    Inventor: 原田光范

    Abstract: 本发明的目的是,利用简单的结构提供一种半导体发光器件的制造方法,使来自发光元件芯片的射出光和波长变换剂的激励光的混色光不产生颜色不均,并且使作为波长变换剂进行波长变换后的损失能量而放出的热量能够有效散发。在基板上表面的光反射腔的底面设置发光元件芯片,在上述光反射腔内形成含有粒状波长变换剂(15a)的波长变换层(15),按如下步骤来构成半导体发光器件的制造方法:填充上述波长变换层的工序首先在上述光反射腔内填充不含有波长变换剂的第一透光性树脂(17),直到略微露出发光元件芯片的上表面,使得从发光元件芯片的上表面朝向周围倾斜成擂钵状,然后,在上述光反射腔内,在上述第一透光性树脂上填充含有波长变换剂的第二透光性树脂(18),然后,使上述第一透光性树脂和第二透光性树脂固化。

    半导体发光装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1691360A

    公开(公告)日:2005-11-02

    申请号:CN200510066362.1

    申请日:2005-04-22

    Inventor: 原田光范

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置,包括设有用于收纳LED芯片(3)和树脂间隔物的腔的基体(2),该树脂间隔物至少由透明树脂间隔物(4)和波长转换间隔板(6)这两层间隔物构成,波长转换间隔板(6)为混合有荧光体(6a)并具有大致一定厚度的间隔物;在波长转换间隔板(6)的内部配置有一部分与基体(2)连接的金属制散热用网(7)或散热用线材(5)。由此,可解决在以往的白色发光的半导体装置1中,在通过使LED芯片大型化、增加驱动电流来实现光量的增加时,因进行颜色转换的荧光体的温度上升等而产生的效率降低,光量降低等问题。并且,通过降低波长转换间隔板内的荧光体所产生的热,可实现发光效率更高的半导体发光装置。

    能够降低不均匀亮度分布的LED阵列

    公开(公告)号:CN102983146B

    公开(公告)日:2017-06-06

    申请号:CN201210320249.1

    申请日:2012-08-31

    CPC classification number: H01L27/153 H01L33/20 H01L33/385 H01L33/387

    Abstract: 本发明提供了能够降低不均匀亮度分布的LED阵列。用于LED阵列的发光元件包括:电极层;半导体发光层,其由p型半导体层、有源层和n型半导体层组成;第一布线层,其沿着所述半导体发光层的一个边形成并且与该边平行;以及多个第二布线层,其从所述第一布线层延伸到所述半导体发光层,并且电连接到所述半导体发光层的表面上的所述n型半导体层,其中,所述半导体发光层的平面形状包括两个短边,该两个短边包括相对于与上边和下边垂直的线倾斜的一部分,并且从所述上边与所述短边相交的顶点起的垂线与相邻发光元件的所述下边交叉。

    发光装置
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102691905B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201210139171.3

    申请日:2012-03-19

    Inventor: 原田光范

    CPC classification number: F21S41/147 F21S41/14 F21S41/143 F21S41/16

    Abstract: 本发明提供一种光取出效率和荧光板的激励效率高,并且发光颜色的控制和配光的控制容易的发光装置。本发明的发光装置的特征在于,包含:荧光板,其利用激光照射而发出荧光;第一激光光源,其配置成向荧光板的第一面照射第一激光;第二激光光源,其配置成向荧光板的与第一面相对的第二面照射第二激光;反射器,其具有第二激光穿过的光通过孔,且具备至少覆盖荧光板上的第二激光的照射区域的凹状反射面;和透镜,其配置在荧光板的第一面侧的空间中,对第一激光的由荧光板表面反射的反射光以及利用第一激光和第二激光的激励而从荧光板发出的荧光进行会聚。

    发光装置
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102691905A

    公开(公告)日:2012-09-26

    申请号:CN201210139171.3

    申请日:2012-03-19

    Inventor: 原田光范

    CPC classification number: F21S41/147 F21S41/14 F21S41/143 F21S41/16

    Abstract: 本发明提供一种光取出效率和荧光板的激励效率高,并且发光颜色的控制和配光的控制容易的发光装置。本发明的发光装置的特征在于,包含:荧光板,其利用激光照射而发出荧光;第一激光光源,其配置成向荧光板的第一面照射第一激光;第二激光光源,其配置成向荧光板的与第一面相对的第二面照射第二激光;反射器,其具有第二激光穿过的光通过孔,且具备至少覆盖荧光板上的第二激光的照射区域的凹状反射面;和透镜,其配置在荧光板的第一面侧的空间中,对第一激光的由荧光板表面反射的反射光以及利用第一激光和第二激光的激励而从荧光板发出的荧光进行会聚。

    半导体发光装置
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1929159B

    公开(公告)日:2011-08-10

    申请号:CN200610126549.0

    申请日:2006-08-25

    Inventor: 原田光范

    Abstract: 本发明提供半导体发光装置。以往,就半导体发光元件体与光学透镜一体化的半导体发光装置而言,由于暴于外部温度变化,在各部件间的接触界面产生界面剥离,导致光学特性的恶化及可靠性降低。在电路基板(1)上配置具有凹部(5)的反射体(2),利用含荧光体透光性树脂(9)将安装于凹部(5)内的半导体发光元件(7)进行树脂密封,形成半导体发光元件体(17),夹着软质树脂间隔物(16)将所述半导体发光元件体(17)与光学透镜(14)一体化。因此,在一体化的半导体发光元件体(17)与光学透镜(14)之间,具备软质树脂间隔物(16)构成的热应力缓和层,对于外部温度变化时的热应力,阻止各部件间的界面剥离,可实现光取出效率高、可靠性高的半导体发光装置。

    半导体发光装置
    20.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100414725C

    公开(公告)日:2008-08-27

    申请号:CN200510066362.1

    申请日:2005-04-22

    Inventor: 原田光范

    Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置,包括设有用于收纳LED芯片(3)和树脂间隔物的腔的基体(2),该树脂间隔物至少由透明树脂间隔物(4)和波长转换间隔板(6)这两层间隔物构成,波长转换间隔板(6)为混合有荧光体(6a)并具有大致一定厚度的间隔物;在波长转换间隔板(6)的内部配置有一部分与基体(2)连接的金属制散热用网(7)或散热用线材(5)。由此,可解决在以往的白色发光的半导体装置(1)中,在通过使LED芯片大型化、增加驱动电流来实现光量的增加时,因进行颜色转换的荧光体的温度上升等而产生的效率降低,光量降低等问题。并且,通过降低波长转换间隔板内的荧光体所产生的热,可实现发光效率更高的半导体发光装置。

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