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公开(公告)号：CN108536210A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810752568.7
申请日：2018-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种平滑温度补偿带隙基准源电路，属于模拟集成电路技术领域。包括启动模块、偏置模块、高阶补偿模块和带隙基准核心模块，启动模块用于在电路初始化阶段使带隙基准源电路脱离零状态，并在带隙基准源电路正常工作后关断；偏置模块用于为高阶补偿模块和带隙基准核心模块产生第一偏置电压和第二偏置电压；带隙基准核心模块用来产生基准电压，高阶补偿模块用于产生高阶的补偿电流来提高基准电压的温度特性。本发明提出的带隙基准源在整个温度范围内实现了连续温度补偿，减小了基准电压在整个温度范围的温度漂移，实现了在整个温度范围的高阶补偿，从而使得基准电压在很宽的温度范围内具有高精度。
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公开(公告)号：CN108172623A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810174517.0
申请日：2018-03-02
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0623 , H01L29/66681
Abstract: 本发明公开了一种高能注入埋层双通道LDMOS器件及其制造方法，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，从深N阱的顶部至内部依次形成有P型帽层和至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层。本发明能够在同样击穿电压前提下，获得更低的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN107290392B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201710637394.5
申请日：2017-07-31
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种高稳定性低湿度检测的QCM湿度传感器，包括压电晶片、金属电极和湿度敏感薄膜层；所述压电晶片表面设有金属电极，金属电极表面设有湿度敏感薄膜层；其特征在于：所述金属电极上设有至少一个孔洞。本发明QCM湿度传感器的金属电极具有孔洞结构，可以在少量吸附水分子的条件下达到高灵敏度检测低湿度；同时传感器的稳定性很高；并且成本低、湿度检测范围大、灵敏度高、响应快、重复性好和制作工艺简单，可以广泛应用于低湿度检测和高精度湿度检测领域。
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公开(公告)号：CN107290241B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201710637333.9
申请日：2017-07-31
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G01N5/02
Abstract: 本发明公开了一种QCM湿度传感器，其特征在于：包括压电晶片、绝缘层、金属电极层和湿度敏感薄膜层；所述金属电极层包括第一金属电极层和第二金属电极层；所述第一金属电极层包括两个电极，分别设置于压电晶片两个面上，其中一个电极表面设有绝缘层；所述绝缘层表面上设有第二金属电极层，第二金属电极层表面设有湿度敏感薄膜层。本发明QCM湿度传感器具有双金属电极层的结构，能够达到高灵敏度检测低湿，同时能够增强传感器的稳定性，并且成本低、湿度检测范围大、灵敏度高、响应快、重复性好、制作工艺简单，可以广泛应用于低湿度检测和高精度湿度检测领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108563280B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201810511655.3
申请日：2018-05-25
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种提升电源抑制比的带隙基准源，属于模拟电路技术领域。带隙基准核心模块包括一个预稳压电路结构，该预稳压电路结构包括两条支路，分别是第五PMOS管和第二NMOS管，以及第六PMOS管和第三NMOS管，由于反馈的作用，这两条支路均是低阻抗支路，因此从供电电压到P点具有较高的电源抑制比，从而实现了整个带隙基准核心电路电源抑制比的提升；启动电路模块用于在电路刚开始启动时拉低带隙基准核心模块中第一PMOS管和第四PMOS管的栅极电位，同时控制电流流过第一双极型晶体管、第二双极型晶体管和第三双极型晶体管的基极，启动完成后退出。本发明与传统的带隙基准相比能够实现基准源电源抑制比的提升，同时与传统的预稳压技术相比功耗更低。
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公开(公告)号：CN107819709B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201711024002.4
申请日：2017-10-26
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本发明实施例提供了一种移动目标检测的方法和装置，用于提高移动目标的检测精度，降低检测的软硬件成本。所述方法包括：接收射频模块发射的数字信号，将所述数字信号转换为时域数字基带信号，其中，所述数字信号为对预设延迟多普勒域符号进行OTFS调制，再通过一维傅立叶逆变换后，经过数模转换后通过所述射频模块向室内发射的信号；对所述时域数字基带信号进行OTFS信号解调，获得延迟多普勒域的信道估计；基于所述信道估计，确定移动目标的数量。
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公开(公告)号：CN108646842A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810776453.1
申请日：2018-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种适用于带隙基准源的无过冲软启动电路，属于集成电路技术领域。本发明提出的软启动电路的启动过程分为两个阶段：自启动阶段和稳定阶段，自启动阶段中软启动电路的输出电流随着电源电压的增加逐渐增大；稳定阶段中软启动电路的输出电流根据反馈回路进行调整，使得软启动电路的输出电流逐渐增大，不会发生瞬变，最终达到设定的电流值，实现了平稳无过冲的软启动切换。本发明产生的输出电流实现了平稳无过冲的电流切换，有效规避了输出电流过冲的问题，实现了无过冲的软启动的目的；另外由于采用共源共栅电流镜结构减小了对电源电压的依赖，提升了软启动电路的共源抑制比；能够使得基准电压迅速建立，保证了带隙基准源电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN108198853A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810174388.5
申请日：2018-03-02
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法，该器件包括P型衬底，P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱，深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层，在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层，深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极，P阱上形成有N+源极和P+源极，在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅，多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离，其中，注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层，多段P型帽层的掺杂浓度互不相同。本发明能够在同样击穿电压前提下，获得更低的比导通电阻。
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公开(公告)号：CN108646842B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201810776453.1
申请日：2018-07-10
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 一种适用于带隙基准源的无过冲软启动电路，属于集成电路技术领域。本发明提出的软启动电路的启动过程分为两个阶段：自启动阶段和稳定阶段，自启动阶段中软启动电路的输出电流随着电源电压的增加逐渐增大；稳定阶段中软启动电路的输出电流根据反馈回路进行调整，使得软启动电路的输出电流逐渐增大，不会发生瞬变，最终达到设定的电流值，实现了平稳无过冲的软启动切换。本发明产生的输出电流实现了平稳无过冲的电流切换，有效规避了输出电流过冲的问题，实现了无过冲的软启动的目的；另外由于采用共源共栅电流镜结构减小了对电源电压的依赖，提升了软启动电路的共源抑制比；能够使得基准电压迅速建立，保证了带隙基准源电路的稳定性。
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