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公开(公告)号：CN110098353A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910087204.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Inventor： M·布夫尼彻尔
Abstract: 本公开涉及微电池设备和组件。在一个实施例中，一种设备包括多个微电池、第一柔性封装膜和第二柔性封装膜。微电池中的每个微电池包括彼此间隔开的第一接触端子和第二接触端子。第一柔性封装膜包括电耦合到微电池中的每个微电池的第一接触端子的第一导电层以及在第一导电层上的第一绝缘层。第二柔性封装膜包括电耦合到微电池中的每个微电池的第二接触端子的第二导电层以及在第二导电层上的第二绝缘层。
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公开(公告)号：CN210129524U
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201920156006.6
申请日：2019-01-29
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Inventor： M·布夫尼彻尔
Abstract: 本实用新型的各实施例涉及一种电子设备。本公开涉及微电池设备和组件。在一个实施例中，一种设备包括多个微电池、第一柔性封装膜和第二柔性封装膜。微电池中的每个微电池包括彼此间隔开的第一接触端子和第二接触端子。第一柔性封装膜包括电耦合到微电池中的每个微电池的第一接触端子的第一导电层以及在第一导电层上的第一绝缘层。第二柔性封装膜包括电耦合到微电池中的每个微电池的第二接触端子的第二导电层以及在第二导电层上的第二绝缘层。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN216957763U
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202123124424.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Inventor： M·布夫尼彻尔
Abstract: 本公开涉及一种电子设备，包括堆栈式电容器结构和金属焊盘。堆栈式电容器结构包括：基板，具有表面；第一导电层，位于表面上并且沿着表面延伸；第一电极，位于导电层上并且沿着导电层延伸；介电层，位于第一电极上并且沿着第一电极延伸；第二电极，位于介电层上并且沿着介电层延伸；第二导电层，位于第二电极上并且沿着第二电极延伸。金属焊盘位于第二导电层上并且从第二导电层延伸。本实用新型的技术提供了具有改进的可靠性的电子设备。
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公开(公告)号：CN209249487U
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201820157900.0
申请日：2018-01-30
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Abstract: 电池结构在正面和背面上具有结构阳极和阴极触点。电池结构包括仅在其正面上具有电池阳极和阴极触点的电池。包括导电层和绝缘层的薄膜对电池进行护封。导电层在电池阳极和阴极触点上延伸并在其间中断。在电池结构的正面和背面上的绝缘层中提供开口，以形成电池结构的结构阳极和阴极触点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212750896U
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202022197941.2
申请日：2020-09-29
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
Inventor： M·布夫尼彻尔
IPC: H01L27/02 , H01L21/764
Abstract: 本公开的各实施例涉及用于防止放电的设备和电子设备。提供了用于防止放电设备。用于防止放电的一个这种设备包括半导体衬底和在半导体衬底中的隔离沟槽。隔离沟槽包括包含气体的封闭空间。根据本公开的实施例，提供了改进的防止和防护静电放电的设备。
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公开(公告)号：CN208706624U
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201821113815.0
申请日：2018-07-13
Applicant: 意法半导体(图尔)公司
IPC: H01L23/31 , H01L29/861 , H01L21/3065 , H01L21/56 , H01L21/329
Abstract: 本公开的实施例涉及电子集成电路芯片。该电子集成电路芯片，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的一个或多个电子部件；以及聚氟乙烯的绝缘层，所述聚氟乙烯的绝缘层的厚度介于100nm和3μm之间，所述聚氟乙烯的绝缘层覆盖所述半导体衬底的限定所述集成电路芯片的外周界的侧向面。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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