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公开(公告)号：CN110211859B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201910514110.2
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , C23C16/509 , C23C16/458
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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公开(公告)号：CN102934214B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201180027803.0
申请日：2011-06-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67757
Abstract: 本发明提供一种用于以批次模式处理多个晶圆的基板处理腔室。在一个实施例中，所述腔室包括：垂直对准外壳，所述外壳具有由内部分割器分隔的第一处理区域及第二处理区域，所述第一处理区域直接定位于所述第二处理区域上方；多区域加热器，所述加热器操作性耦接至所述外壳，以加热彼此独立的所述第一处理区域及所述第二处理区域；晶圆传送器，所述传送器适于固持所述处理室内的多个晶圆，及在所述第一处理区域与所述第二处理区域之间垂直移动；气体分配系统，所述气体分配系统适于将臭氧引入所述第二区域中及将蒸汽引入所述第一处理区域中；以及排气系统，所述排气系统经设置以排出被引入所述第一处理区域及所述第二处理区域中的气体。
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公开(公告)号：CN105225986A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510362516.5
申请日：2015-06-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开案的实施方式一般提供一种用于处理腔室的改善基座加热器。所述基座加热器包括控温板和基板接收板，所述控温板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述控温板包括内部区域、外部区域和设置在所述内部区域和所述外部区域之间的连续热扼流器，所述内部区域包括第一组加热元件，所述外部区域包括第二组加热元件，所述外部区域围绕所述内部区域，以及所述基板接收板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述基板接收板的所述第二表面耦接至所述控温板的所述第一表面。所述连续热扼流器使得能够在所述内部区域和所述外部区域之间产生和操纵非常小的温度梯度，从而允许在所述基板的表面上实现中央快速蚀刻轮廓或者边缘快速蚀刻轮廓。
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公开(公告)号：CN102934214A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201180027803.0
申请日：2011-06-16
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/67109 , H01L21/6719 , H01L21/67757
Abstract: 本发明提供一种用于以批次模式处理多个晶圆的基板处理腔室。在一个实施例中，所述腔室包括：垂直对准外壳，所述外壳具有由内部分割器分隔的第一处理区域及第二处理区域，所述第一处理区域直接定位于所述第二处理区域上方；多区域加热器，所述加热器操作性耦接至所述外壳，以加热彼此独立的所述第一处理区域及所述第二处理区域；晶圆传送器，所述传送器适于固持所述处理室内的多个晶圆，及在所述第一处理区域与所述第二处理区域之间垂直移动；气体分配系统，所述气体分配系统适于将臭氧引入所述第二区域中及将蒸汽引入所述第一处理区域中；以及排气系统，所述排气系统经设置以排出被引入所述第一处理区域及所述第二处理区域中的气体。
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