公开(公告)号：CN109320525A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811376434.6

申请日：2018-11-19

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 蔡宁 ,  陈亚通 ,  钱赛男 ,  罗瑞希 ,  张华堂 ,  霍延平

IPC: C07D495/04 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明尤其涉及一种含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料及其制备方法和钙钛矿太阳能电池。本发明公开了一种含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料，具有式(Ⅰ)所示结构；其中，A为含有共轭结构的基团，R为氢原子、烷烃基、烷氧基、烷硫基、环烷基、芳烷基及其衍生物、芳氧基、烷硒基、烷碲基、卤烷基、羟基或羰基。由实验数据可知，其能够获得较高的空穴迁移率10-4cm2V-1s-1，该含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料制备方法简单，无需添加掺杂剂，成本低廉，易于分离提纯，将该含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料应用在钙钛矿太阳能电池中，可以得到18.23％的光电转换效率和较高的填充因子ff为0.77，电荷复合较弱，具有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN106892934A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710113692.4

申请日：2017-02-28

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 霍延平 ,  田亚娟 ,  杨百兴 ,  蔡宁 ,  李宗植 ,  李俊同

IPC: C07F3/08 ,  C07F3/06 ,  C09K11/06

CPC classification number: C07F3/08 ,  C07F3/06 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/188

Abstract: 本申请属于金属配合物领域，具体涉及一种阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法。本发明所提供的阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其化学结构如式(I)所示，具有较高的发光强度、良好的热稳定性以及较长的荧光寿命，在有机发光材料的制备上存在很大的应用潜能，也可用于研究不同阴离子对其配位构型以及发光性能的影响。此外，本发明所提供的金属配合物四聚晶体原料成本低廉，来源广泛，设备简单，工艺优化，可实现大规模的生产，具有广阔的发展前景。

公开(公告)号：CN108530471A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810490392.2

申请日：2017-02-28

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 霍延平 ,  田亚娟 ,  杨百兴 ,  蔡宁 ,  李宗植 ,  李俊同

IPC: C07F3/08 ,  C07F3/06 ,  C09K11/06

Abstract: 本申请属于金属配合物领域，具体涉及一种阴离子调控的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法。本发明所提供的阴离子调控的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其化学结构如式(I)所示，具有较高的发光强度、良好的热稳定性以及较长的荧光寿命，在有机发光材料的制备上存在很大的应用潜能，也可用于研究不同阴离子对其配位构型以及发光性能的影响。此外，本发明所提供的金属配合物四聚晶体原料成本低廉，来源广泛，设备简单，工艺优化，可实现大规模的生产，具有广阔的发展前景。

公开(公告)号：CN106892934B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201710113692.4

申请日：2017-02-28

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 霍延平 ,  田亚娟 ,  杨百兴 ,  蔡宁 ,  李宗植 ,  李俊同

IPC: C07F3/08 ,  C07F3/06 ,  C09K11/06

Abstract: 本申请属于金属配合物领域，具体涉及一种阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法。本发明所提供的阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其化学结构如式(I)所示，具有较高的发光强度、良好的热稳定性以及较长的荧光寿命，在有机发光材料的制备上存在很大的应用潜能，也可用于研究不同阴离子对其配位构型以及发光性能的影响。此外，本发明所提供的金属配合物四聚晶体原料成本低廉，来源广泛，设备简单，工艺优化，可实现大规模的生产，具有广阔的发展前景。