公开(公告)号：CN106892934A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710113692.4

申请日：2017-02-28

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 霍延平 ,  田亚娟 ,  杨百兴 ,  蔡宁 ,  李宗植 ,  李俊同

IPC: C07F3/08 ,  C07F3/06 ,  C09K11/06

CPC classification number: C07F3/08 ,  C07F3/06 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/188

Abstract: 本申请属于金属配合物领域，具体涉及一种阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法。本发明所提供的阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其化学结构如式(I)所示，具有较高的发光强度、良好的热稳定性以及较长的荧光寿命，在有机发光材料的制备上存在很大的应用潜能，也可用于研究不同阴离子对其配位构型以及发光性能的影响。此外，本发明所提供的金属配合物四聚晶体原料成本低廉，来源广泛，设备简单，工艺优化，可实现大规模的生产，具有广阔的发展前景。

公开(公告)号：CN108530471A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810490392.2

申请日：2017-02-28

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 霍延平 ,  田亚娟 ,  杨百兴 ,  蔡宁 ,  李宗植 ,  李俊同

IPC: C07F3/08 ,  C07F3/06 ,  C09K11/06

Abstract: 本申请属于金属配合物领域，具体涉及一种阴离子调控的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法。本发明所提供的阴离子调控的8-羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其化学结构如式(I)所示，具有较高的发光强度、良好的热稳定性以及较长的荧光寿命，在有机发光材料的制备上存在很大的应用潜能，也可用于研究不同阴离子对其配位构型以及发光性能的影响。此外，本发明所提供的金属配合物四聚晶体原料成本低廉，来源广泛，设备简单，工艺优化，可实现大规模的生产，具有广阔的发展前景。

公开(公告)号：CN106892934B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201710113692.4

申请日：2017-02-28

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 霍延平 ,  田亚娟 ,  杨百兴 ,  蔡宁 ,  李宗植 ,  李俊同

IPC: C07F3/08 ,  C07F3/06 ,  C09K11/06

Abstract: 本申请属于金属配合物领域，具体涉及一种阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体及其制备方法。本发明所提供的阴离子调控的8‑羟基喹啉金属配合物四聚晶体，其化学结构如式(I)所示，具有较高的发光强度、良好的热稳定性以及较长的荧光寿命，在有机发光材料的制备上存在很大的应用潜能，也可用于研究不同阴离子对其配位构型以及发光性能的影响。此外，本发明所提供的金属配合物四聚晶体原料成本低廉，来源广泛，设备简单，工艺优化，可实现大规模的生产，具有广阔的发展前景。