公开(公告)号：CN109467561A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811376445.4

申请日：2018-11-19

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 蔡宁 ,  钱赛男 ,  陈亚通 ,  杨瀚 ,  张华堂 ,  霍延平

IPC: C07D495/04 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明尤其涉及一种含吩噻嗪结构的双给体空穴传输材料及其制备方法和钙钛矿太阳能电池。本发明公开了一种含吩噻嗪双给体空穴传输材料，具有式(Ⅰ)所示结构；具有式(Ⅰ)所示结构；其中，A为含有共轭结构的基团，R为氢原子、烷烃基、烷氧基、烷硫基、环烷基、芳烷基及其衍生物、芳氧基、烷硒基、烷碲基、卤烷基、羟基或羰基。由实验数据可知，其能够获得较高的空穴迁移率10-4cm2V-1s-1，该含吩噻嗪双给体空穴传输材料制备方法简单，无需添加掺杂剂，成本低廉，易于分离提纯，将该含吩噻嗪双给体空穴传输材料应用在钙钛矿太阳能电池中，可以得到16.41％的光电转换效率和较高的填充因子ff为0.77，电荷复合较弱，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN109467561B

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN201811376445.4

申请日：2018-11-19

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 蔡宁 ,  钱赛男 ,  陈亚通 ,  杨瀚 ,  张华堂 ,  霍延平

IPC: C07D495/04 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明尤其涉及一种含吩噻嗪结构的双给体空穴传输材料及其制备方法和钙钛矿太阳能电池。本发明公开了一种含吩噻嗪双给体空穴传输材料，具有式(Ⅰ)所示结构；具有式(Ⅰ)所示结构；其中，A为含有共轭结构的基团，R为氢原子、烷烃基、烷氧基、烷硫基、环烷基、芳烷基及其衍生物、芳氧基、烷硒基、烷碲基、卤烷基、羟基或羰基。由实验数据可知，其能够获得较高的空穴迁移率10‑4cm2V‑1s‑1，该含吩噻嗪双给体空穴传输材料制备方法简单，无需添加掺杂剂，成本低廉，易于分离提纯，将该含吩噻嗪双给体空穴传输材料应用在钙钛矿太阳能电池中，可以得到16.41％的光电转换效率和较高的填充因子ff为0.77，电荷复合较弱，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN109320525B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN201811376434.6

申请日：2018-11-19

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 蔡宁 ,  陈亚通 ,  钱赛男 ,  罗瑞希 ,  张华堂 ,  霍延平

IPC: C07D495/04 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明尤其涉及一种含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料及其制备方法和钙钛矿太阳能电池。本发明公开了一种含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料，具有式(Ⅰ)所示结构；其中，A为含有共轭结构的基团，R为氢原子、烷烃基、烷氧基、烷硫基、环烷基、芳烷基及其衍生物、芳氧基、烷硒基、烷碲基、卤烷基、羟基或羰基。由实验数据可知，其能够获得较高的空穴迁移率10‑4cm2V‑1s‑1，该含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料制备方法简单，无需添加掺杂剂，成本低廉，易于分离提纯，将该含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料应用在钙钛矿太阳能电池中，可以得到18.23％的光电转换效率和较高的填充因子ff为0.77，电荷复合较弱，具有广阔应用前景。

公开(公告)号：CN109320525A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201811376434.6

申请日：2018-11-19

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 蔡宁 ,  陈亚通 ,  钱赛男 ,  罗瑞希 ,  张华堂 ,  霍延平

IPC: C07D495/04 ,  H01L51/42 ,  H01L51/46

Abstract: 本发明尤其涉及一种含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料及其制备方法和钙钛矿太阳能电池。本发明公开了一种含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料，具有式(Ⅰ)所示结构；其中，A为含有共轭结构的基团，R为氢原子、烷烃基、烷氧基、烷硫基、环烷基、芳烷基及其衍生物、芳氧基、烷硒基、烷碲基、卤烷基、羟基或羰基。由实验数据可知，其能够获得较高的空穴迁移率10-4cm2V-1s-1，该含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料制备方法简单，无需添加掺杂剂，成本低廉，易于分离提纯，将该含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料应用在钙钛矿太阳能电池中，可以得到18.23％的光电转换效率和较高的填充因子ff为0.77，电荷复合较弱，具有广阔应用前景。