公开(公告)号：CN100480214C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN02801325.5

申请日：2002-04-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉村雅司

IPC: C04B35/596 ,  C04B35/628

CPC classification number: C04B35/58071 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/58064 ,  C04B35/583 ,  C04B35/584 ,  C04B35/587 ,  C04B35/591 ,  C04B35/593 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/62842 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明提供一种氮化硅基复合烧结产品，该产品包含氮化硅、钛基化合物和氮化硼，或氮化硅、钛基氮化物和/或钛基碳化物、炭化硅和石墨和/或炭，该产品在无润滑剂条件下的摩擦系数是不大于0.3或不大于0.2，其平均粒径是100nm或更小；以及用作烧结产品的材料的氮化硅基复合粉末，其包含平均粒径不大于20μm的氮化硅、氮化钛、硼化钛和氮化硼的各种一次颗粒，或平均粒径不大于30μm的氮化硅、钛基化合物和石墨和/或炭的各种一次颗粒，和包括包绕上述各一次颗粒的无定形相的相；制备氮化硅基复合粉末的方法，该方法包括将起始原料粉末在氮气气氛中在室温至250℃的温度下以10-300G的加速度混合并粉碎。氮化硅基复合烧结产品在室温至中低温度下具有优异的机械性能、具有低摩擦系数和杰出的耐磨性。

公开(公告)号：CN1874973A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480032260.1

申请日：2004-10-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上野友之 ,  吉村雅司

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/00 ,  C04B35/56 ,  C04B35/575 ,  C04B35/577 ,  C04B35/58 ,  C04B35/582 ,  C04B35/593 ,  C04B35/596

CPC classification number: C04B35/645 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/117 ,  C04B35/185 ,  C04B35/443 ,  C04B35/486 ,  C04B35/488 ,  C04B35/52 ,  C04B35/522 ,  C04B35/524 ,  C04B35/528 ,  C04B35/565 ,  C04B35/575 ,  C04B35/581 ,  C04B35/584 ,  C04B35/593 ,  C04B35/597 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/80 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3246 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3839 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3847 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/424 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/427 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/5288 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963

Abstract: 本发明提供了适合作切削工具、滑动部件和成型模具材料的高耐磨、低摩擦的陶瓷复合材料。该陶瓷复合材料的特征在于由具有平均晶粒尺寸为3μm或更小，优选30nm或更小的碳作为主组分的相以及陶瓷相(条件是排除碳)构成。所述陶瓷相为选自Al、Si、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo和W的氮化物、碳化物、氧化物、复合氮化物、复合碳化物、复合氧化物、碳氮化物、氧氮化物、碳氮氧化物和碳氧化物中的至少一种。该陶瓷复合材料是通过在800至1500℃烧结温度和200MPa或更高烧结压力下烧结原料粉末而制得。

公开(公告)号：CN1272283C

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN02124784.6

申请日：2002-06-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉村雅司

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/626 ,  C04B35/64 ,  H01B1/00

CPC classification number: C04B35/591

Abstract: 通过研磨/混合氮化硅粉末和金属粉末，直到氮化硅粉末的平均粒径介于30-60nm，随后通过模制和烧结得到一种平均粒径为200nm或更低和在电火花加工之后其相对粗糙度(Ra)为0.6μm或更低的导电性氮化硅复合烧结体。在具有本发明特征的结构下，可能得到导电性氮化硅复合烧结体，所述烧结体具有5-60%体积能进行电火花加工的导电粒子。

公开(公告)号：CN1461287A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN02801325.5

申请日：2002-04-18

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉村雅司

IPC: C04B35/596 ,  C04B35/628

CPC classification number: C04B35/58071 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/58064 ,  C04B35/583 ,  C04B35/584 ,  C04B35/587 ,  C04B35/591 ,  C04B35/593 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/62842 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3813 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96

Abstract: 本发明提供一种氮化硅基复合烧结产品，该产品包含氮化硅、钛基化合物和氮化硼，或氮化硅、钛基氮化物和/或钛基碳化物、炭化硅和石墨和/或炭，该产品在无润滑剂条件下的摩擦系数是不大于0.3或不大于0.2，其平均粒径是100nm或更小；以及用作烧结产品的材料的氮化硅基复合粉末，其包含平均粒径不大于20μm的氮化硅、氮化钛、硼化钛和氮化硼的各种一次颗粒，或平均粒径不大于30μm的氮化硅、钛基化合物和石墨和/或炭的各种一次颗粒，和包括包绕上述各一次颗粒的无定形相的相；制备氮化硅基复合粉末的方法，该方法包括将起始原料粉末在氮气气氛中在室温至250℃的温度下以10－300G的加速度混合并粉碎。氮化硅基复合烧结产品在室温至中低温度下具有优异的机械性能、具有低摩擦系数和杰出的耐磨性。

公开(公告)号：CN103608310B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201280029318.1

申请日：2012-06-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 宫永美纪 ,  曾我部浩一 ,  粟田英章 ,  冈田浩 ,  吉村雅司

IPC: C04B35/00 ,  C01G15/00 ,  C04B35/44 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C01G9/00 ,  C01G15/00 ,  C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 导电性氧化物包含In、Al、选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素M以及O并且包含结晶质Al2MO4。导电性氧化物的制造方法包括：在将选自由Zn和Mg组成的组中的至少一种元素设为M时，制备包含Al2O3粉末和MO粉末的第一混合物的工序(S10)；通过对第一混合物进行煅烧而制作结晶质Al2MO4粉末的工序(S20)；制备包含结晶质Al2MO4粉末和In2O3粉末的第二混合物的工序(S30)；通过对第二混合物进行成形而得到成形体的工序(S40)；以及对成形体进行烧结的工序(S50)。由此，可以提供廉价且适合用于溅射的靶而得到高物性的氧化物半导体膜的导电性氧化物及其制造方法以及氧化物半导体膜。

公开(公告)号：CN102959677A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180030507.6

申请日：2011-11-10

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 佐藤一成 ,  关裕纪 ,  上松康二 ,  山本喜之 ,  松原秀树 ,  藤原伸介 ,  吉村雅司

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/76256 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供一种制造GaN基膜的方法，所述方法包括：准备复合衬底(10)的步骤，所述复合衬底包含支持衬底(11)和布置在所述支持衬底(11)的主表面(11m)侧的单晶膜(13)，在所述支持衬底(11)中在主表面(11m)中的热膨胀系数大于GaN晶体在a轴方向上的热膨胀系数的0.8倍且小于其1.2倍，所述单晶膜(13)相对于垂直于所述单晶膜(13)的主表面(13m)的轴呈三重对称；和在所述复合衬底(10)中的所述单晶膜(13)的所述主表面(13m)上形成GaN基膜(20)的步骤。由此，提供了一种制造GaN基膜的方法，所述方法能够制造具有大的主表面积和较小翘曲的GaN基膜。

公开(公告)号：CN102282684A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200980154826.0

申请日：2009-11-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八乡昭广 ,  中村孝夫 ,  吉村雅司

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01S5/323

CPC classification number: C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供一种缺陷最少的发光器件用衬底，其使得发射的光能够从器件的衬底侧面射出，且本发明提供一种发光器件用衬底(100)，其具有对波长为400nm～600nm的光透明的透明衬底(10)；和通过接合而形成在所述透明衬底(10)的一个主表面上的氮化物类化合物半导体薄膜(1c)。设所述透明衬底在与所述透明衬底的主表面垂直的方向上的热膨胀系数为α1，且设所述氮化物类化合物半导体薄膜的热膨胀系数为α2，则(α1-α2)/α2为-0.5～1.0，并在1200℃以下的温度下，所述透明衬底不会与所述氮化物类化合物半导体薄膜(1c)反应。所述透明衬底(10)的绝对折射率优选是所述氮化物类化合物半导体薄膜的绝对折射率的60％～140％。

公开(公告)号：CN101883745A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880117858.9

申请日：2008-11-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉村雅司 ,  吉金丈典 ,  藤井明人 ,  中山茂

IPC: C04B35/443 ,  G02F1/1333 ,  G03B21/10

CPC classification number: G03B21/10 ,  C04B35/443 ,  C04B2235/9661 ,  H04N9/3105 ,  Y10T428/1095

Abstract: 本发明公开一种透明多晶尖晶石衬底，其特征在于，在厚度1mm和波长450nm的条件下测量的在正交尼科耳系统中的透过率为0.005％以下。所述透明多晶尖晶石衬底即使在用作光学制品时，也不会出现图像模糊或明暗变化。本发明还提供一种制造所述透明多晶尖晶石衬底的方法，所述方法包括：提供尖晶石粉末的步骤；将所述尖晶石粉末成形以制造尖晶石成形体的步骤；对所述尖晶石成形体进行烧结以制造尖晶石烧结体的步骤；以及对所述尖晶石烧结体进行HIP以制造尖晶石多晶体的步骤。本发明还提供了具有所述透明多晶尖晶石衬底的背投电视接收机和具有所述透明多晶尖晶石衬底的液晶投影仪。

公开(公告)号：CN101874006A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200880117859.3

申请日：2008-11-21

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉村雅司 ,  藤井明人 ,  中山茂

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/443 ,  C04B41/87 ,  G02F1/1333

CPC classification number: C04B41/87 ,  C04B35/443 ,  C04B41/009 ,  C04B41/4529 ,  C04B2111/80 ,  G02F1/1303 ,  G02F2201/38 ,  C04B41/5055 ,  C04B41/5027 ,  C04B41/5041 ,  C04B35/00

Abstract: 本发明提供一种在液晶投影仪的透明衬底等中所使用的多晶透明陶瓷衬底的制造方法。所述多晶透明陶瓷衬底的制造方法的特征在于包括：对成形为预定形状的陶瓷体进行烧结并制造多晶透明陶瓷烧结体的步骤；对所述多晶透明陶瓷烧结体进行切割并制造多个多晶透明陶瓷切割体的步骤；对所述多晶透明陶瓷切割体的切割面进行研磨并制造多晶透明陶瓷研磨体的步骤；以及向所述多晶透明陶瓷研磨体上施加抗反射涂层并制造涂层多晶透明陶瓷体的步骤。

公开(公告)号：CN100542992C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200410087988.6

申请日：2004-10-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 吉村雅司 ,  上野友之

IPC: C04B35/52 ,  C04B35/583 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/58007 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/528 ,  C04B35/565 ,  C04B35/575 ,  C04B35/58 ,  C04B35/58014 ,  C04B35/58021 ,  C04B35/581 ,  C04B35/583 ,  C04B35/584 ,  C04B35/593 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3856 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3869 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3886 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/94 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/963

Abstract: 陶瓷复合材料，在从室温到高温的范围内，其具有优异的机械性能和对玻璃、树脂、陶瓷和类似的物质具有高的脱模性。陶瓷复合材料是由陶瓷相和含有2至98%碳和/或氮化硼作为主要组分的相组成的，并且其平均颗粒大小为100nm或以下，其中热膨胀系数在2.0至9.0×10-6/℃，在表面抛光后的表面粗糙度为0.05微米或以下。通过在800至1500℃的烧结温度和200MPa或更高的烧结压力下烧结粉末原料的混合物得到该材料的烧结体。