公开(公告)号：CN100403541C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200510006845.2

申请日：2005-01-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村亘 ,  高井一章

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/316

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在形成底部电极之后，在其上形成第一铁电膜。然后，使第一铁电膜结晶。随后，在第一铁电膜上形成第二铁电膜。接着，在第二铁电膜上形成顶部电极膜，并且使第二铁电膜结晶，使得能够在保持反向极化电荷在较高水平下的同时减少漏电流。

公开(公告)号：CN1087765C

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN97117849.6

申请日：1997-06-26

Applicant: 富士通株式会社 ,  三井金属矿业株式会社

Inventor： 岸井贞浩 ,  中村亘 ,  有本由弘 ,  畑田明良 ,  铃木邻太郎 ,  植田成生 ,  健三

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  C01G45/02 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C01P2006/90 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种研磨浆包括磨料颗粒和用来分散磨料颗粒的溶剂。其中磨料颗粒具有选自Mn2O3，Mn3O4及其混合物的组分。此外，还公开了在化学机械抛光工艺中利用研磨浆制造半导体器件的方法。