公开(公告)号：CN115699331A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202180039434.0

申请日：2021-10-21

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松井俊之 ,  上村和贵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置(100)，具备：半导体基板(10)，其具有晶体管部(70)和二极管部(80)；以及发射极(52)和栅极(50)，其设置在半导体基板的正面(21)的上方，晶体管部具有：多个沟槽部(40)，其与栅极电连接；第一导电型的漂移区(18)，其设置在半导体基板；第二导电型的基区(14)，其设置在漂移区的上方；以及第二导电型的沟槽底部阻挡区(75)，其设置在漂移区与基区之间，且掺杂浓度比基区的掺杂浓度高，沟槽底部阻挡区与发射极电连接。

公开(公告)号：CN113544857A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080016339.4

申请日：2020-09-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功 ,  百瀬雅之 ,  松井俊之

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其包含体施主；有源部，其设置于半导体基板；边缘终端构造部，其在半导体基板的上表面，设置在有源部与半导体基板的端边之间，有源部具有包含氢且施主浓度比体施主的浓度高的第一高浓度区，边缘终端构造部具有第二高浓度区，所述第二高浓度区在半导体基板的深度方向上设置在比第一高浓度区更宽的范围，并且包含氢且施主浓度比体施主的浓度高。

公开(公告)号：CN113544846A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202080018066.7

申请日：2020-09-25

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐藤茂树 ,  松井俊之 ,  荒木龙 ,  宫田大嗣 ,  吉田崇一

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/07 ,  H03K17/687

Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；温度感测部，其设置于半导体基板的正面；阳极焊盘和阴极焊盘，其与温度感测部电连接；正面电极，其被设定为预先确定的基准电位；以及双向二极管部，其以双向串联的方式电连接于阴极焊盘与正面电极之间。输出比较二极管部可以配置于阳极焊盘与阴极焊盘之间。温度感测部可以包括温度感测二极管，且输出比较二极管部可以包括与温度感测二极管反向并联地连接的二极管。

公开(公告)号：CN106062966B

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201580011623.1

申请日：2015-08-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 松井俊之

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明的半导体装置构成为：具有沿着n型漂移层(1)的一个主面选择性地形成，且电阻比漂移层(1)低的p型区域(4)，在从作为p型区域(4)的边界的pn结(6)的面起算厚度为t的漂移层(1)内，将从设有空位‑氧复合缺陷区域(11)的漂移层(1)的半导体基板的背面起在厚度方向的深度记为R，将漂移层(1)的电阻率记为ρ，由pn结(6)的反向偏置电压V表示的从pn结(6)扩展到漂移层(1)内的耗尽层(15)的宽度W由W＝0.54×√(ρ×V)表示时，空位‑氧复合缺陷区域(11)被设置于由0＜R≤t‑W表示的深度。由此，能够廉价且以简单的工艺兼顾开关损耗的降低与软恢复特性。

公开(公告)号：CN103426911B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310173163.5

申请日：2013-05-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小山弘美 ,  椎木崇 ,  福知辉洋 ,  百田圣自 ,  松井俊之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供一种尽可能地提高隔着表面的绝缘膜与金属电极接触的p型扩散区域的周边部的薄层电阻，且尽可能地减少成本上升，从而能够实现高反向恢复容量的半导体装置。半导体装置在n型的半导体基板（10）的一个主表面的表面层上具有p型扩散区域（1）和包围该p型扩散区域（1）的耐压区域（40），所述p型扩散区域（1）具有在表面覆盖有与表面进行欧姆接触的金属电极（7）的活性区域（30）和包围该活性区域（30）且在表面具备绝缘膜（3）的环状的周边部（2），并具有选择性地扩散的p型扩散区域延伸部（60），以提高该环状的周边部（2）的内周端与外周端之间的薄层电阻。