公开(公告)号：CN103426911A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310173163.5

申请日：2013-05-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小山弘美 ,  椎木崇 ,  福知辉洋 ,  百田圣自 ,  松井俊之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供一种尽可能地提高隔着表面的绝缘膜与金属电极接触的p型扩散区域的周边部的薄层电阻，且尽可能地减少成本上升，从而能够实现高反向恢复容量的半导体装置。半导体装置在n型的半导体基板（10）的一个主表面的表面层上具有p型扩散区域（1）和包围该p型扩散区域（1）的耐压区域（40），所述p型扩散区域（1）具有在表面覆盖有与表面进行欧姆接触的金属电极（7）的活性区域（30）和包围该活性区域（30）且在表面具备绝缘膜（3）的环状的周边部（2），并具有选择性地扩散的p型扩散区域延伸部（60），以提高该环状的周边部（2）的内周端与外周端之间的薄层电阻。

公开(公告)号：CN103426911B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310173163.5

申请日：2013-05-10

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小山弘美 ,  椎木崇 ,  福知辉洋 ,  百田圣自 ,  松井俊之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供一种尽可能地提高隔着表面的绝缘膜与金属电极接触的p型扩散区域的周边部的薄层电阻，且尽可能地减少成本上升，从而能够实现高反向恢复容量的半导体装置。半导体装置在n型的半导体基板（10）的一个主表面的表面层上具有p型扩散区域（1）和包围该p型扩散区域（1）的耐压区域（40），所述p型扩散区域（1）具有在表面覆盖有与表面进行欧姆接触的金属电极（7）的活性区域（30）和包围该活性区域（30）且在表面具备绝缘膜（3）的环状的周边部（2），并具有选择性地扩散的p型扩散区域延伸部（60），以提高该环状的周边部（2）的内周端与外周端之间的薄层电阻。