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公开(公告)号：CN105470154A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510571992.8
申请日：2015-09-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/607 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造装置及半导体装置，在对半导体装置的构成构件进行超声波接合时，能够可靠地将构件固定起来，因而能够获得稳定的接合状态。一种半导体装置的制造装置(1)，该半导体装置包括板状构件(21)和接合构件(23)，该半导体装置的制造装置包括：板状治具(11)，其用于载置该板状构件(21)；第1固定治具(12)和第2固定治具(13)，它们具有能抵接在板状构件(21)的宽度方向端部上缘的斜面，并且构成为靠近该板状构件(21)的宽度方向端部地固定于该板状治具(11)；超声变幅器(14)，其能一边将接合构件(23)向板状构件(21)按压，一边在板状构件(21)的宽度方向上施加超声波振动。
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公开(公告)号：CN104517860A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410394901.3
申请日：2014-08-12
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种接合组装装置，通过短时间的焊接处理来将由至少一个被接合构件与至少一个焊接材料构成的层叠体进行接合，从而获得具有层中气泡较少的焊料接合层的接合体。该接合组装装置在减压路内具备如下构件：金属线；传送台，对至少一个被接合构件和至少一个焊接材料的层叠体进行支承，并能在水平方向和垂直方向上移动；冷却板，隔着所述传送台对所述层叠体进行冷却；热板)，隔着所述传送台对所述层叠体进行加热；活性种气体导入管；惰性气体导入管；以及排气口，该接合组装装置还具备通过通电来对所述金属线进行加热的加热单元、即炉外的未图示的交流或直流功率供电源。
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公开(公告)号：CN105679686B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510762725.9
申请日：2015-11-10
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，对减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，将减压炉内设为低压的氢气氛，对与减压炉之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉外的金属线进行加热，或对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；隔离工序，在将金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，将减压炉内设为正压的氢气氛并加热至接合温度使焊锡材料熔融；及气泡去除工序，在保持为接合温度的状态下将减压炉内再次设为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。
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公开(公告)号：CN106298717A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610304288.0
申请日：2016-05-10
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 大西一永 , 丸山力宏 , 万·阿札·宾·万·马特
IPC: H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种具备筒状部件的半导体装置，该半导体装置能够在焊接该筒状部件时抑制焊料飞散。该半导体装置具备在正面具有电路层的层叠基板、焊接于电路层的筒状部件、和插入到该筒状部件并与该筒状部件电连接的外部端子。筒状部件具有圆筒部和连接到圆筒部的长度方向的一端的凸缘部。该凸缘部具备与电路层相对的第一突部、第二突部和第三突部。该第一突部与第二突部之间的距离、该第二突部与第三突部之间的距离以及该第三突部与第一突部之间的距离均比该圆筒部的内径大。
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公开(公告)号：CN106132612A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580017804.5
申请日：2015-08-26
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: B23K1/19 , B23K1/00 , B23K35/26 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/34 , B23K101/40 , B23K101/42
Abstract: 对含Ag构件进行软钎焊的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法中，防止孔隙产生且提高软钎料润湿性。本发明的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法为一种含Ag无铅软钎料的软钎焊方法，其包括如下工序：第1工序，使具有含有Ag且余量为Sn和不可避免的杂质的组成的Sn‑Ag系无铅软钎料与含Ag构件接触，在所述无铅软钎料的组成中，质量M(g)的软钎焊前的Sn‑Ag系无铅软钎料中所含的Ag浓度C(质量％)与前述含Ag构件中所含的Ag的溶出量B(g)的关系为：1.0质量％≤(M×C+B)×100/(M+B)≤4.6质量％；第2工序，对前述无铅软钎料进行加热使其熔融；和，第3工序，对前述无铅软钎料进行冷却。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105679686A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510762725.9
申请日：2015-11-10
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , B23K1/0008 , B23K2101/40 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/32145 , H01L2224/8319
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，对减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，将减压炉内设为低压的氢气氛，对与减压炉之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉外的金属线进行加热，或对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；隔离工序，在将金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，将减压炉内设为正压的氢气氛并加热至接合温度使焊锡材料熔融；及气泡去除工序，在保持为接合温度的状态下将减压炉内再次设为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。
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公开(公告)号：CN103210489A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180054787.4
申请日：2011-08-19
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H05K1/181 , H01L23/043 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H05K1/02 , H05K1/18 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 电源模块（100）由金属基底（1）、连接至金属基底（1）的绝缘衬底（2）、连接至绝缘衬底（2）的电路图案的半导体芯片和控制端子（6）、以及接合至金属基底（1）的树脂外壳（7）所构成。该控制端子（6）包括贯穿树脂外壳（7）的盖（9）的贯穿部（6a）、连接至贯穿部（6a）的L-形成型部（6b）、和连接至L-形成型部（6b）的连接部（6c）。在控制端子（6）的部分中设置突出部（10），其贯穿盖（9）。该突出部（10）与被配置在盖（9）的表面上的突出接收部（9b）相接触。L-形成型部（6b）与设置在盖（9）的后表面上的凸起部（9c）接触。藉此，当连接器安装到控制端子（6）或从控制端子（6）上移除时，防止应力被传输至绝缘衬底（2），且可提供具有高绝缘强度的高度可靠的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102859671A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180018762.9
申请日：2011-09-08
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , H01L23/3735 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/072 , H01L2224/26175 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48647 , H01L2224/48747 , H01L2224/48847 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83051 , H01L2224/83447 , H01L2224/85447 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 在抑制制造成本时提高可靠性。半导体器件（100）包括基板（110）、安装在基板（110）上的绝缘基板（141和142）、在绝缘基板（141和142）上形成的金属图案（152和155）、隔着接合材料安装在金属图案（152和155）上的电子部件、以及与配线用布线分开的布线构件（201至206），该布线构件包含抗接合材料的材料并且在金属图案（152和155）上以及在电子部件周围形成。
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公开(公告)号：CN106298717B
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201610304288.0
申请日：2016-05-10
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 大西一永 , 丸山力宏 , 万·阿札·宾·万·马特
IPC: H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种具备筒状部件的半导体装置，该半导体装置能够在焊接该筒状部件时抑制焊料飞散。该半导体装置具备在正面具有电路层的层叠基板、焊接于电路层的筒状部件、和插入到该筒状部件并与该筒状部件电连接的外部端子。筒状部件具有圆筒部和连接到圆筒部的长度方向的一端的凸缘部。该凸缘部具备与电路层相对的第一突部、第二突部和第三突部。该第一突部与第二突部之间的距离、该第二突部与第三突部之间的距离以及该第三突部与第一突部之间的距离均比该圆筒部的内径大。
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公开(公告)号：CN106132612B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201580017804.5
申请日：2015-08-26
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: B23K1/19 , B23K1/00 , B23K35/26 , C22C13/02 , H01L21/52 , H01L23/40 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K3/34 , B23K101/40 , B23K101/42
Abstract: 对含Ag构件进行软钎焊的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法中，防止孔隙产生且提高软钎料润湿性。本发明的含Ag无铅软钎料的软钎焊方法为一种含Ag无铅软钎料的软钎焊方法，其包括如下工序：第1工序，使具有含有Ag且余量为Sn和不可避免的杂质的组成的Sn‑Ag系无铅软钎料与含Ag构件接触，在所述无铅软钎料的组成中，质量M(g)的软钎焊前的Sn‑Ag系无铅软钎料中所含的Ag浓度C(质量％)与前述含Ag构件中所含的Ag的溶出量B(g)的关系为：1.0质量％≤(M×C+B)×100/(M+B)≤4.6质量％；第2工序，对前述无铅软钎料进行加热使其熔融；和，第3工序，对前述无铅软钎料进行冷却。
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