一种CsPbBr3纳米晶及基于微波法合成不同维度CsPbBr3纳米晶的方法

    公开(公告)号:CN108083325A

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201711187461.4

    申请日:2017-11-24

    Abstract: 本发明涉及一种CsPbBr3纳米晶及不同维度CsPbBr3纳米晶的合成方法,属于材料制备技术领域。所述的CsPbBr3纳米晶维度可调,为0维、1维、2维。将Cs2CO3、油酸及十八烯先升温至100-130℃真空保温,再升温至Cs2CO3完全溶解,得Cs前驱体;将PbBr2、十八烯及二乙二醇丁醚先升温至100-130℃真空保温,再将干燥的油酸和油胺按体积比(1-15):1注入,升温至PbBr2完全溶解,得PbBr2前驱体;将Cs前驱体及PbBr2前驱体在氮气保护下进行混合,微波作用下合成,冰水降温,经离心清洗后重新分散在己烷或甲苯中保存。可控且快速合成不同维度CsPbBr3钙钛矿纳米晶。

    高纯度N掺杂TiO2全介孔纳米纤维的制备方法

    公开(公告)号:CN105002599B

    公开(公告)日:2018-05-22

    申请号:CN201510386948.X

    申请日:2015-06-30

    Abstract: 本发明公开的高纯度N掺杂TiO2全介孔纳米纤维的制备方法,包括如下步骤,1)、前躯体纺丝液的配置:将聚乙烯吡咯烷酮、钛酸丁酯、偶氮二甲酸二异丙酯和尿素溶解于无水乙醇和冰醋酸混合溶剂中形成均匀前躯体纺丝液;2)、前躯体纳米线制备:将步骤1)得到的前躯体纺丝液经纺丝得到前躯体纳米线;3)、纳米线的制备:将步骤2)得到的前躯体纳米线经高温煅烧即可获得高纯度N掺杂TiO2全介孔纳米纤维。本发明公开的纳米纤维制备工艺简单,生产方便,产品质量稳定性好。

    一种基于双掺杂量子点的比率温度传感器

    公开(公告)号:CN105222918A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201510615729.4

    申请日:2015-09-24

    Abstract: 本发明公开的基于双掺杂量子点的比率温度传感器,包括设置有双掺杂量子点材料的半导体敏感元件,双掺杂量子点材料的制备方法如下:a、硫前驱体和锌前驱体的制备;b、在ODE溶剂中加入掺杂剂、基体材料以及表面配体,在无氧条件下加热升温去除杂质和水份得到透明溶液,表面配体为DDT和OLA;透明溶液升温,加入硫前驱体,保温生长加入锌前驱体,得到含Cu(Ag),Mn共掺杂Zn-In-S量子点的溶液;溶液冷却后经提纯得到量子点。本发明传感器灵敏度高,测试范围大,稳定性好,通过调控双掺杂离子的掺杂浓度,可以实现对双荧光发射强度的调控,性能突出。

    一种N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN105206484A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201510510666.6

    申请日:2015-08-19

    Abstract: 本发明涉及一种N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备方法,属材料制备技术领域。该制备方法为:将有机前驱体进行预处理;将催化剂形成于柔性衬底上;将有机前躯体和柔性衬底一起置于气氛烧结炉中,加热至1700-1800℃进行热解,然后冷却降温至1000-1200℃,最后随炉降至室温,得到N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料。本发明不仅实现了N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备,而且,本发明所制备的N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料在不同温度下均具有较低的开启电场,同时,在高温下也具有稳定的电子发射特性。

    柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用

    公开(公告)号:CN105161388A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201510510985.7

    申请日:2015-08-19

    Abstract: 本发明涉及一种柔性纳米材料在场发射阴极材料中的应用。该柔性纳米材料为场发射柔性阴极,柔性阴极的发射电流密度波动性为±2-4%,开启电场波动性<±0.05%。本发明中的柔性阴极不仅具有很高的柔韧性,而且在不同弯曲次数、不同弯曲状态下开启电场基本保持不变,在不同弯曲状态和不同温度下均保持较高的电子发射稳定性。

    一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法

    公开(公告)号:CN105088346A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510510896.2

    申请日:2015-08-19

    Abstract: 本发明涉及一种SiC纳米线,具体涉及一种具有长高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法,属于纳米材料技术领域。所述纳米线的相成份为3C-SiC,所述P掺杂SiC纳米线中P掺杂量为0.10-0.15at.%,所述纳米线的直径为50-200nm,长径比为500-3000。制备方法包括如下步骤:有机前驱体热交联固化和粉碎,得有机前驱体粉末;碳纸浸渍在含有催化剂的乙醇溶液中,并超声处理;将有机前驱体粉末和FePO4粉末混合置于石墨坩埚底部,在坩埚顶部放置超声处理后的碳纸;将石墨坩埚及碳纸一起置于气氛烧结炉中,在Ar气氛保护下于1350-1450℃下进行热解;气氛烧结炉先冷却至1080-1150℃,再随炉冷却至室温,即可得到具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线。本发明纳米线的直径为50-200nm,长径比可达500-3000。

    基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法

    公开(公告)号:CN104993069A

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201510312684.3

    申请日:2015-06-09

    CPC classification number: H01L51/001 H01L51/0021

    Abstract: 本发明公开的基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法,包括如下步骤(1)Cu掺杂多元量子点的制备;(2)QD-LED构建,QD-LED构建包括基底制备和电极制备;基底制备为将ITO片基底先后在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声处理,然后以臭氧进行表面处理得到预处理后的ITO片基底;电极制备为在预处理后的ITO片基底上旋涂聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐层后烘干,然后依次旋涂空穴传输层、发光层和电子传输层得到多层结构基片,再将多层结构基片在真空环境下沉积阳极即可,其中发光层为Cu掺杂多元量子点层,电子传输层为金属氧化物纳米颗粒层。条件安全简单,基本采用全溶液加工工艺,操作方便。

    氮化硅纳米带高灵敏压力传感器

    公开(公告)号:CN104776945A

    公开(公告)日:2015-07-15

    申请号:CN201410501512.6

    申请日:2014-09-27

    Abstract: 一种Si3N4纳米带高灵敏压力传感器的制备方法,其包括以下具体步骤:(1)将原料聚硅氮烷和异丙醇铝两种有机前驱体,按重量比95:5比例,置于球磨罐中行星球磨;将混合和反应均匀的有机前驱体在N2保护气氛下于进行低温交联固化,得到非晶态固体,引入3wt%Al金属粉末用作催化剂,高能球磨磨粉碎;将高能球磨得到的粉体,在N2保护气氛下于1550℃保温2小时进行高温热解,制备Si3N4单晶纳米带。(2)将Si3N4纳米带超声分散在乙醇中,然后滴洒在高定向石墨片上。在原子力显微镜导电模式下构建Si3N4纳米带压力传感器,通过探针施加不同压力,实现不同压力下的电信号检测。与已有报道的工作相比,本发明所制备的Si3N4压力传感器能够实现nN量级力的反馈和探测,具有更高灵敏度。

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