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公开(公告)号：CN114068308A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210047359.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/02 , H01L29/165
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN114032612A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111348403.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。
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公开(公告)号：CN116858854A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202311131858.7
申请日：2023-09-04
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/95 , G01N21/63 , G01N21/84 , G01N27/22 , G01B21/00 , G01R31/26 , G06F17/10 , G06T7/00 , G06T7/70 , G06F17/18 , H01L21/66
Abstract: 本申请属于测量掺杂浓度的技术领域，公开了一种掺杂浓度的修正方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：步骤S101，获取测量点的数量、位置坐标和掺杂浓度数据，步骤S102，基于数量和位置坐标，结合预设的判断规则，判断掺杂浓度数据是否存在缺陷信息，若是，则执行步骤S103，若否，则执行步骤S104，步骤S103，对存在缺陷信息的掺杂浓度数据进行修正，得到修正后的掺杂浓度数据，步骤S104，确定不存在缺陷信息的掺杂浓度数据为修正后的掺杂浓度数据，通过对掺杂浓度存在缺陷信息的测量点进行掺杂浓度修正，得到修正后的掺杂浓度，提高了掺杂浓度的测量效率。
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公开(公告)号：CN115012031B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202210686166.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度。
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公开(公告)号：CN114115369B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202210085057.0
申请日：2022-01-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种具有自动补水功能的高温氧化装置，所述装置包括：鼓泡装置，用于将氧气通入高温去离子水中生成湿润的高温氧化气体；所述具有自动补水功能的高温氧化装置还包括：预热装置，与所述鼓泡装置连接，用于加热去离子水并为所述鼓泡装置供应所述高温去离子水，所述预热装置上设有用于检测其内去离子水电阻值的水电阻测量传感器，所述预热装置在其内去离子水电阻值大于第一预设阈值和/或小于第二预设阈值时，更换所述预热装置内的去离子水。本申请通过设置水电阻测量传感器实时监控预热装置内的去离子水的电阻值，并当去离子水不满足工艺条件时对去离子水进行更换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114182341A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111581945.3
申请日：2021-12-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明属于晶体生长技术领域，特别涉及一种高纯度晶体生长系统及方法，其包括：真空腔；反应室，其包括腔体和顶盖；加热组件；第一升降组件，与上述顶盖固定连接，用于驱动上述顶盖升降；供气组件，安装在上述真空腔上，用于使上述真空腔内产生自上向下的气流；控制器，与上述加热组件、上述第一升降组件和上述供气组件电性连接，用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度，还用于在上述反应室内的温度达到除杂温度时，控制上述供气组件产生自上向下的气流和控制上述第一升降组件驱动上述顶盖上升，还用于控制上述加热组件升高上述反应室内的温度至晶体生长温度以进行晶体生长；在晶体生长前先对反应粉料进行除杂，有效地提高晶体的纯度。
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公开(公告)号：CN119121386A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411589110.6
申请日：2024-11-08
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种SiC外延片生长装置及方法，在上半月结构下表面位置增加一个可放置挡板的支撑结构，将碳化硅衬底放置在载片盘上，在外延生长前，将挡板放置在支撑结构上，并且挡板位于载片盘上方；在碳化硅衬底外延生长过程中，支撑结构通入外部电流能够对挡板加热升温，抑制3C‑SiC的沉积和颗粒生成，在若干次外延生长后，将挡板移出反应室，对挡板进行清洁处理，便于再次使用。
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公开(公告)号：CN116623296A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310419900.9
申请日：2023-04-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种有效降低碳化硅外延片缺陷密度的方法，属于半导体加工领域，将生长外延层的步骤分成了若干个周期，每个周期内依次包括高速生长过程、气氛修正过程和低速生长过程，气氛修正过程中的硅源流量小于低速生长过程的硅源流量，且碳源流量为零。气氛修正过程避免外延层长期处于富碳环境中，能够周期性地修正反应室中的气氛，全程不会完全中断生长源气流，对台阶流生长模式的影响小，有利于降低外延片缺陷密度，低速生长过程在不中断生长源气流的前提下起到刻蚀作用和退火作用相结合的综合效果，有利于修复衬底表面缺陷、提升外延层的结晶质量，从而为下一轮高速生长过程提供良好表面作为基础，能进一步减少外延片缺陷。
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公开(公告)号：CN116288694A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310346330.5
申请日：2023-04-03
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延炉供气结构及供气系统，其中，外延炉供气结构包括第一供气管道，与传送室连接，用于为传送室供应惰性气体；第二供气管道，与反应室进气端连接，用于为反应室供应初始载气；第一回气管道，其两端分别与传送室和第二供气管道连接；该外延炉供气结构设置第一回气管道连接传送室和第二供气管道，使得第二供气管道最终能为反应室输送由其原始提供的初始载气和第一回气管道提供的惰性气体构成的气浮混合载气，即利用了需要直接排放至废气处理设备中的传送室内的惰性气体来填补部分载气，有效降低整个设备的气体成本。
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公开(公告)号：CN114507900B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210205878.3
申请日：2022-03-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法，用于保护外延设备的反应腔的内表面，所述反应腔内表面保护装置包括：石墨纸、第一转轴和第二转轴，所述第一转轴和所述第二转轴分别安装在所述反应腔的进气端和出气端，所述石墨纸两端分别套接在所述第一转轴与所述第二转轴上，所述石墨纸在所述反应腔的内顶部具有水平段，且能在所述第一转轴以及所述第二转轴的转动作用下在所述反应腔的内顶部沿单一方向水平输送，通过在反应腔内表面设置保护装置，石墨纸持续工作带走石墨纸上的结晶，防止结晶掉落在衬底上，且无需对反应腔内表面频繁清洗。
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