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公开(公告)号：CN114965901A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210687606.1
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种PECVD设备的清洗时间预测方法、装置、设备及介质，其中，方法包括以下步骤：在清洗PECVD设备时，获取预设采集时间内反应腔排出的尾气中的至少一种反应气体浓度变化信息和/或至少一种反应后气体浓度变化信息；基于反应气体浓度变化信息和/或反应后气体浓度变化信息，以及预设采集时间生成清洗进度函数；根据清洗进度函数生成预测时间信息和/或提醒信息；该方法基于清洗过程中反应腔排出的气体成分生成清洗进度函数，利用该清洗进度函数可快速分析出清洗工艺的进程及完成清洗的时间，使得用户能获知预测时间信息和/或提醒信息，从而实现清洗时长的准确控制。
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公开(公告)号：CN114318518A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111665014.1
申请日：2021-12-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉氢气吸收系统、方法、电子设备及存储介质，该系统包括：传送腔；存片腔，与所述传送腔连接；氢气吸收装置，设置在所述传送腔内，用于吸收所述传送腔内的氢气；氢气浓度检测装置，设置在所述传送腔内，用于采集所述传送腔内的氢气浓度信息；控制器，用于在对存片腔进行晶片上料或下料前，获取所述氢气浓度信息，还用于当所述氢气浓度信息大于或等于第一阈值时，控制所述氢气吸收装置吸收所述氢气直至所述氢气浓度信息小于第二阈值；通过氢气吸收装置吸收传送腔内的氢气，无需对反应腔执行抽真空和通入惰性气体的操作，从而有效地减少降低传送腔内的氢气浓度所需要的时间，提高外延炉的运行效率。
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公开(公告)号：CN115537780B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202211286779.9
申请日：2022-10-20
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的气浮驱动装置、系统及方法，该装置包括：气浮气体供应组件，用于供应包括氢气和惰性气体的气浮气体；第一气浮气路，通过第一质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；第二气浮气路，通过第二质量流量控制器与所述气浮气体供应组件连接；压差测量组件，与所述第一气浮气路和所述第二气浮气路连接，用于生成所述第一气浮气路和所述第二气浮气路之间的压差信息；该装置能够有效地延长底座的使用寿命和降低更换底座的频率。
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公开(公告)号：CN117174642A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311263317.X
申请日：2023-09-27
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于外延生长设备的晶圆上料方法、装置及系统，该方法包括以下步骤：在机械手将晶圆移动至反应腔内时，基于位于反应腔外的UWB雷达扫描反应腔，以获取第一雷达扫描信息；根据第一雷达扫描信息分析晶圆的实际位置是否与预设的目标位置重合；若实际位置与目标位置不重合，则根据实际位置和目标位置控制机械手对晶圆的位置进行调整，并在实际位置与目标位置重合时控制机械手放下晶圆；该方法能够有效地避免出现由于只有在机械手无法对晶圆进行正常下料时才能发现晶圆位置偏移或托盘位置偏移而导致产生薄膜不均匀的残次品，造成资源和时间的浪费以及机械手在晶圆下料时抓取错误位置，晶圆损坏的问题。
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公开(公告)号：CN117174626A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311457585.5
申请日：2023-11-03
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/67 , H01L21/268 , C30B29/36 , C30B33/02
Abstract: 本申请涉及激光退火领域，具体而言，涉及一种用于碳化硅晶圆的激光退火方法和系统，其中激光退火方法包括在对碳化硅晶圆进行激光退火前，获取碳化硅晶圆的图像信息；根据图像信息获取碳化硅晶圆的缺口位置信息；根据缺口位置信息和预设扫描路径信息生成修正扫描路径信息；根据修正扫描路径信息控制驱动件驱动碳化硅晶圆位移以使激光源对碳化硅晶圆进行激光退火。本申请的激光退火方法能解决存在缺口的碳化硅晶圆的缺口的方向与预设方向不一致，导致碳化硅晶圆上部分区域无法被扫描到和扫描路径超出碳化硅晶圆边缘使得激光照射到晶圆承载台上的问题，达到扫描路径遍历碳化硅晶圆上表面且不超出碳化硅晶圆的边缘的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116043184A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310111885.1
申请日：2023-02-14
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 本申请涉及外延生长技术领域，具体提供了一种用于反应室的倒置式气浮装置、反应室及外延设备，其包括：反应室，其室内设有反应腔和位于反应腔上的旋转片盒放置槽，旋转片盒放置槽的底部设有与反应腔连通的第一开口；设置在旋转片盒放置槽底部的多个出气口，多个出气口沿第一开口中心圆周分布；旋转片盒，用于承托硅片，放置在旋转片盒放置槽内，旋转片盒底面设有正对于第一开口的第二开口，旋转片盒底面设有位于出气口上方的圆槽和圆周阵列在圆槽外周并与圆槽连通的多个倾斜槽；该装置能够避免出现由于反应室上开设有孔洞而对反应室的温场均匀性造成影响的问题。
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公开(公告)号：CN114032612B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202111348403.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。
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公开(公告)号：CN113670448B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110938495.2
申请日：2021-08-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及温度测量技术领域，具体公开了一种反应室温度测量系统、方法、装置及温度调节方法，系统用于测量反应室内高温工况下的温度分布情况，包括：反应室，其外壁设有一测温口；测温器，用于测量反应室内温度情况，与测温口摆动连接；摆动驱动器，用于驱动测温器在测温口内摆动；控制器，用于控制摆动驱动器运行使测温器在测温口中摆动以获取反应室内不同位置的温度信息，控制器根据不同位置的温度信息绘制热场曲线。该系统仅需在反应室外壁设置一测温口安装测温器便可进行区域化测温，避免反应室开设过多测温孔导致反应室中热量散失，并能基于温度信息绘制热场曲线，为反应室内温度工况分析、调节提供数据基础。
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公开(公告)号：CN114068308B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210047359.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/02 , H01L29/165
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN113670448A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110938495.2
申请日：2021-08-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及温度测量技术领域，具体公开了一种反应室温度测量系统、方法、装置及温度调节方法，系统用于测量反应室内高温工况下的温度分布情况，包括：反应室，其外壁设有一测温口；测温器，用于测量反应室内温度情况，与测温口摆动连接；摆动驱动器，用于驱动测温器在测温口内摆动；控制器，用于控制摆动驱动器运行使测温器在测温口中摆动以获取反应室内不同位置的温度信息，控制器根据不同位置的温度信息绘制热场曲线。该系统仅需在反应室外壁设置一测温口安装测温器便可进行区域化测温，避免反应室开设过多测温孔导致反应室中热量散失，并能基于温度信息绘制热场曲线，为反应室内温度工况分析、调节提供数据基础。
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