一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统

    公开(公告)号:CN114753000A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210399479.5

    申请日:2022-04-15

    Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域,具体公开了一种外延炉的衬底装载装置及上下料系统,其中,该装置包括:装载室,所述装载室内具有与外界隔绝的装载腔;托盘,安装在所述装载腔内;片盒,设置在所述托盘上,用于存放所述衬底;所述装置还包括:顶杆,设置在所述装载室外;磁力件,固定在所述顶杆上,且与所述装载室内的所述托盘磁性相吸;升降机构,安装在所述装载室外,与所述顶杆连接;该装置实现了对装载室内托盘的无接触式驱动,从而保留了装载室的完整性,提高了装载室的密封度。

    一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法

    公开(公告)号:CN114507900A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210205878.3

    申请日:2022-03-04

    Abstract: 本申请涉及半导体制造领域,具体而言,涉及一种反应腔内表面保护装置、外延反应监控装置及方法,用于保护外延设备的反应腔的内表面,所述反应腔内表面保护装置包括:石墨纸、第一转轴和第二转轴,所述第一转轴和所述第二转轴分别安装在所述反应腔的进气端和出气端,所述石墨纸两端分别套接在所述第一转轴与所述第二转轴上,所述石墨纸在所述反应腔的内顶部具有水平段,且能在所述第一转轴以及所述第二转轴的转动作用下在所述反应腔的内顶部沿单一方向水平输送,通过在反应腔内表面设置保护装置,石墨纸持续工作带走石墨纸上的结晶,防止结晶掉落在衬底上,且无需对反应腔内表面频繁清洗。

    一种化学气相沉积装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114277360B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202111640300.2

    申请日:2021-12-29

    Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域,具体提供了一种化学气相沉积装置,其包括:反应腔;衬托器,倾斜设置在上述反应腔内,用于放置衬底;供气组件,设置在上述反应腔的一端,包括竖直排列设置的多条进气气路,多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体,所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小;能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿,从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。

    一种化学气相沉积装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114277360A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111640300.2

    申请日:2021-12-29

    Abstract: 本申请涉及化学气相沉积技术领域,具体提供了一种化学气相沉积装置,其包括:反应腔;衬托器,倾斜设置在上述反应腔内,用于放置衬底;供气组件,设置在上述反应腔的一端,包括竖直排列设置的多条进气气路,多条所述进气气路分别用于输送包含不同浓度的原料气体的外延气体,所述供气组件通过所述进气气路朝所述衬托器输送的所述外延气体中的所述原料气体的浓度随高度下降而减小;能够有效地对衬底上方的原料气体的浓度进行补偿,从而提高衬底上形成的薄膜厚度的均匀性。

    一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构

    公开(公告)号:CN113897674A

    公开(公告)日:2022-01-07

    申请号:CN202111187818.5

    申请日:2021-10-12

    Abstract: 本发明涉及外延生长领域,具体公开了一种多腔式碳化硅外延设备及其反应室机构,其中,反应室机构包括:反应室本体、快拆装置、平移机构和控制器,控制器用于控制所述快拆装置的开合以改变所述反应室本体与所述传输机构的连接状态,还用于在所述快拆装置处于打开状态时,控制所述平移机构运动以使所述反应室本体靠近或远离所述传输机构移动;该反应室机构利用快拆装置连接反应室本体和传输机构,使得控制器能迅速改变反应室本体和传输机构的连接状态,反应室本体底部设置由控制器控制运行的平移机构,使得反应室本体在清洗维护前能迅速完成移动操作,从而有效缩短了整个反应室机构清洗维护的时间。

    一种外延炉的匀气盒及气体输送组件

    公开(公告)号:CN113718333A

    公开(公告)日:2021-11-30

    申请号:CN202111020536.6

    申请日:2021-09-01

    Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域,具体明公开了一种外延炉的匀气盒及气体输送组件,其中,匀气盒,用于朝外延炉的反应室输送反应气体,包括:用于朝外延炉的反应室输送反应气体,包括:盒体,盒体长度为10‑30cm,盒体内设有若干沿其长度方向设置的气孔,若干气孔包括若干小孔和若干大孔,若干大孔对称分设于小孔两侧;该匀气盒长度为10‑30cm,能使反应气体沿着气孔在盒体中进行输送从而形成若干道平行流动的反应气体气流,确保匀气盒输出的反应气体稳定不紊乱,使得晶体生长更均匀,同时采将气孔布置为中间小、两侧大的形式,使得两侧边缘气流的流速高于传统导气筒导出的两侧边缘气流的流速,从而解决衬底边缘的温度均匀性差的问题。

    一种外延炉的匀气盒及气体输送组件

    公开(公告)号:CN113718333B

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202111020536.6

    申请日:2021-09-01

    Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域,具体明公开了一种外延炉的匀气盒及气体输送组件,其中,匀气盒,用于朝外延炉的反应室输送反应气体,包括:用于朝外延炉的反应室输送反应气体,包括:盒体,盒体长度为10‑30cm,盒体内设有若干沿其长度方向设置的气孔,若干气孔包括若干小孔和若干大孔,若干大孔对称分设于小孔两侧;该匀气盒长度为10‑30cm,能使反应气体沿着气孔在盒体中进行输送从而形成若干道平行流动的反应气体气流,确保匀气盒输出的反应气体稳定不紊乱,使得晶体生长更均匀,同时采将气孔布置为中间小、两侧大的形式,使得两侧边缘气流的流速高于传统导气筒导出的两侧边缘气流的流速,从而解决衬底边缘的温度均匀性差的问题。

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