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公开(公告)号：CN114456524A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210126844.5
申请日：2018-10-17
Applicant: 大金工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种交联性弹性体组合物，其在特定条件下的等离子体照射后的重量减少率与颗粒产生量、以及高温下的压缩永久变形小。本发明涉及一种交联性弹性体组合物和氟橡胶成型品，组合物含有交联性弹性体、和表面被氧化的非氧化物系陶瓷，氟橡胶成型品在特定条件下的O2等离子体照射后的重量减少率为2.5质量％以下，颗粒产生量为0.05质量％以下，NF3等离子体照射后的重量减少率为1.8质量％以下，颗粒产生量为0.05质量％以下，300℃、70小时下的压缩永久变形为50％以下。
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公开(公告)号：CN111212874B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201880067141.1
申请日：2018-10-17
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C08L27/18 , C08K3/34 , C08L101/12
Abstract: 本发明的目的在于提供一种交联性弹性体组合物，其在特定条件下的等离子体照射后的重量减少率与颗粒产生量、以及高温下的压缩永久变形小。本发明涉及一种交联性弹性体组合物，其含有交联性弹性体、和表面被氧化的非氧化物系陶瓷。另外涉及一种氟橡胶成型品，其在下述条件下的O2等离子体照射后的重量减少率为2.5质量％以下，颗粒产生量为0.05质量％以下，NF3等离子体照射后的重量减少率为1.8质量％以下，颗粒产生量为0.05质量％以下，300℃、70小时下的压缩永久变形为50％以下。记样品：O型圈(AS‑568A‑214)测定方法：(1)O2等离子体等离子体照射装置：ICP高密度等离子体装置(Samco Inc.制造RIE‑101iPH型)照射条件气体流量：16SCCM RF输出功率：400Wh压力：2.66Pa蚀刻时间：30分钟温度：100℃全氟弹性体(非填料)的蚀刻速度相当于的条件。(2)NF3等离子体等离子体照射装置：ICP高密度等离子体装置(Samco Inc.制造RIE‑101iPH型)照射条件气体流量：16SCCM RF输出功率：400Wh压力：10Pa蚀刻时间：4小时温度：200℃硅晶片热氧化膜(SiO2)的蚀刻速度相当于的条件。
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公开(公告)号：CN111954660A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201980025222.X
申请日：2019-05-27
Applicant: 国立大学法人东京工业大学 , 大金工业株式会社
IPC: C07C291/06 , C07C205/28 , C07C323/07 , C07C323/57 , C09K3/18
Abstract: 本发明提供式(I)[式中，各符号的含义与说明书中的记载相同]所示的化合物。
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公开(公告)号：CN109476896A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780045058.X
申请日：2017-08-08
Applicant: 国立大学法人秋田大学 , 大金工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种组合物，该组合物可提供耐热性优异、进而针对暴露于半导体的制造工序中的氧等离子体和氟系等离子体的重量变化小的成型品。一种组合物，其特征在于，其包含含氟聚合物以及具有特定结构的笼型倍半硅氧烷的超支化聚合物。
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公开(公告)号：CN100517558C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200310101038.X
申请日：1999-03-24
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , C08F14/18 , C08F2/00 , C08F6/00
CPC classification number: B08B3/04 , Y10S210/90
Abstract: 提供一种能够获得清洁化的半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的新型并且有效的洗涤方法，是用干式蚀刻法和/或萃取法洗涤氟橡胶类成型制品。采用该方法所得的氟橡胶类成型制品和氟橡胶类密封材料。使用该氟橡胶类成型制品或氟橡胶类密封材料的半导体制造装置。
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公开(公告)号：CN1228391C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN01809115.6
申请日：2001-04-27
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C08L101/00 , C08K3/22 , C08K3/36 , C08K9/06 , H01L21/3065
CPC classification number: C08F214/18 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供作为使用水分产生量与有机系气体产生量均降低的清洁填料的半导体制造装置用的成型品材料适用的弹性体组合物与成型品，本发明的填料在200℃加热2小时的每单位表面积的重量减少率是2.5×10-5重量%/m2以下，且在200℃加热15分钟时的有机系气体的总发生量是2.5ppm以下，该填料与高分子聚合物，尤其是与交联性含氟弹性体组成交联性组合物。
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公开(公告)号：CN1209410C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN01811803.8
申请日：2001-05-22
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: C08L27/12 , C08K5/18 , C07C211/56
CPC classification number: C08K5/18 , C07C211/56 , C08L27/12
Abstract: 本发明提供一种可交联的弹性体组合物，该组合物含有(A)带有至少两个式(I)表示的交联反应性基团(I)的化合物，和(B)具有与所述交联反应性基团(I)反应的交联位点的弹性体；以此，可得到机械强度和耐热性均有所提高的交联产物。
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公开(公告)号：CN1508841A
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN200310101038.X
申请日：1999-03-24
Applicant: 大金工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , C08F14/18 , C08F2/00 , C08F6/00
CPC classification number: B08B3/04 , Y10S210/90
Abstract: 提供一种能够获得清洁化的半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的新型并且有效的洗涤方法，是用干式蚀刻法和/或萃取法洗涤氟橡胶类成型制品。采用该方法所得的氟橡胶类成型制品和氟橡胶类密封材料。使用该氟橡胶类成型制品或氟橡胶类密封材料的半导体制造装置。
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