基板处理装置、液膜冻结方法以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN100543931C

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN200710127899.3

    申请日:2007-07-17

    Abstract: 本发明提供一种能够在抑制基板周边构件的耐久性劣化的同时,在整个基板表面生成冻结膜的基板处理装置、液膜冻结方法以及使用该液膜冻结方法的基板处理方法。从冷却气体排放喷嘴向形成了液膜的基板表面局部的排放冷却气体。然后,在旋转基板的同时,使冷却气体排放喷嘴沿着移动轨迹从基板的旋转中心位置向基板的端缘位置摇动。由此,在基板表面的表面区域中,冻结了液膜的区域(冻结区域)从基板表面的中央部向周缘部扩散。因此,冷却气体的供给部位被限定在基板表面上的一部分区域,从而能够在抑制基板周边构件的耐久性劣化的同时,在整个基板表面生成冻结膜。

    基板处理装置、液膜冻结方法以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN101145502A

    公开(公告)日:2008-03-19

    申请号:CN200710127899.3

    申请日:2007-07-17

    Abstract: 本发明提供一种能够在抑制基板周边构件的耐久性劣化的同时,在整个基板表面生成冻结膜的基板处理装置、液膜冻结方法以及使用该液膜冻结方法的基板处理方法。从冷却气体排放喷嘴向形成了液膜的基板表面局部的排放冷却气体。然后,在旋转基板的同时,使冷却气体排放喷嘴沿着移动轨迹从基板的旋转中心位置向基板的端缘位置摇动。由此,在基板表面的表面区域中,冻结了液膜的区域(冻结区域)从基板表面的中央部向周缘部扩散。因此,冷却气体的供给部位被限定在基板表面上的一部分区域,从而能够在抑制基板周边构件的耐久性劣化的同时,在整个基板表面生成冻结膜。

    基板处理方法以及基板处理装置

    公开(公告)号:CN101097837A

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200710106560.5

    申请日:2007-06-06

    Inventor: 宫胜彦 泉昭

    Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置,利用IPA等有机溶剂成分使被液体浸湿的基板表面干燥,在抑制有机溶剂成分的消耗量的同时,使基板表面良好地干燥。在漂洗处理之后,使基板(W)旋转而从基板表面(Wf)甩掉并除去附着于基板表面(Wf)上的漂洗液(DIW)的表层部。接着,向基板表面(Wf)供给由IPA和DIW混合而成的混合液。由于除去基板表面(Wf)上的大部分漂洗液,因此,即使在基板表面(Wf)上形成有微细图案(FP),附着于图案间隙处的液体成分也被混合液置换。还有,向基板表面(Wf)供给的混合液中的IPA浓度为50%以下。因此,能够抑制IPA的消耗量的同时,能够有效地防止图案倒塌。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN101042983A

    公开(公告)日:2007-09-26

    申请号:CN200610171241.8

    申请日:2006-12-21

    Inventor: 宫胜彦

    CPC classification number: H01L21/67028 H01L21/67051 H01L21/67253

    Abstract: 一种基板处理装置及基板处理方法,防止在使被液体浸湿的基板表面干燥时在基板表面所形成图案产生破坏,良好地干燥基板表面。邻近挡块(3)的对置面(31)相对基板表面(Wf)邻近配置,在对置面(31)和基板表面(Wf)所夹持的间隙空间(SP)形成液封层(23)的状态下,邻近构件(3)向移动方向(-X)移动,同时向液封层(23)的上游侧端部(231)供给含有溶解在液体且使表面张力降低的溶剂成分的溶剂气体。进而,在液封层(23)的上游侧界面(231a)或相比该上游侧界面(231a)而在移动方向的下游侧(-X),向基板表面(Wf)供给液体,将附着于基板表面(Wf)的冲洗液(液体)置换为所追加供给的新的液体。

    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN1727081B

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:CN200510078650.9

    申请日:2005-06-21

    Inventor: 宫胜彦

    CPC classification number: C03C23/0075 B08B3/04 H01L21/67051 H01L21/6708

    Abstract: 一种基板处理装置和基板处理方法,在使基板旋转的同时,向基板供给处理液而对基板实施规定处理,能防止处理液向基板中央部的附着,同时使基板周边部的处理宽度均匀而进行处理。与基板(W)上表面对向配置其平面尺寸(D1)是大于或等于基板尺寸(D2)的大小的气体氛围遮断板(9)。在气体氛围遮断板周边部形成可插入喷嘴(6)的、在上下方向上贯通的贯通孔(9e),通过用喷嘴驱动机构(67)驱动喷嘴,能使喷嘴插入到贯通孔中,并定位在与基板上表面周边部(TR)相对向的对向位置(P1)和从气体氛围遮断板(9)离开的退避位置(P2)。从被定位在对向位置(P1)的喷嘴(6)向基板(W)上表面周边部(TR)供给处理液。

    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN100508159C

    公开(公告)日:2009-07-01

    申请号:CN200510076190.6

    申请日:2005-06-08

    Abstract: 一种基板处理装置和基板处理方法,在使基板旋转的同时向基板供给处理液而对基板实施规定处理的基板处理装置中,能有效防止处理液向基板表面再次附着。在旋转底座(5)周边部附近,从旋转底座(5)朝向上方突出设置多个与基板(W)下表面周边部接触的同时支承着基板(W)的支承部(7)。在通过多个支承部(7)而从和基板(W)下表面相对向的旋转底座(5)离开规定间隔的状态下,水平支承着基板(W)。从设置在环境遮断板(9)对向面(9a)上的多个气体喷出口(9b)向在基板(W)上表面和对向面(9a)间形成的空间喷出惰性气体。由此通过向基板上表面侧供给的惰性气体,基板被按压在支承部(7)上并由旋转底座(5)保持。

    基板处理方法以及基板处理装置

    公开(公告)号:CN100501921C

    公开(公告)日:2009-06-17

    申请号:CN200710106560.5

    申请日:2007-06-06

    Inventor: 宫胜彦 泉昭

    Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法以及基板处理装置,利用IPA等有机溶剂成分使被液体浸湿的基板表面干燥,在抑制有机溶剂成分的消耗量的同时,使基板表面良好地干燥。在漂洗处理之后,使基板(W)旋转而从基板表面(Wf)甩掉并除去附着于基板表面(Wf)上的漂洗液(DIW)的表层部。接着,向基板表面(Wf)供给由IPA和DIW混合而成的混合液。由于除去基板表面(Wf)上的大部分漂洗液,因此,即使在基板表面(Wf)上形成有微细图案(FP),附着于图案间隙处的液体成分也被混合液置换。还有,向基板表面(Wf)供给的混合液中的IPA浓度为50%以下。因此,能够抑制IPA的消耗量的同时,能够有效地防止图案倒塌。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN101359584A

    公开(公告)日:2009-02-04

    申请号:CN200810129592.1

    申请日:2008-07-02

    Abstract: 一种使用低表面张力溶剂使处理液润湿的基板表面干燥的基板处理装置及基板处理方法,使用少量低表面张力溶剂能使基板的表面良好干燥。在冲洗处理结束之后,基板转速从600rpm降低至10rpm从而呈浸泡状形成DIW(去离子水)液膜。并且在DIW供给停止后,经过规定时间(0.5秒)等到浸泡状的液膜的膜厚几乎均匀后,以例如100(mL/min)的流量向基板表面的表面中央部喷出IPA(异丙醇)。通过供给IPA,在基板表面中央部形成用IPA置换DIW的置换区域。进一步IPA的供给经过3秒后,基板转速从100rpm加速至300rpm。由此置换区域在基板直径方向上扩大,使整个基板表面置换为低表面张力溶剂。

    基板处理装置以及基板处理方法

    公开(公告)号:CN101236889A

    公开(公告)日:2008-08-06

    申请号:CN200710198993.8

    申请日:2007-12-11

    CPC classification number: H01L21/6875 H01L21/6708 Y10S134/902

    Abstract: 本发明提供基板处理装置及方法,能从喷嘴插入孔排除由基板表面周边部位附着到喷嘴插入孔中的处理液的液滴,避免受到液滴的不良影响而对基板表面周边部位进行良好的处理。开口部(521)中位于相对插入喷嘴插入孔(52)的喷嘴(3)的液喷出方向X侧的部位(531)向液喷出方向X侧扩张。移到喷嘴插入孔(52)的液滴(DL)经扩张部位(531)附到相对喷嘴(3)的液喷出方向X侧的内壁面即倾斜部位(532)。倾斜部位(532)从喷嘴插入孔(52)的中央部向扩张部位(531)倾斜并远离基板(W)的表面中央部位侧;故附着的液滴(DL)沿倾斜部位(532)流向液喷出方向X侧,从喷嘴插入孔(52)的开口部(521)排出。

    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号:CN101154560A

    公开(公告)日:2008-04-02

    申请号:CN200710141042.7

    申请日:2007-08-16

    Inventor: 宫胜彦 泉昭

    CPC classification number: H01L21/67051 H01L21/67028 Y10S134/902

    Abstract: 一种基板处理装置和基板处理方法,使用IPA等低表面张力溶剂使被处理液浸湿的基板干燥,防止在基板表面上产生水斑同时使基板表面良好地干燥。向间隙空间(SP)供给氮气的同时,从设置在遮断构件(9)上的冲洗液喷出口(96a)喷出冲洗液(DIW),而对基板表面(Wf)实施冲洗处理;并且,向间隙空间(SP)供给氮气的同时,从设置在遮断构件(9)上的混合液喷出口(97a)喷出混合液(IPA+DIW),将附着在基板表面(Wf)上的冲洗液置换为混合液。因此,在附着于基板表面(Wf)上的冲洗液被置换为混合液时,能够抑制混合液的溶解氧浓度上升,能够切实地防止在基板表面(Wf)上形成氧化膜或产生水斑。

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