公开(公告)号：CN102858914A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019558.9

申请日：2011-04-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田昌道 ,  植村丰德 ,  福永浩史 ,  松下仁士 ,  寺岛贤二

IPC: C09K11/64 ,  C09K11/59 ,  C09K11/62 ,  C09K11/79 ,  C09K11/80 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种2价铕活化氮化物红色系发光荧光体，其特征在于，是在实质上以通式：(MI1-xEux)MIISiN3(1)(式(1)中，MI是碱土类金属元素，表示选自Mg、Ca、Sr及Ba中的至少1种元素，MII是3价的金属元素，表示选自Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd及Lu中的至少1种元素，x是满足0.001≤x≤0.10的数。)表示的2价铕活化氮化物红色系发光荧光体，其中相对于红色系发光荧光体1质量份含有纯水10质量份的溶液的上清液的电导率为10ms/cm以下。

公开(公告)号：CN101081980A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710106508.X

申请日：2007-06-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田昌道

IPC: C09K11/77 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7721 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明公开了一种含有由每个覆盖有被膜的荧光体颗粒制成的荧光体的波长变换构件、以及具有结合在其内的荧光体和例如LED的半导体发光元件或半导体激光器的发光装置。一种波长变换构件(69)，包括：由荧光体颗粒和被膜制成的荧光体，荧光体颗粒由氧氮化物和/或氮化物制成且具有折射率n1，被膜覆盖每一荧光体颗粒且具有折射率n2；和具有在其中分散的荧光体且具有折射率n3的介质(24)，被膜的折射率n2是n3和n1之间的值，和提供一种波长变换构件(69)组合于其中的发光装置(60)。本发明优选地是，被膜由多层形成且具有在从每一荧光体颗粒的表面至与介质(24)的界面的方向上阶梯式变化的折射率。

公开(公告)号：CN102386320B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201110254113.0

申请日：2011-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田将之 ,  辰巳正毅 ,  曾田义树 ,  玉置和雄 ,  山口真司 ,  原田昌道 ,  伊藤晋 ,  木村公士 ,  稻田顺史

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  G01R31/02

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其检测方法和电子设备。根据本发明的半导体装置具有实现在绝缘衬底上的半导体元件，包括：衬底正面电极，形成在所述绝缘衬底的正面侧上并连接到所述半导体元件的元件电极；衬底背面电极，形成在所述绝缘衬底的背面侧上并电连接到所述衬底正面电极；和多个连接电极，在所述绝缘衬底的厚度方向上从所述绝缘衬底的正面侧和背面侧中的一侧延伸到另一侧，用于电连接所述衬底正面电极和所述衬底背面电极，其中所述衬底正面电极或衬底背面电极形成为具有针对所述多个连接电极中的每个连接电极而分离的平面图案。

公开(公告)号：CN101081980B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200710106508.X

申请日：2007-06-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 原田昌道

IPC: H01L33/00 ,  C09K11/77

CPC classification number: C09K11/7721 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H05B33/14

Abstract: 本发明公开了一种含有由每个覆盖有被膜的荧光体颗粒制成的荧光体的波长变换构件、以及具有结合在其内的荧光体和例如LED的半导体发光元件或半导体激光器的发光装置。一种波长变换构件(69)，包括：由荧光体颗粒和被膜制成的荧光体，荧光体颗粒由氧氮化物和/或氮化物制成且具有折射率n1，被膜覆盖每一荧光体颗粒且具有折射率n2；和具有在其中分散的荧光体且具有折射率n3的介质(24)，被膜的折射率n2是n3和n1之间的值，和提供一种波长变换构件(69)组合于其中的发光装置(60)。本发明优选地是，被膜由多层形成且具有在从每一荧光体颗粒的表面至与介质(24)的界面的方向上阶梯式变化的折射率。

公开(公告)号：CN102386320A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110254113.0

申请日：2011-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田将之 ,  辰巳正毅 ,  曾田义树 ,  玉置和雄 ,  山口真司 ,  原田昌道 ,  伊藤晋 ,  木村公士 ,  稻田顺史

IPC: H01L33/62 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  G01R31/02

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明提供了一种半导体装置及其检测方法和电子设备。根据本发明的半导体装置具有实现在绝缘衬底上的半导体元件，包括：衬底正面电极，形成在所述绝缘衬底的正面侧上并连接到所述半导体元件的元件电极；衬底背面电极，形成在所述绝缘衬底的背面侧上并电连接到所述衬底正面电极；和多个连接电极，在所述绝缘衬底的厚度方向上从所述绝缘衬底的正面侧和背面侧中的一侧延伸到另一侧，用于电连接所述衬底正面电极和所述衬底背面电极，其中所述衬底正面电极或衬底背面电极形成为具有针对所述多个连接电极中的每个连接电极而分离的平面图案。