公开(公告)号：CN101884090A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118934.8

申请日：2008-09-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中川和男 ,  竹井美智子 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  松本晋 ,  多田宪史 ,  高藤裕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 在形成有被转移层(16)的器件基板中注入氢离子或者稀有气体离子后，将器件基板接合到载体目标基板，通过氢离子或者稀有气体离子的注入部劈开剥离器件基板而将被转移层(16)转移到载体基板(30)上的半导体装置的制造方法中，在成为器件基板和载体基板的接合界面的接合面(13)与被转移层(16)之间，设置隔断层(11)，其隔断成为气泡产生原因的物质的扩散。其结果是：可以防止成为气泡产生原因的物质扩散所造成的、在半导体基板和目标基板的接合界面中的气泡的产生。

公开(公告)号：CN101351872B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200680050353.6

申请日：2006-10-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  竹井美智子 ,  富安一秀

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。进行在形成有元件隔离区域的第二区域的至少一部分平坦区域以相等的厚度形成第一平坦化膜的第一平坦化膜形成工序、在第一平坦化膜之间形成具有与第一平坦化膜的表面相接的平坦表面的第二平坦化膜的第二平坦化膜形成工序、通过第一平坦化膜或第二平坦化膜将剥离用物质离子注入到基体层中来形成剥离层的剥离层形成工序、以及沿着剥离层将基体层的一部分分离的分离工序。

公开(公告)号：CN101911247B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880122343.8

申请日：2008-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  富安一秀 ,  高藤裕 ,  多田宪史 ,  竹井美智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/732 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明具有：在基体层形成器件部的器件部形成工序、在基体层形成剥离层的剥离层形成工序、把形成有器件部的基体层粘贴到基板的粘贴工序、以及通过把粘贴到基板的基体层加热沿着剥离层分离去除基体层的深度方向的一部分的分离工序；进一步地，还包括在分离工序之后进行的用来调整元件的P型区域的杂质浓度向基体层离子注入P型杂质元素的离子注入工序。

公开(公告)号：CN101842871B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200880113589.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  史蒂芬·罗伊·德鲁斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76819 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够提高形成在半导体基板上的半导体芯片的表面平坦性，抑制在表面具有绝缘性的基板上移动的半导体芯片的电气特性的偏差，并且改善制造成品率。本发明的半导体装置的制造方法是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，上述制造方法按顺序包括如下工序：在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜，使第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜，由此形成平坦的第一绝缘图案膜的工序；形成第二绝缘膜并研磨上述第二绝缘膜来形成平坦化膜的工序；隔着上述平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质来形成剥离层的工序；将上述半导体芯片从与半导体基板相反的一侧转移到在上述表面具有绝缘性的基板上的工序；以及沿着剥离层分离该半导体芯片的工序。并且，本发明还提供由上述制造方法所制作的半导体装置。

公开(公告)号：CN102714138A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080059547.9

申请日：2010-12-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富安一秀 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  多田宪史 ,  松本晋

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/00 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/7833 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/80896

Abstract: 一种半导体装置(130)，具备：被接合基板(100)；薄膜元件(80)，其形成于被接合基板(100)上；以及半导体元件(90)，其接合到被接合基板(100)上，是在半导体元件主体(50)的被接合基板(100)侧层叠多个基底层(51～54)而形成的，多个基底层(51～54)分别具有绝缘层和层叠于该绝缘层的电路图案，半导体元件(90)的薄膜元件(80)侧的端部以各基底层(51～54)的薄膜元件(80)侧的端部随着朝向被接合基板(100)侧而逐渐地突出的方式设成阶梯状，并且由树脂层(120)包覆，薄膜元件(80)和半导体元件主体(50)通过设于树脂层(120)上的连接配线(121a)而相互连接。

公开(公告)号：CN101884096B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200880119080.5

申请日：2008-11-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 多田宪史 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  中川和男 ,  松本晋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/263 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。

公开(公告)号：CN1674222B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200510062754.0

申请日：2005-03-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  福岛康守 ,  守口正生

IPC: H01L21/00 ,  H01L27/10 ,  H01L29/00 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00

Abstract: 本发明的半导体基板具有：单晶Si基板，具有包含沟道区、源区和漏区的活性层，不具有阱结构和沟道截止区；栅绝缘膜，形成在上述单晶Si基板上；栅电极，形成在上述栅绝缘膜上；LOCOS氧化膜，形成在上述活性层的周围的上述单晶Si基板上，膜厚比上述栅绝缘膜的膜厚厚；以及绝缘膜，形成在上述栅电极和LOCOS氧化膜上。由此，提供一种半导体基板、半导体装置和它们的制造方法，在大型绝缘基板上形成非单晶Si半导体元件和单晶Si半导体元件而制造集成了高性能系统的半导体装置的情况下，能简化单晶Si部分的制造工序，且在转印到大型绝缘基板上后，不用高精度的光刻蚀法就能实现微细的单晶Si半导体元件的元件分离。

公开(公告)号：CN101911247A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880122343.8

申请日：2008-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  富安一秀 ,  高藤裕 ,  多田宪史 ,  竹井美智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/732 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明具有：在基体层形成器件部的器件部形成工序、在基体层形成剥离层的剥离层形成工序、把形成有器件部的基体层粘贴到基板的粘贴工序、以及通过把粘贴到基板的基体层加热沿着剥离层分离去除基体层的深度方向的一部分的分离工序；进一步地，还包括在分离工序之后进行的用来调整元件的P型区域的杂质浓度向基体层离子注入P型杂质元素的离子注入工序。

公开(公告)号：CN101401195A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200680053839.5

申请日：2006-12-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  富安一秀 ,  福岛康守 ,  高藤裕

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的转印方法和半导体装置的制造方法以及半导体装置，利用离子注入的剥离方法，将形成于单结晶硅晶片(5)上的晶体管(70)暂时转印至第一临时支撑基板(30)上，在高温下对该第一临时支撑基板(30)实施热处理，恢复上述转印时在单结晶硅晶片(5)的晶体管沟道中产生的结晶缺陷，然后，将该晶体管(70)制成芯片并转印至TFT基板(80)上。制成芯片的晶体管(70)的转印使用离子注入的剥离方法以外的方法。

公开(公告)号：CN101351872A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680050353.6

申请日：2006-10-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  竹井美智子 ,  富安一秀

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。进行在形成有元件隔离区域的第二区域的至少一部分平坦区域以相等的厚度形成第一平坦化膜的第一平坦化膜形成工序、在第一平坦化膜之间形成具有与第一平坦化膜的表面相接的平坦表面的第二平坦化膜的第二平坦化膜形成工序、通过第一平坦化膜或第二平坦化膜将剥离用物质离子注入到基体层中来形成剥离层的剥离层形成工序、以及沿着剥离层将基体层的一部分分离的分离工序。