公开(公告)号：CN1909259A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610159385.1

申请日：2006-07-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 渡边信幸 ,  井口缘 ,  村上哲朗

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。半导体发光元件具有第一导电型半导体层(3、4)、形成在上述第一导电型半导体层上的发光层(5)、形成在上述发光层上的第二导电型半导体层(8)、设置在上述第二导电型半导体层(8)上并且使来自上述发光层(5)的光透过的透过性衬底(9)。上述透过性衬底(9)的载体浓度低于上述第二导电型半导体层(8)的载体浓度。

公开(公告)号：CN1741294A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510096594.1

申请日：2005-08-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仓桥孝尚 ,  村上哲朗 ,  大山尚一 ,  山本修

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括n型电流扩散层3、n型AlInP覆层4、量子阱有源层5、p型AlInP覆层6、p型AlGaInP中间层7、p型GaInP结合接触层8、和结合到结合接触层8的p型GaP衬底10。p型GaP衬底10在量子阱有源层5的相对侧上具有倾斜的表面10a。量子阱有源层5中产生的且在LED中的反射表面上全反射的光束可以从倾斜的表面10a发射到外部。

公开(公告)号：CN1495926A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03160266.5

申请日：2003-06-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仓桥孝尚 ,  村上哲朗 ,  大山尚一 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/183 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/105

Abstract: 本发明公开了一种谐振腔型发光二极管，包括：由n型AlAs或Al0.5Ga0.5As制成的第一DBR；量子阱有源层；由p型(Al0.2Ga0.8)0.5In0.5P或Al0.5In0.5P制成的第二DBR；以及，位于n型GaAs衬底上的n型电流限制层。第一DBR和第二DBR形成谐振腔。量子阱有源层形成在谐振腔内驻波的波腹位置处。在第二DBR与电流限制层之间，提供有p型GaP蚀刻保护层，其具有通过用厚度除以电阻率而获得的1×103Ω或更高的值。由于电流限制层中形成的电流流动通道的电流几乎不会扩散到电流流动通道的外侧，所以几乎不会生成低电流密度区域而造成量子阱层响应速度的下降。因此，该发光二极管有很好的高速响应。

公开(公告)号：CN1893134B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200610100645.8

申请日：2006-06-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 龟谷英司 ,  井口缘织 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/16 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件通过层叠包括AlGaInP有源层的外延层(30)和透射从有源层产生的光的第二晶片(23)而形成。外延层(30)和第二晶片(23)的晶轴彼此大致对齐，并关于所述第二晶片(23)的横侧面{100}处于-15°到+15°范围。该具有高外部发射效率的连接型半导体发光器件允许以高产量容易地在整个晶片表面上实现均匀的晶片键合，而不引起接合失效和晶片开裂。

公开(公告)号：CN101083295A

公开(公告)日：2007-12-05

申请号：CN200710128255.6

申请日：2007-04-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口缘 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗 ,  智者多永子

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明涉及一种半导体发光元件，其包括：第一导电类型的半导体层；在所述第一导电类型的半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电类型的半导体层；以及在所述第二导电类型的半导体层上的透光性半导体层。透光性半导体层透过来自发光层的光。所述第二导电类型的半导体层与所述透光性半导体层具有不同的载流子浓度，所述第二导电类型的半导体层的载流子浓度大于所述透光性半导体层的载流子浓度。

公开(公告)号：CN1750285A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200510099526.0

申请日：2005-09-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村上哲朗 ,  渡边信幸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/10 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30

Abstract: 一种发光二极管，其具备p型AlGaInP有源层(15)、透明电极用p型GaAs接触层(17)和ITO透明电极(110)。该p型GaAs接触层(17)的载流子浓度设定为是1.0×1019cm－3。

公开(公告)号：CN1630109A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410010488.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大山尚一 ,  村上哲朗 ,  仓桥孝尚 ,  山本修 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明公开一种具有半导体压层的半导体发光元件，该压层包括有源层以及阶梯，其中，该有源层发射出预定发射波长的光，该阶梯位于超过该有源层的深度位置处。该元件还具有相对发射波长透明的衬底，位于该半导体压层的一个表面上的第一电极，以及位于该阶梯上的第二电极。相对发射波长透明的衬底提高了外发射效率。该第一和第二电极的位置基本阻止了电流流过半导体压层和衬底之间的直接连接介面。即使在该直接连接介面中由于小丘等而产生不完全连接的情况下，该元件也展现了良好的电特性。

公开(公告)号：CN1497746A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN200310101530.7

申请日：2003-10-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仓桥孝尚 ,  中津弘志 ,  村上哲朗 ,  大山尚一

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 由单层或多层半导体层组成的发光层4在未掺杂型、弱p型，或者n型第一半导体衬底上进行层叠。由单层或多层组成的n型半导体层5－7在该发光层4上进行层叠。对于发光层4所发射光的波长透明的第二半导体层8在n型半导体层7的表面形成。然后，第一半导体衬底被去除。对于发光层所发射光的波长透明的透明电极层9在通过去除第一半导体衬底所暴露的平面上形成。

公开(公告)号：CN100377377C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200510118739.3

申请日：2005-10-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 井口缘织 ,  梅田浩 ,  仓桥孝尚 ,  渡边信幸 ,  村上哲朗

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种半导体发光元件的制造方法，在具有发光层(7)的第一芯片(22)的表面配置对来自发光层(7)的光透明的作为GaP衬底的第二芯片(23)。在夹紧面压5～500kg/cm2的范围内，经由具有应力缓和率1.5～3.0%的缓冲膜(24)对第一及第二芯片(22、23)的接触面作用压缩力，同时，在加热炉中进行加热。可不产生接合不良，而在整个面上接合第一及第二芯片(22、23)。

公开(公告)号：CN1259735C

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200310123390.3

申请日：2003-12-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村上哲朗 ,  中津弘志 ,  仓桥孝尚 ,  大山尚一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/30

Abstract: 具有至少AlGaInP发光层和透明电极的一种发光二极管，其中该透明电极由第III簇元素或其化合物掺杂的ZnO薄膜制成。