公开(公告)号：CN1630109A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410010488.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大山尚一 ,  村上哲朗 ,  仓桥孝尚 ,  山本修 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明公开一种具有半导体压层的半导体发光元件，该压层包括有源层以及阶梯，其中，该有源层发射出预定发射波长的光，该阶梯位于超过该有源层的深度位置处。该元件还具有相对发射波长透明的衬底，位于该半导体压层的一个表面上的第一电极，以及位于该阶梯上的第二电极。相对发射波长透明的衬底提高了外发射效率。该第一和第二电极的位置基本阻止了电流流过半导体压层和衬底之间的直接连接介面。即使在该直接连接介面中由于小丘等而产生不完全连接的情况下，该元件也展现了良好的电特性。

公开(公告)号：CN100474643C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200510096594.1

申请日：2005-08-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仓桥孝尚 ,  村上哲朗 ,  大山尚一 ,  山本修

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括n型电流扩散层3、n型AlInP覆层4、量子阱有源层5、p型AlInP覆层6、p型AlGaInP中间层7、p型GaInP结合接触层8、和结合到结合接触层8的p型GaP衬底10。p型GaP衬底10在量子阱有源层5的相对侧上具有倾斜的表面10a。量子阱有源层5中产生的且在LED中的反射表面上全反射的光束可以从倾斜的表面10a发射到外部。

公开(公告)号：CN100399587C

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200410010488.2

申请日：2004-10-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大山尚一 ,  村上哲朗 ,  仓桥孝尚 ,  山本修 ,  中津弘志

IPC: H01L33/00 ,  H01L27/15 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明公开一种具有半导体压层的半导体发光元件，该压层包括有源层以及阶梯，其中，该有源层发射出预定发射波长的光，该阶梯位于超过该有源层的深度位置处。该元件还具有相对发射波长透明的衬底，位于该半导体压层的一个表面上的第一电极，以及位于该阶梯上的第二电极。相对发射波长透明的衬底提高了外发射效率。该第一和第二电极的位置基本阻止了电流流过半导体压层和衬底之间的直接连接介面。半导体压层的阶梯和直接连接介面之间的厚度不小于1μm且不大于4μm。即使在该直接连接介面中由于小丘等而产生不完全连接的情况下，该元件也展现了良好的电特性。

公开(公告)号：CN1741294A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510096594.1

申请日：2005-08-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 仓桥孝尚 ,  村上哲朗 ,  大山尚一 ,  山本修

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明公开了一种半导体发光器件和制造半导体发光器件的方法。该半导体发光器件包括n型电流扩散层3、n型AlInP覆层4、量子阱有源层5、p型AlInP覆层6、p型AlGaInP中间层7、p型GaInP结合接触层8、和结合到结合接触层8的p型GaP衬底10。p型GaP衬底10在量子阱有源层5的相对侧上具有倾斜的表面10a。量子阱有源层5中产生的且在LED中的反射表面上全反射的光束可以从倾斜的表面10a发射到外部。