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公开(公告)号：CN112106444A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201880093369.8
申请日：2018-05-23
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 有机EL显示装置包括设置在平坦化膜(19a)上的有机EL元件(30)以及设置为覆盖有机EL元件(30)的密封膜(28)，显示区域(D)与边框区域(F)被规定，所述边框区域(F)被规定在显示区域(D)的周围，在边框区域(F)设置有多个掩膜间隔物(37)，在显示区域(D)与显示区域(D)侧的掩膜间隔物(37)之间，在平坦化膜(19a)形成有凹部(S)，有机膜(26)填充在凹部(S)。
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公开(公告)号：CN111788327A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880090172.9
申请日：2018-02-27
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明的成膜用掩模(50a)，包括：设置为框状的掩模主体(41)、设置为从掩模主体(41)向框内突出的突出部(42a)，并且与被成膜基板相对地配置，所述成膜用掩模(50a)的特征在于，在突出部(42a)的表面上，设置有凹部(R)，上述凹部以不到达突出部(42a)的框内侧的端部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113597817B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201980094523.8
申请日：2019-03-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/28
Abstract: 显示装置(1)的下层绝缘膜(51)包含第一下层绝缘膜(51A)和对墨水材料比第一下层绝缘膜(51A)更具有亲液性的第二下层绝缘膜(51B)，第一下层绝缘膜(51A)在第一堤栏(41)与第二堤栏出的第一下层绝缘膜(51A)的端部(E3)设在比第二堤栏(43)更靠显示区域(DA)的相反侧，第二下层绝缘膜(51B)的端部(E2)配置在第一堤栏(41)与第二堤栏(43)之间。(43)之间从第二下层绝缘膜(51B)露出，并且露
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公开(公告)号：CN113597817A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201980094523.8
申请日：2019-03-28
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 显示装置(1)的下层绝缘膜(51)包含第一下层绝缘膜(51A)和对墨水材料比第一下层绝缘膜(51A)更具有亲液性的第二下层绝缘膜(51B)，第一下层绝缘膜(51A)在第一堤栏(41)与第二堤栏(43)之间从第二下层绝缘膜(51B)露出，并且露出的第一下层绝缘膜(51A)的端部(E3)设在比第二堤栏(43)更靠显示区域(DA)的相反侧，第二下层绝缘膜(51B)的端部(E2)配置在第一堤栏(41)与第二堤栏(43)之间。
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公开(公告)号：CN111972043A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201880091661.6
申请日：2018-03-29
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 具备设置在树脂基板层(7)上的显示用配线(15)、覆盖显示用配线的平坦化膜(16)和设置在平坦化膜上的有机EL元件(9)，显示用配线具有从树脂基板层侧依次层叠后的第一～第三导电层(47、48、49)，显示用配线的第二导电层相比第一和第三导电层以更窄的宽度被形成，周端面中与第二导电层对应的部分具有凹部(50)，并且包含周端面从平坦化膜露出，显示用配线中从平坦化膜露出的部分的凹部(50)上设置有覆盖第二导电层的周端面的树脂覆盖件(51)。
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公开(公告)号：CN102893315B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201180022972.5
申请日：2011-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/1345 , H01L27/12 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , H01L27/1214 , H01L27/1225 , H01L27/1244
Abstract: 一种有源矩阵基板(20a)，包括：呈矩阵状设置的多个像素电极(18a)；和多个TFT(5)，该多个TFT(5)与各像素电极(18a)分别连接且包括设置于绝缘基板(10a)的栅极电极(11a)、以覆盖栅极电极(11a)的方式设置的栅极绝缘膜(12a)、在栅极绝缘膜(12a)上以与栅极电极(11a)重叠的方式设置有沟道区域(C)的半导体层(16a)、和在栅极绝缘膜(12a)上以隔着半导体层(16a)的沟道区域(C)彼此分离的方式利用铜或铜合金设置的源极电极(15aa)和漏极电极(15b)，半导体层(16a)利用氧化物半导体以覆盖源极电极(15aa)和漏极电极(15b)的方式设置。
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公开(公告)号：CN102906804A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180024993.0
申请日：2011-02-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/127 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1262
Abstract: 各TFT（5a）包括：设置在基板（10）的栅极电极（11a）；以覆盖栅极电极（11a）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；在栅极绝缘膜（12）上以与栅极电极（11a）重叠的方式设置有沟道区域（C）的、包括氧化物半导体的半导体层（13a）；和在半导体层（13a）上以隔着沟道区域（C）相互分离的方式设置的源极电极（15aa）和漏极电极（15b），各辅助电容（6a）包括：与栅极电极（11a）在相同层利用相同材料设置的电容线（11b）；以覆盖电容线（11b）的方式设置的栅极绝缘膜（12）；以在栅极绝缘膜（12）上与电容线（11b）重叠的方式使用氧化物半导体设置的电容中间层（13c）；和在电容中间层（13c）上设置的电容电极（15b），电容中间层（13c）具有导电性。
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