公开(公告)号：CN115579300B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211478794.3

申请日：2022-11-24

Applicant: 河北北芯半导体科技有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 冉红雷 ,  吴鲁超 ,  王珺 ,  张魁 ,  黄杰 ,  彭浩

IPC: H01L21/56

Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种倒装芯片封装堆叠方法，该方法包括：将填充模板放置于基板上，填充模板上设置有预设图案的通孔；将填充材料填充至填充模板的通孔中，当填充材料成型后，取下填充模板；将带有焊球的芯片放置到成型好填充材料的基板上，使焊球中的至少部分焊球被填充材料包覆；将芯片与基板通过焊球连接并固化填充材料，且被包覆填充材料的焊球之间具有空气间隔。本申请有利于实现在提高半导体封装结构的可靠性的同时，提高半导体封装结构的高频信号的电气性能。

公开(公告)号：CN115579300A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202211478794.3

申请日：2022-11-24

Applicant: 河北北芯半导体科技有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 冉红雷 ,  吴鲁超 ,  王珺 ,  张魁 ,  黄杰 ,  彭浩

IPC: H01L21/56

Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种倒装芯片封装堆叠方法，该方法包括：将填充模板放置于基板上，填充模板上设置有预设图案的通孔；将填充材料填充至填充模板的通孔中，当填充材料成型后，取下填充模板；将带有焊球的芯片放置到成型好填充材料的基板上，使焊球中的至少部分焊球被填充材料包覆；将芯片与基板通过焊球连接并固化填充材料，且被包覆填充材料的焊球之间具有空气间隔。本申请有利于实现在提高半导体封装结构的可靠性的同时，提高半导体封装结构的高频信号的电气性能。

公开(公告)号：CN103472265A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310392943.9

申请日：2013-09-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张兆强 ,  庞钧文 ,  王珺

IPC: G01Q30/20

Abstract: 本发明涉及微电子领域，公开了一种观测TSV铜晶粒的方法。本发明中，采用离子束对待观测的电镀铜进行抛光处理；采用离子束对抛光完成的电镀铜表面进行离子刻蚀；观察电镀铜剖面，最终得到电镀铜晶粒大小和形貌。使得待观测的TSV电镀铜在抛光过程中不会被损伤及沾污，也提高了待观测的TSV电镀铜腐蚀过程中的腐蚀效果及观察效果，同时降低了观测设备的成本，提高观测结果的分辨率。

公开(公告)号：CN103439248A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201310261083.5

申请日：2013-06-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王珺 ,  翟歆铎 ,  张兆强 ,  肖斐

IPC: G01N19/00 ,  G01L1/00

Abstract: 本发明涉及微电子领域，公开了一种测量TSV铜柱中残余应力的方法。本发明中，在待测的TSV铜柱表面确定一个测试原点；在所述测试原点的三个方向上，分别制备相同的一组微标记，三组微标记与所述测试原点的位置关系相同；在所述测试原点处打微孔；检测所述打微孔前后，三组所述微标记的位置变化；根据所述三组微标记的位置变化，结合弹性力学，计算得到所述测试原点处的残余应力。使得TSV铜柱中残余应力的测试无需应变片，也无需测定样品TSV铜柱的粗糙度，降低了测试要求，同时也保证了测量的残余应力的高精度。

公开(公告)号：CN102183548B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201110063368.9

申请日：2011-03-16

Applicant: 复旦大学

Inventor： 洪荣华 ,  王珺

IPC: G01N27/00

Abstract: 本发明属于半导体封装和通信技术领域，具体基于菊花链菊花链回路设计的定位失效凸点的方法。本发明主要针对圆片级封装等小间距凸点的封装类型，提出一种菊花链的设计及测试策略，包括如下步骤：在N×N凸点阵列中引入α、β、γ三种菊花链回路单元，并分别引出测试点；动态监控各个菊花链单元内部的电阻值的变化，以菊花链的不同回路形成的阻值判据来定位失效凸点；定位算法基于α、β、γ三种单元的判定算法；在器件可靠性测试过程中实时输出失效凸点的位置和失效时刻。本发明提高了凸点可靠性测试的智能化和精确定位能力，提升了测试分析效率；可获得丰富的测试信息，有效地降低了成本。

公开(公告)号：CN102156069B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201110078605.9

申请日：2011-03-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘宇 ,  王珺

IPC: G01N3/04

Abstract: 本发明属于材料检测技术领域，具体为一种双相材料界面混合断裂测试用夹具。该夹具分为上下对称的两部分，各部分分别由拉杆、半圆形板和样品台构成，样品台通过螺栓与半圆形板连接；半圆形板通过插销和与拉杆连接；半圆形板的边缘处对称地开有若干圆孔；上、下拉杆分别与拉力机的上、下施力系统连接固定。本发明的夹具与万能力学拉力试验机配套使用，将有预裂纹的样品固定到夹具上，转动夹具，对样品施加不同角度的拉力；通过力—位移曲线，计算界面裂纹的临界断裂强度。本发明可方便地测定不同拉伸加载角度下，I、II型混合断裂模式的情况，也适用于测定双相材料界面I型断裂的情况。

公开(公告)号：CN115513147A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202211478793.9

申请日：2022-11-24

Applicant: 河北北芯半导体科技有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 冉红雷 ,  吴鲁超 ,  王珺 ,  张魁 ,  黄杰 ,  席善斌

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种部分填充底填料的倒装芯片封装结构，该结构包括：层叠的基板和芯片；多个焊球，呈阵列分布在基板和芯片之间，通过焊球使得芯片与基板电连接，且多个焊球中的至少部分焊球被填充材料包覆，且被包覆填充材料的焊球之间具有间隔。本申请有利于实现在提高半导体封装结构的可靠性的同时，提高半导体封装结构的高频信号的电气性能。

公开(公告)号：CN112986320A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202110177763.3

申请日：2021-02-07

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王珺 ,  赵之皓

IPC: G01N25/16

Abstract: 本发明属于微电子封装技术领域，具体涉及了一种薄膜热膨胀系数的测定方法。本发明采用薄膜制备工艺或者纳米压痕仪划痕的方式，在待测均匀薄膜表面做出台阶状的结构；提供参比薄膜，用原子力显微镜或纳米压痕仪平面扫描的模式检测不同温度下薄膜厚度的变化，通过已知参比薄膜的热膨胀系数修正设备在不同温度下膨胀数值，通过曲线拟合获得修正公式；对待测薄膜在不同温度下用原子力显微镜或纳米压痕仪的平面扫描模式，检测薄膜厚度的变化，利用公式并带入设备的修正系数，计算待测薄膜的热膨胀系数，特别适用于无法从基底剥离的、超薄的薄膜材料热膨胀系数的测定。

公开(公告)号：CN103185650B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201110458129.3

申请日：2011-12-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王珺 ,  庞钧文

IPC: G01L1/25

Abstract: 本发明提供一种检测电子封装器件内部应力的方法，在封装再布线层(RDL)工艺中制备规则形状的孔洞结构，然后通过X射线(X‑Ray)检测封装器件内部规则形状孔洞结构的变形，进而分析得到内部应力。该方法属于无损检测，与封装工艺兼容，成本低，速度快，对封装器件功能无损害，且检测精度高，可被广泛适用。

公开(公告)号：CN103185650A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110458129.3

申请日：2011-12-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王珺 ,  庞钧文

IPC: G01L1/25

Abstract: 本发明提供一种检测电子封装器件内部应力的方法，在封装再布线层(RDL)工艺中制备规则形状的孔洞结构，然后通过X射线(X-Ray)检测封装器件内部规则形状孔洞结构的变形，进而分析得到内部应力。该方法属于无损检测，与封装工艺兼容，成本低，速度快，对封装器件功能无损害，且检测精度高，可被广泛适用。