公开(公告)号：CN102030308B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201010521402.8

申请日：2010-10-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈臻魁 ,  陈国平 ,  刘冉

IPC: H01L21/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体为一种基于铁电材料电畴的极化组装微小颗粒有序阵列的方法。本发明通过选择性的极化铁电薄膜的电畴而形成表面电荷的阵列图形，通过它与有极性的微小颗粒相互作用，实现微小颗粒有选择性的组装沉淀到铁电薄膜表面，从而形成微小颗粒的相应的阵列分布。采用本发明的微小颗粒组装技术，工艺简便，成本低，具有极大的应用价值。

公开(公告)号：CN102030308A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010521402.8

申请日：2010-10-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈臻魁 ,  陈国平 ,  刘冉

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体为一种基于铁电材料电畴的极化组装微小颗粒有序阵列的方法。本发明通过选择性的极化铁电薄膜的电畴而形成表面电荷的阵列图形，通过它与有极性的微小颗粒相互作用，实现微小颗粒有选择性的组装沉淀到铁电薄膜表面，从而形成微小颗粒的相应的阵列分布。采用本发明的微小颗粒组装技术，工艺简便，成本低，具有极大的应用价值。

公开(公告)号：CN101975794A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010276530.0

申请日：2010-09-09

Applicant: 复旦大学

Inventor： 宗兆翔 ,  刘冉 ,  仇志军 ,  沈臻魁

IPC: G01N25/20

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种适用于金属性薄膜材料的3omega热导测量方法。该方法基于改进的解析模型，利用3omega测试结构与频率相关的热学响应特性，通过实验拟合手段得到与一组频率相关的热流比值。从该值推导出实验材料的热阻，并最终得到被测样品的热导值。利用本发明的热导测量方法，可以提供快速准确的金属薄膜热导信息，大大扩展了3omega电学测量技术的适用范围。本发明适用于纳米量级薄膜的测量，样品结构简单，避免原有电学测试方法中的复杂工艺结构，因此可作为金属薄膜材料热学参量的快速表征手段，在微电子工业领域中有其应用前景。

公开(公告)号：CN101905864A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010252919.1

申请日：2010-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 沈臻魁 ,  宗兆翔 ,  刘冉

IPC: B82B3/00

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种低介电常数介质薄膜的纳米压印金属图形转移的方法。本发明利用带有金属图形的模具纳米压印低介电常数介质薄膜，实现金属图形从模具到低介电常数介质薄膜的转移，从而达到在集成电路互连制造工艺中应用。相比于传统光刻、刻蚀和淀积技术实现金属互连而言，本发明简化了互连制造工艺步骤，大大地降低了生产成本。

公开(公告)号：CN101891468A

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：CN200910051878.7

申请日：2009-05-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈志辉 ,  沈臻魁 ,  万海军 ,  江安全

IPC: C04B35/472 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明属微电子技术领域，涉及一种铁电溶液及其薄膜电容制备的方法。本发明在制备先体溶液时，加入一定过量的铅原料，并配合一定的工艺流程，通过过量的铅抵消在制备铁电薄膜时的铅挥发，从而提高铁电薄膜的电学性能。所述前驱液由Pb、Zr、Ti的水解物的聚集物生成Pb1+xZryTi1-yO3(PZT)溶液，通过旋涂淀积在衬底上，后通过干化、热解、高温退火生成钙钛矿晶体结构的铁电薄膜，并在此基础上制作成铁电电容。本方法能克服现有技术中PZT铁电薄膜在高温结晶时发生铅挥发，导致铁电薄膜电学性能下降，使铁电电容的存储性能下降的缺陷，能明显提高铁电存储器(FERAM)的存储特性。