公开(公告)号：CN103928305A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410157129.3

申请日：2014-04-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  杨松波 ,  沈于兰

IPC: H01L21/205 ,  C01B31/04

CPC classification number: H01L21/02414 ,  C01B32/186 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体为一种通过控制衬底上的石墨烯成核位点生长石墨烯的方法。本发明是在一块铜或二氧化硅衬底上，通过控制衬底上石墨烯成核位点来生长各种形状的连续的石墨烯，其中利用一块设计好形状的掩模板，用物理气相沉积的方法在衬底上淀积上很小点状的铜作为石墨烯成核位点，通过控制成核位点让石墨烯生长成特定形状的连续的石墨烯。该方法简单方便可靠，可以作为低压化学气相沉积生长石墨烯的一种基本方法。

公开(公告)号：CN103915327A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410078022.X

申请日：2014-03-05

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  沈彦 ,  魏红强 ,  沈于兰 ,  杨松波

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02304

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用岛状石墨烯片在石墨烯上生长高K介质的方法。本发明在一块面积大的单层石墨烯上生长许许多多小圆斑的岛状石墨烯单层，利用两石墨烯台阶处存在着悬挂键，作为成核位点，采用原子层沉积方法在石墨烯上淀积高K介质。由于存在很多的岛状石墨烯片，能提供足够的成核位点，可以形成连续的高K介质薄膜。该方法简单方便可靠，对石墨烯造成影响小，可以作为在石墨烯上形成高K介质一种基本方法。

公开(公告)号：CN103915319A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201410157128.9

申请日：2014-04-19

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  杨松波 ,  沈于兰

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0242 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0405

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种转移CVD石墨烯制备石墨烯器件的方法。在一块衬底上（如二氧化硅衬底），利用一块设计好形状的掩模板，采用物理气相沉积的方法在衬底上淀积一层薄铜，之后再在衬底上淀积制备器件所需的金属电极金；利用低压化学气相沉积的方法在电极之间生长石墨烯，不需旋涂PMMA，直接刻蚀铜，去除完铜后进行清洗，即可制备得石墨烯器件。本发明方法简单方便可靠，不需旋涂PMMA，减少对石墨烯的玷污和损伤，改善石墨烯器件电极接触电阻。该方法是转移的CVD石墨烯制备石墨烯器件的一种基本方法。

公开(公告)号：CN102709177A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210195407.5

申请日：2012-06-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周鹏 ,  沈于兰 ,  孙清清 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/316

Abstract: 本发明属于碳基集成电路制造技术领域，具体涉及一种利用罗丹明作为缓冲层的石墨烯上高k介质原子层沉积方法。本发明方法在石墨烯表面覆盖罗丹明缓冲层，通过原子层沉积实现高k介质在石墨烯表面的均匀淀积。利用罗丹明缓冲层是一种新颖的在石墨烯表面生长高k介质的方法，它可以直接应用在纳米尺度的平面器件制备当中。另外，该方法也可以作为石墨烯基电子器件的基本加工工艺。