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公开(公告)号：CN103123805A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110372169.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , H01L27/108
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构及其操作方法。本发明包括写入管、读取管、存储部件、写字线、写位线、读字线、和读位线；所述的写入管的源端连接读取管的栅极，写入管有编程的作用；读取管的栅极介质为存储部件；该栅极介质有绝缘、高阻、低阻三种不同状态，其中高阻、低阻之间转变可逆，读取时在读入管栅极、读字线施加一定电压，可根据读位线的电压变化或电流值大小判断“0”和“1”。本发明工艺简便、成本低廉、效果优越、低功耗、高性能，与32nm High k CMOS逻辑工艺前端兼容。
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公开(公告)号：CN102789812A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110127403.9
申请日：2011-05-17
Applicant: 复旦大学
Abstract: 基于阻变栅介质的NOR型存储器包括：晶体管，包括源极、漏极和控制栅极；存储节点，即所述晶体管控制栅极的栅介质，位于晶体管控制栅极和硅衬底之间，存储电阻变化；字线，连接到所述晶体管的控制栅极；位线，连接到所述晶体管的漏极；源线，连接到所述晶体管的源极。栅极使用具有阻变特性材料，具有绝缘、高阻、低阻三种不同状态，其中高阻、低阻之间转变可逆，读取时在字线、源线、位线之间施加一定电压，可根据不同大小的电流判断“0”和“1”。还提供一种基于阻变栅介质的NOR型存储单元阵列及其操作方法。
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公开(公告)号：CN119526493A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411757345.1
申请日：2024-12-03
Applicant: 复旦大学附属中山医院厦门医院
Abstract: 本发明提供一种全自动病理组织切片装置。所述全自动病理组织切片装置包括底座，所述底座的顶部设有往复运动锁止机构，所述往复运动锁止机构上设有水平推进机构，所述往复运动锁止机构上设有石蜡病理组织块固定机构，所述石蜡病理组织块固定机构的一侧设有安装在所述底座顶部的切刀机构；所述石蜡病理组织块固定机构用于对石蜡病理组织块进行固定；所述往复运动锁止机构用于对病理组织进行纵向往复运动，同时配合切刀机构对病理组织进行切片。本发明提供的全自动病理组织切片装置具有使用高效、省时省力、节约人力成本、能够自主可控进行石蜡病理组织切片、及时清除碎屑交叉污染的优点。
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公开(公告)号：CN103123807A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110372157.3
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种动态随机存储器的高速读操作方法，该方法采用逻辑工艺的DRAM存储单元为2T增益单元结构，其包括写入管Qw，读出管Qr，写入管的有源区电容和读出管的栅电容，构成单元的存储电容。该方法中还包括：采用在灵敏放大器开启之前启动读列选通管的读电路及操作，其中，读串联驱动电路RDG由读出位线驱动管M1-M2和读列选通管M3-M4构成，M3-M4漏端接读出数据线对RDB/BRDB，M1-M2源端和SA地端GND在版图上共享。本发明能解决传统的1T1C的动态随机存储器单元因制作电容采用非逻辑工艺的缺点使得DRAM在嵌入式设备中的应用产生困难等技术问题。
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公开(公告)号：CN103123804A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110372160.5
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列结构，及其操作方法。本发明包括：晶体管，包括源极、漏极和控制栅极；存储节点，即所述晶体管控制栅极的栅介质，位于晶体管控制栅极和硅衬底之间，存储电阻变化；字线，连接到所述晶体管的控制栅极；位线连接到所述晶体管的漏极；源线连接到所述晶体管的源极；其中，读管201起到选通、限流的作用，202为编程部件，203为位线，204为201的字线，205为编程字线。栅极具有高阻、低阻不同状态，之间转变可逆，在位线和字线间施加一定电压，会有不同大小的电流。本发明解决了传统的1T1C DRAM单元的困难以及与标准CMOS工艺兼容性较差的问题，可以与标准逻辑的CMOS HfOx high k metal gate技术兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102867539A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110188441.5
申请日：2011-07-05
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/4063
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，提出了一种改善增益型eDRAM器件结构。本发明的一种增益eDRAM单元，包括读MOS晶体管、写MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线，读MOS管的栅极和写MOS管的漏区通过金属线连接共同构成存储结点，写MOS管、读MOS管分别具有栅极介质，其特征在于，所述的写MOS管、读MOS管具有沟槽沟道，写MOS管、读MOS管的栅极介质位于硅衬底沟槽中，栅极为向下凸起的凸面圆柱状。本发明可以明显改善器件的数据保持特性。
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公开(公告)号：CN116223805A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310080761.1
申请日：2023-01-17
Applicant: 复旦大学附属肿瘤医院
IPC: G01N33/574 , C07K16/30 , A61P35/00 , A61K39/395 , G01N27/62
Abstract: 本发明提供了检测BRCA2‑Thr10位点磷酸化的试剂和/或装置在制备肿瘤诊断、肿瘤预后评估、放化疗敏感性评估试剂中的用途，提供了抑制BRCA2‑Thr10位点磷酸化试剂在制备预防和/或治疗肿瘤药物中的用途，提供了促进BRCA2‑Thr10位点磷酸化试剂在制备提高肿瘤放、化疗敏感性的试剂中的用途，提供了BRCA2‑Thr10位点突变试剂在制备预防和/或治疗肿瘤药物中的用途。本发明进一步提供了BRCA2‑Thr10位点磷酸化抗体在制备BRCA2‑Thr10位点磷酸化状态检测、作用机理研究试剂中的用途，在制备诊断、预防或治疗肿瘤的药物中的应用。
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公开(公告)号：CN105842604B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201510014939.8
申请日：2015-01-13
Applicant: 复旦大学
IPC: G01R31/28 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种集成电路后端工艺(BEOL)波动检测电路以及检测方法，属于集成电路的工艺波动的检测表征技术领域。所述BEOL波动检测电路，包括：包括环形振荡器以及流控MOS管的压控振荡器；包括多个测试单元测试单元阵列；第一开关单元，其设置于测试单元测试单元的等效负载电阻R与流控MOS管的栅端之间；以及第二开关单元，其设置于测试单元测试单元的等效负载电容C与压控振荡器的输出端之间。该BEOL波动检测电路可以分别独立地检测BEOL的电阻波动和电容波动，易于区分地检测随机波动和系统波动，BEOL波动检测和表征更加有效准确。
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公开(公告)号：CN103123805B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110372169.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , H01L27/108
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的2T动态存储单元和阵列结构及其操作方法。本发明包括写入管、读取管、存储部件、写字线、写位线、读字线、和读位线；所述的写入管的源端连接读取管的栅极，写入管有编程的作用，读取管的栅极介质为存储部件；该栅极介质有绝缘、高阻、低阻三种不同状态，其中高阻、低阻之间转变可逆，读取时在读入管栅极、读字线施加一定电压，可根据读位线的电压变化或电流值大小判断“0”和“1”。本发明工艺简便、成本低廉、效果优越、低功耗、高性能，与32nm High k CMOS逻辑工艺前端兼容。
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公开(公告)号：CN103123804B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201110372160.5
申请日：2011-11-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , H01L27/108
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，涉及一种基于阻变栅介质的1.5T动态存储单元、阵列结构，及其操作方法。本发明包括：晶体管，包括源极、漏极和控制栅极；存储节点，即所述晶体管控制栅极的栅介质，位于晶体管控制栅极和硅衬底之间，存储电阻变化；字线，连接到所述晶体管的控制栅极；位线连接到所述晶体管的漏极；源线连接到所述晶体管的源极；其中，读管201起到选通、限流的作用，202为编程部件，203为位线，204为201的字线，205为编程字线。栅极具有高阻、低阻不同状态，之间转变可逆，在位线和字线间施加一定电压，会有不同大小的电流。本发明解决了传统的1T1C DRAM单元的困难以及与标准CMOS工艺兼容性较差的问题，可以与标准逻辑的CMOS HfOx high k metal gate技术兼容。
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