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公开(公告)号：CN102332877B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110206385.3
申请日：2011-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器。它由匹配级、放大级、反馈级和负载级组成第一级放大器；由有源片上Balun构成第二级放大器。其中，匹配级使用键合线电感、寄生电容、栅极电感与电路输入阻抗组成匹配网络；放大级使用共源级NMOS管与PMOS管作为输入端，共栅级NMOS管作为电流跟随器；输入NMOS管栅极与电流跟随器NMOS管漏极之间的NMOS管与电阻构成“电压-电流”型负反馈通路；第三级放大器的有源Balun分别使用共源和源跟随器来实现Balun的单转双功能。本发明结构简单，占用芯片面积小，功耗低，带宽覆盖范围大，增加电路可实用性。该低噪声放大器可以应用于0.5～10.6GHz的多模接收机前端中。
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公开(公告)号：CN102332915A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110208807.0
申请日：2011-07-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H03L7/183
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体涉及一种具有宽锁定范围的次谐波注入锁定压控振荡器。该压控振荡器包括：片上电感电容谐振器、由2个NMOS管交叉耦合连接而成的负阻产生器、用来对振荡频率进行粗调谐的数字控制电容阵列、用来对振荡频率进行细调谐的具有线性化特性的可变电容阵列、注入对管、脉冲产生电路。通过将两级脉冲产生电路进行级联，最终在一个参考时钟周期内得到四个脉宽等于的输出信号半个周期的窄脉冲，称这种方法为四沿注入。相对于传统的双沿注入方式，本发明可以有效的增加注入信号目标谐波的幅度，增大压控振荡器的锁定范围，可应用于无线接收机频率综合器中。
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公开(公告)号：CN102332877A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201110206385.3
申请日：2011-07-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器。它由匹配级、放大级、反馈级和负载级组成第一级放大器；由有源片上Balun构成第二级放大器。其中，匹配级使用键合线电感、寄生电容、栅极电感与电路输入阻抗组成匹配网络；放大级使用共源级NMOS管与PMOS管作为输入端，共栅级NMOS管作为电流跟随器；输入NMOS管栅极与电流跟随器NMOS管漏极之间的NMOS管与电阻构成“电压-电流”型负反馈通路；第三级放大器的有源Balun分别使用共源和源跟随器来实现Balun的单转双功能。本发明结构简单，占用芯片面积小，功耗低，带宽覆盖范围大，增加电路可实用性。该低噪声放大器可以应用于0.5~10.6GHz的多模接收机前端中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101895265A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010260960.3
申请日：2010-08-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种全差分CMOS多模低噪声放大器。该低噪声放大器可以应用于0.5~10.6GHz的多模接收机前端中。它由匹配级，放大级、反馈级和负载级组成。其中匹配级使用反馈电感调谐宽带输入阻抗；放大级使用电流复用的共源级NMOS管与PMOS管作为输入端，与它们漏端输出相连接的共栅级NMOS管作为电流跟随器；输入NMOS管栅极与电流跟随器NMOS管漏极之间的NMOS管与电阻构成“电压-电流”型负反馈通路；负载级使用电阻负载。本发明结构简单，占用芯片面积小，功耗低，带宽覆盖范围大。
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公开(公告)号：CN102386874A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110206383.4
申请日：2011-07-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H03H7/38
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种应用于宽带多模式接收机中的宽带可重构负载网络。它由电感，电压控制电阻阵列（DCRA）以及电压控制电容阵列（DCCA）组成。电压控制电容阵列与电感并联构成LC并联谐振网络，该谐振网络顺次与电压控制电阻阵列串联，构成RLC负载网络；通过电压控制电容阵列开关，调整谐振频率；通过电压控制电阻阵列的开关，调整不同频段下的增益。本发明结构简单，实现负载网络阻抗在不同频段的可重构。
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公开(公告)号：CN101807883A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010141720.1
申请日：2010-04-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体为一种单端输入差分输出的单转双CMOS低噪声放大器(LNA)，该低噪声放大器可以应用3.1～4.8GHz、3.1～10.6GHz的超宽带(UWB)射频前端中。它由输入寄生参数等效级、输入级、负载级三部分组成。其中输入寄生参数等效级由串联电感和并联电容组成，输入级由共栅管、输入电感和共源管组成，负载级由串联电阻和串联电感组成。本发明结构简单，功耗低，使用频带宽，除了实现一般宽带LNA的低噪声、高增益功能外，还实现了单端输入差分输出的功能。
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公开(公告)号：CN101924524B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010262100.3
申请日：2010-08-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频集成电路技术领域，具体为一种带有片上有源Balun的差分CMOS多模低噪声放大器。该低噪声放大器可用于0.5~10.6GHz的多模接收机前端中。它由匹配级、放大级、反馈级和负载级组成第一级放大器，有源片上Balun构成第二级放大器。其中，匹配级使用反馈电感调谐宽带输入阻抗；放大级使用电流复用的共源级NMOS管与PMOS管作为输入端；输入NMOS管栅极与电流跟随器NMOS管漏极之间的NMOS管与电阻构成“电压-电流”型负反馈通路；负载级使用电阻负载。第二级放大器的有源Balun分别使用共源和源跟随器实现Balun的单转双功能。本发明结构简单，占用芯片面积小，功耗低，带宽覆盖范围大，增加电路可实用性。
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公开(公告)号：CN101902242A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010225539.9
申请日：2010-07-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于射频无线接收机集成电路技术领域，具体为一种应用于超宽带系统的单端输入差分输出的射频前端电路。它由低噪声放大器（LNA）和正交混频器（Mixer）组成。其中低噪声放大器采用单端输入差分输出结构，由两级构成，以适用于超宽带系统所要求的较大的输入信号范围；正交混频器由I、Q两路构成，且两路公用输入放大管，同时该混频器采用电流注入技术，并且将电流注入管作为输入放大管的一部分以提高混频器性能。LNA和Mixer之间通过一个单位增益缓冲器连接，以减小Mixer较大的输入电容对LNA负载的影响。本发明结构简单，增益可变，功耗低，使用频带宽，且芯片面积小，减少片外元件的使用，便于实现单芯片集成。
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