一种阻变金属氮化物材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101834274B

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:CN201010148279.X

    申请日:2010-04-15

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于阻变式随机存储器技术领域,具体为一种阻变金属氮化物材料的制备方法。包括在低真空腔体内产生氮等离子体,通过在金属薄膜材料上施加负偏压实现等离子体注入,从而在金属层表层形成金属氮化物薄膜。以这种方法制备的金属氮化物可以作为中间双阻层材料应用于阻变式随机存储器(Resistance Random Access Memory,简称RRAM)元器件,并可以通过控制薄膜中氮离子的浓度和分布,优化器件性能。

    一种等离子体浸没注入剂量的检测装置

    公开(公告)号:CN101899646B

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN201010191678.4

    申请日:2010-06-03

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于等离子体技术领域,具体为一种等离子体浸没注入剂量检测装置。该装置包括:安装于腔体内靶台的信号采集器,引线以及外围测量仪器;其中,信号采集器为导电金属片和绝缘体基片的双层结构,所述引线为刚性结构,用于连接信号采集器和外围检测仪器。该装置通过控制引线转动使信号采集器在靶台上移动,得到靶台各点的离子注入剂量信息,进而得到离子注入剂量在靶台上的分布。本发明装置解决了以往测试剂量通过检测等离子体浓度的复杂性,并提高了精确度。本发明装置也可以在各类衍生的等离子体浸没注入设备中使用。

    用氩等离子体处理金属表面方法

    公开(公告)号:CN101974298A

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN201010540251.0

    申请日:2010-11-11

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电子封装技术领域,具体为一种用氩等离子体处理金属表面方法。该方法是利用等离子体浸没式离子注入法对待处理件进行表面处理,其中所述等离子体为氩等离子体,所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品,以及它们作为引线框架材料的应用。本发明利用氩等离子体处理镍金属的表面,经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高,从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高,且该方法操作流程简单,成本低廉且易于控制,不会出现热氧化方法存在的可重复性差的缺陷。

    用加热甲烷处理金属表面的方法

    公开(公告)号:CN102061437A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN201010540163.0

    申请日:2010-11-11

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于电子封装技术领域,具体为一种用加热甲烷处理金属表面方法。包括下述步骤:利用加热气体法对待处理件进行表面处理,其中所述气体为甲烷,所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供了用所述方法得到的经表面处理的金属和镀有该经表面处理的金属的制品,以及它们作为引线框架材料的应用。本发明尤其利用加热甲烷处理镍金属的表面,经过处理的镍金属的表面与环氧树脂的粘附性能得到大幅提高,从而使以镍金属作为引线框架材料或者在表面镀镍的引线框架材料的稳定性以及防潮性能得到提高,且该方法操作流程简单,成本低廉且易于控制,可以批量处理,不会出现化学腐蚀方法存在的可重复性差的缺陷。

    一种阻变金属氮化物材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101834274A

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN201010148279.X

    申请日:2010-04-15

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于阻变式随机存储器技术领域,具体为一种阻变金属氮化物材料的制备方法。包括在低真空腔体内产生氮等离子体,通过在金属薄膜材料上施加负偏压实现等离子体注入,从而在金属层表层形成金属氮化物薄膜。以这种方法制备的金属氮化物可以作为中间双阻层材料应用于阻变式随机存储器(Resistance?Random?Access?Memory,简称RRAM)元器件,并可以通过控制薄膜中氮离子的浓度和分布,优化器件性能。

    一种超导相显微系统
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103487556B

    公开(公告)日:2015-10-28

    申请号:CN201310459328.5

    申请日:2013-10-07

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 吴晓京 张昕

    Abstract: 本发明属于超导体材料技术领域,具体涉及一种超导相显微系统。该超导相显微系统包括:制冷及控温系统、磁场控制系统、直流超导体工作恒流源、高灵敏微区磁场强度探测系统、手动定位装置和光学显微镜、探头微区二维扫描系统、控制系统及相关软件。本发明系统利用磁场敏感探测组件探测材料中微小区域超导相对外磁场强度的影响,并由此确定超导相分布。本发明可在动态温度、磁场、电流条件下,观察超导体中超导相-正常相的微区分布。本发明系统易于搭建实际表征设备,成本控制良好。

    一种高灵敏度微小区域磁场强度探测组件

    公开(公告)号:CN103576105A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310501710.8

    申请日:2013-10-23

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 吴晓京 张昕

    Abstract: 本发明属于材料微小区域检测技术领域,具体为一种微小区域磁场强度测量组件。该探测组件包括:磁阻材料构成的磁场探测头,信号读取、放大及模数转换电路,计算机;磁阻材料探测头探测微小区域磁场强度信号,送入信号读取、放大及模数转换电路,经过信号读取、放大及模数转换电路处理,信号送入计算机,进行信号的分析与处理,实施对材料在外磁场中微小区域磁化状态、磁场强度及分布进行表征;本发明可用于对材料的微区磁性或磁畴进行评估等。

    一种超导相显微系统
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103487556A

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201310459328.5

    申请日:2013-10-07

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 吴晓京 张昕

    Abstract: 本发明属于超导体材料技术领域,具体涉及一种超导相显微系统。该超导相显微系统包括:制冷及控温系统、磁场控制系统、直流超导体工作恒流源、高灵敏微区磁场强度探测系统、手动定位装置和光学显微镜、探头微区二维扫描系统、控制系统及相关软件。本发明系统利用磁场敏感探测组件探测材料中微小区域超导相对外磁场强度的影响,并由此确定超导相分布。本发明可在动态温度、磁场、电流条件下,观察超导体中超导相-正常相的微区分布。本发明系统易于搭建实际表征设备,成本控制良好。

    一种等离子体浸没注入剂量的检测装置

    公开(公告)号:CN101899646A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010191678.4

    申请日:2010-06-03

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于等离子体技术领域,具体为一种等离子体浸没注入剂量检测装置。该装置包括:安装于腔体内靶台的信号采集器,引线以及外围测量仪器;其中,信号采集器为导电金属片和绝缘体基片的双层结构,所述引线为刚性结构,用于连接信号采集器和外围检测仪器。该装置通过控制引线转动使信号采集器在靶台上移动,得到靶台各点的离子注入剂量信息,进而得到离子注入剂量在靶台上的分布。本发明装置解决了以往测试剂量通过检测等离子体浓度的复杂性,并提高了精确度。本发明装置也可以在各类衍生的等离子体浸没注入设备中使用。

Patent Agency Ranking