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公开(公告)号：CN103682087A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310734074.3
申请日：2013-12-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为一种有效增强磁性多层膜垂直矫顽力的方法。本发明通过对Ta/Cu底层进行不同温度下的在位加热处理，研制出具有高垂直矫顽力的Ta/Cu/[Co/Ni]3-8/Ta多层膜结构，并且具有较强的垂直各向异性。再结合后续退火处理，可进一步提高多层膜的垂直矫顽力。本发明的有益效果在于：其方法简单，可有效提高基于较薄种子层的磁性多层膜的垂直矫顽力，进而用于高性能的自旋电子器件的研究。
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公开(公告)号：CN101853919B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201010153452.5
申请日：2010-04-22
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为具有纳米软磁核的垂直磁化自旋阀。本发明中的自旋阀结构中磁性参考层和自由层分别采用具有垂直磁各向异性的[Co/Pt]和[Co/Ni]多层膜结构。在保存信息的自由层利用微制备或掺杂的方法加入具有面内磁各向异性的[NiFeCo]纳米软磁核。不影响存储信号的情况下，纳米核面积可控制在自由层总面积的2％-12％左右。通过对纳米旋阀器件的微磁模拟发现，具有纳米核的垂直磁化自旋阀自由层磁矩翻转电流比普通垂直磁化的自旋阀结构大幅度降低，降幅高达56.9％，翻转时间缩短65.1％，临界翻转电流的强度不对称性也有很大改善。本发明在研发低能耗的自旋转矩型大容量磁随机存储器MRAM方面具有重大的应用价值。
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公开(公告)号：CN101853919A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010153452.5
申请日：2010-04-22
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为具有纳米软磁核的垂直磁化自旋阀。本发明中的自旋阀结构中磁性参考层和自由层分别采用具有垂直磁各向异性的[Co/Pt]和[Co/Ni]多层膜结构。在保存信息的自由层利用微制备或掺杂的方法加入具有面内磁各向异性的[NiFeCo]纳米软磁核。不影响存储信号的情况下，纳米核面积可控制在自由层总面积的2％-12％左右。通过对纳米旋阀器件的微磁模拟发现，具有纳米核的垂直磁化自旋阀自由层磁矩翻转电流比普通垂直磁化的自旋阀结构大幅度降低，降幅高达56.9％，翻转时间缩短65.1％，临界翻转电流的强度不对称性也有很大改善。本发明在研发低能耗的自旋转矩型大容量磁随机存储器MRAM方面具有重大的应用价值。
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公开(公告)号：CN101271059A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810036920.3
申请日：2008-04-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光学技术领域，具体为一种大场纵向表面磁光克尔效应测量装置。该装置由电磁铁、程控磁铁电源、光路系统、操作控制系统(PC机)组成，其中，光路系统依次为半导体激光器、起偏棱镜、半透半反棱镜、一检偏棱镜、一光电探测器、凸透镜、样品架、光阑、另一检偏棱镜、长焦距凸透镜和另一光电探测器组成；测量用磁场由电磁铁提供，在磁极间距为4cm时能提供最大至1.5特斯拉的磁场。本发明利用一会聚凸透镜有效地增大了光在样品表面的入射角和反射角，克服了磁极间距对激光入射角的限制，增强了纵向表面磁光克尔信号强度。本发明使得通过磁光克尔效应测量大矫顽力磁性薄膜成为可能。
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