公开(公告)号：CN103682087B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201310734074.3

申请日：2013-12-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  吴迪 ,  陈绍海 ,  金庆原

IPC: H01L43/12

Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为一种有效增强磁性多层膜垂直矫顽力的方法。本发明通过对Ta/Cu底层进行不同温度下的在位加热处理，研制出具有高垂直矫顽力的Ta/Cu/[Co/Ni]3-8/Ta多层膜结构，并且具有较强的垂直各向异性。再结合后续退火处理，可进一步提高多层膜的垂直矫顽力。本发明的有益效果在于：其方法简单，可有效提高基于较薄种子层的磁性多层膜的垂直矫顽力，进而用于高性能的自旋电子器件的研究。

公开(公告)号：CN103682087A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310734074.3

申请日：2013-12-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  吴迪 ,  陈绍海 ,  金庆原

IPC: H01L43/12

Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为一种有效增强磁性多层膜垂直矫顽力的方法。本发明通过对Ta/Cu底层进行不同温度下的在位加热处理，研制出具有高垂直矫顽力的Ta/Cu/[Co/Ni]3-8/Ta多层膜结构，并且具有较强的垂直各向异性。再结合后续退火处理，可进一步提高多层膜的垂直矫顽力。本发明的有益效果在于：其方法简单，可有效提高基于较薄种子层的磁性多层膜的垂直矫顽力，进而用于高性能的自旋电子器件的研究。