公开(公告)号：CN101853919B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201010153452.5

申请日：2010-04-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  邱永成 ,  李暄 ,  马斌 ,  金庆原

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为具有纳米软磁核的垂直磁化自旋阀。本发明中的自旋阀结构中磁性参考层和自由层分别采用具有垂直磁各向异性的[Co/Pt]和[Co/Ni]多层膜结构。在保存信息的自由层利用微制备或掺杂的方法加入具有面内磁各向异性的[NiFeCo]纳米软磁核。不影响存储信号的情况下，纳米核面积可控制在自由层总面积的2％-12％左右。通过对纳米旋阀器件的微磁模拟发现，具有纳米核的垂直磁化自旋阀自由层磁矩翻转电流比普通垂直磁化的自旋阀结构大幅度降低，降幅高达56.9％，翻转时间缩短65.1％，临界翻转电流的强度不对称性也有很大改善。本发明在研发低能耗的自旋转矩型大容量磁随机存储器MRAM方面具有重大的应用价值。

公开(公告)号：CN101853919A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010153452.5

申请日：2010-04-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  邱永成 ,  李暄 ,  马斌 ,  金庆原

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16

Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为具有纳米软磁核的垂直磁化自旋阀。本发明中的自旋阀结构中磁性参考层和自由层分别采用具有垂直磁各向异性的[Co/Pt]和[Co/Ni]多层膜结构。在保存信息的自由层利用微制备或掺杂的方法加入具有面内磁各向异性的[NiFeCo]纳米软磁核。不影响存储信号的情况下，纳米核面积可控制在自由层总面积的2％-12％左右。通过对纳米旋阀器件的微磁模拟发现，具有纳米核的垂直磁化自旋阀自由层磁矩翻转电流比普通垂直磁化的自旋阀结构大幅度降低，降幅高达56.9％，翻转时间缩短65.1％，临界翻转电流的强度不对称性也有很大改善。本发明在研发低能耗的自旋转矩型大容量磁随机存储器MRAM方面具有重大的应用价值。