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公开(公告)号：CN115831726A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211582913.X
申请日：2022-12-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/223 , H01L21/31
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于等离子体掺杂调控低维半导体材料电学性能的方法。本发明方法包括提供具有低维半导体材料的工件，对低维半导体材料进行等离子体掺杂，原位沉积钝化层形成封装结构，其中形成封装结构的步骤包括：向真空工艺腔室中通入气体，使气体电离形成等离子体，对低维半导体材料进行掺杂，后在原位真空下沉积钝化层。本发明对低维半导体材料进行等离子体掺杂后原位沉积钝化层，降低杂质对等离子体掺杂后活化的低维半导体材料表面的影响，降低低维半导体材料与钝化层之间界面态缺陷密度，通过等离子体掺杂改变低维半导体材料载流子浓度和类型，进而调控低维半导体材料电学性能。
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公开(公告)号：CN110422841B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910649347.1
申请日：2019-07-18
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B32/186 , H01L29/06 , H01L21/328
Abstract: 本发明涉及一种平面结构的不对称氧、硫通道实现AB堆积型双层石墨烯的逐层生长方法。采用化学气相沉积法，在铜箔两面上生长单层石墨烯薄膜；采用低压常温空气等离子体技术，刻蚀去除铜箔一面单层石墨烯薄膜，氧化此面铜生成氧化亚铜；或采用氢气等离子体技术还原氧化亚铜再热沉积一层硫，得到结构为单层石墨烯薄膜/铜/氧化亚铜或单层石墨烯薄膜/铜/硫；采用化学气相沉积法，以甲烷和氢气为气源，在不对称基底的富氧或富硫的表面上，高温下甲烷分解产生碳原子，碳原子在固相铜里扩散，转移至单层石墨烯下面以AB堆积方式析出第二层石墨烯来得到双层石墨烯薄膜。本方法分步控制，操作简单，重复性好，利于大规模推广。制备的双层石墨烯薄膜其覆盖率达到95%，AB堆积方式的比例达到99%。
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公开(公告)号：CN112164806B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202011040799.9
申请日：2020-09-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了PTFE中空纤维微孔气体扩散电极的制备方法，包括以下步骤：步骤1，将PTFE中空纤维微孔管置于氧气或其它反应性气体等离子体中进行等离子体处理，调控PTFE中空纤维微孔管的亲疏水性；步骤2，通过化学镀方法、热蒸镀方法或溶液涂布、抽滤的方法在等离子体处理后的PTFE中空纤维微孔管的内外表面构建导电层；步骤3，使用绝缘硅胶将构建完导电层的PTFE中空纤维微孔管的一端封闭，使气体通道固定到PTFE中空纤维微孔管的微孔上，并在空气中自然干燥，得到PTFE中空纤维微孔气体扩散电极。
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公开(公告)号：CN112164806A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202011040799.9
申请日：2020-09-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明提供了PTFE中空纤维微孔气体扩散电极的制备方法，包括以下步骤：步骤1，将PTFE中空纤维微孔管置于氧气或其它反应性气体等离子体中进行等离子体处理，调控PTFE中空纤维微孔管的亲疏水性；步骤2，通过化学镀方法、热蒸镀方法或溶液涂布、抽滤的方法在等离子体处理后的PTFE中空纤维微孔管的内外表面构建导电层；步骤3，使用绝缘硅胶将构建完导电层的PTFE中空纤维微孔管的一端封闭，使气体通道固定到PTFE中空纤维微孔管的微孔上，并在空气中自然干燥，得到PTFE中空纤维微孔气体扩散电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113451139B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110700563.1
申请日：2021-06-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/385 , H01L21/02 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种基于PTFE对TMDCs进行p型掺杂的方法及半导体，属于先进半导体器件技术领域，方法为：将TMDCs材料转移到含氟的超平PTFE基底上，从而构建了一种TMDs和PTFE的垂直异质界面，该界面对TMDCs具有高效的空穴掺杂调控，通过测定转移后的TMDCs的光谱结构和荧光寿命，表征其能带结构的变化，可确定实现对TMDCs的p型掺杂，获得p型掺杂的TMDCs半导体，从而扩展了在光电或电子器件上的应用。本发明实现了在室温下对二维TMDCs从n型到p型掺杂的转换，调节效果长期、稳定且适合大规模生产要求，方法操作简便，具有单原子层可控掺杂精度，通过含氟化合物的强电负性效应实现对二维TMDCs的空穴掺杂型。
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公开(公告)号：CN111197173B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010083029.6
申请日：2020-02-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于二维材料制备技术领域，具体为非贵金属掺杂的二维材料的电镀制备方法。本发明方法具体步骤包括：制备含有单层或少层二维材料的电极；通过电镀法制备非贵金属掺杂的二维材料：电镀体系为三电极体系，以石墨棒作为阳极，二维材料为阴极，饱和甘汞为参比电极；电解液为饱和的过渡金属氢氧化物溶液，通过调节溶液的pH值范围，控制体系内自由金属离子的浓度范围10‑10~10‑6 g/ml；经过0.1~24小时的电沉积，制备出不同掺杂浓度的二维材料。本发明方法简单易行，可以在室温反应，且掺杂离子的种类和浓度可精确调节，制备的非贵金属掺杂二维材料具有较高的电催化析氢和电催化二氧化碳还原性能。
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公开(公告)号：CN110422841A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910649347.1
申请日：2019-07-18
Applicant: 复旦大学
IPC: C01B32/186 , H01L29/06 , H01L21/328
Abstract: 本发明涉及一种平面结构的不对称氧、硫通道实现AB堆积型双层石墨烯的逐层生长方法。采用化学气相沉积法，在铜箔两面上生长单层石墨烯薄膜；采用低压常温空气等离子体技术，刻蚀去除铜箔一面单层石墨烯薄膜，氧化此面铜生成氧化亚铜；或采用氢气等离子体技术还原氧化亚铜再热沉积一层硫，得到结构为单层石墨烯薄膜/铜/氧化亚铜或单层石墨烯薄膜/铜/硫；采用化学气相沉积法，以甲烷和氢气为气源，在不对称基底的富氧或富硫的表面上，高温下甲烷分解产生碳原子，碳原子在固相铜里扩散，转移至单层石墨烯下面以AB堆积方式析出第二层石墨烯来得到双层石墨烯薄膜。本方法分步控制，操作简单，重复性好，利于大规模推广。制备的双层石墨烯薄膜其覆盖率达到95%，AB堆积方式的比例达到99%。
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公开(公告)号：CN106245001A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610635718.7
申请日：2016-08-05
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: C23C16/342 , C23C16/50
Abstract: 本发明属于六方氮化硼（h-BN）及其杂化结构制备技术领域，具体为一种等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备六方氮化硼及其杂化结构的方法。本发明以铜箔为基底，以固态硼烷氨络合物为硼源和氮源，利用等离子体增强化学气相沉积法制备六方氮化硼杂化结构，具体步骤包括：将基底和硼烷氨络合物置于石英舟中，然后置入等离子体增强化学气相沉积系统中，抽真空；将反应炉加热到相应温度，通入气体，然后将基底移动到炉子中心；调节系统压力，进行热处理；生长六方氮化硼及其杂化结构；冷却到室温。本发明工艺简单，操作简便，可控性强，并且能够实现对六方氮化硼及其杂化结构带隙的连续调控。
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公开(公告)号：CN116397252A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111680823.X
申请日：2021-12-28
Applicant: 复旦大学
IPC: C25B11/032 , C25B11/054 , C25B11/089 , C25B3/07 , C25B3/26 , C25D3/56 , C25D7/00
Abstract: 本发明公开了一种基于脉冲电沉积‑退火工艺的高效孪晶铜锡合金催化剂的制备方法，具有这样的特征，包括以下步骤：步骤1，配制含有硫酸铜、硫酸亚锡以及硫酸的酸性电解液，采用脉冲电沉积技术，沉积在预定沉积基底上，在预定脉冲电沉积周期、预定脉冲时间、预定持续时间、预定脉冲电流密度以及预定对电极下，在酸性电解液中制备得到密度可控、高质量的孪晶铜锡电催化剂箔；步骤2，将孪晶铜锡催化剂箔放置在低压高真空度的退火炉中，在惰性或还原性气氛保护、预定退火温度以及预定退火时间下进行退火处理，得到高效孪晶铜锡合金催化剂。
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