公开(公告)号：CN117727784A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311669879.4

申请日：2023-12-04

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 孙博韬 ,  张清纯 ,  雷光寅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种具有自适应浮动电位的SiC沟槽结构；沟槽内分割为上下两个电极：上电极接栅极电位，下电极接生成的内部电位；两个电极中间使用厚氧化层间隔，两个电极共同的外部，即沟槽的侧壁及底部则为薄氧化层；本发明还包含生成内部电位的生成结构，包括漏极电位的读取部分和电位比较部分，漏极电位的读取部分随着漏压的变化生成一个低于漏压但高于源极电位的电压，电位比较部分比较计算漏极电位的读取部分生成的电压与栅极电位，随着生成的电压与栅极电位的动态变化过程，使下电极的电位跟随高电位。本发明的沟槽结构避免了传统SiC沟槽MOSFET结构的槽底保护引入的JFET效应，并引入积累效应，从而降低了器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN112687750A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011432028.4

申请日：2020-12-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙博韬 ,  张清纯

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种半浮空结构的SiC SBD器件及其制备方法。该SiC SBD器件包括有源区和非有源区，其中有源区和非有源区包括第一掺杂类型的SiC衬底、在衬底上生长的第一掺杂类型的SiC外延层、在外延层表面注入形成的第二掺杂类型表面阱、阳极和阴极；其中，有源区的相邻第二掺杂类型阱中间为第一掺杂类型的JFET区域、JFET区域的下方的位置为第二掺杂类型的浮空掺杂区域；非有源区的相邻第二掺杂类型阱中间下方位置设置第二掺杂类型表面阱以及浮空掺杂区域与有源区中对应区域内部连通。本发明的半浮空结构的SiC SBD器件能够限制反偏时肖特基接触表面的电场强度，从而减小其反向漏电。

公开(公告)号：CN119545851A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411720930.4

申请日：2024-11-27

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 孙博韬 ,  左元慧 ,  张俊然 ,  雷光寅 ,  张清纯

IPC: H10D30/62 ,  H10D64/27 ,  H10D30/01

Abstract: 本申请提供了一种具有辅沟槽栅极的半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括：外延层，具有相对的第一表面和第二表面；位于所述第一表面内的多个主沟槽栅极，所述主沟槽栅极在第一方向依次间隔设置；相邻两个所述主沟槽栅极之间的所述第一表面内，具有多个依次排布的辅沟槽栅极；所述辅沟槽栅极的深度小于所述主沟槽栅极的深度。在相邻的主沟槽栅极之间设置辅沟槽栅极，提高了沟道的密度的同时，降低了相邻两个沟槽栅极之间的距离加强对沟槽栅极的控制，提高了等效载流子迁移率以及反型载流子浓度，进而降低了沟道电阻。

公开(公告)号：CN112687750B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202011432028.4

申请日：2020-12-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙博韬 ,  张清纯

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种半浮空结构的SiC SBD器件及其制备方法。该SiC SBD器件包括有源区和非有源区，其中有源区和非有源区包括第一掺杂类型的SiC衬底、在衬底上生长的第一掺杂类型的SiC外延层、在外延层表面注入形成的第二掺杂类型表面阱、阳极和阴极；其中，有源区的相邻第二掺杂类型阱中间为第一掺杂类型的JFET区域、JFET区域的下方的位置为第二掺杂类型的浮空掺杂区域；非有源区的相邻第二掺杂类型阱中间下方位置设置第二掺杂类型表面阱以及浮空掺杂区域与有源区中对应区域内部连通。本发明的半浮空结构的SiC SBD器件能够限制反偏时肖特基接触表面的电场强度，从而减小其反向漏电。