公开(公告)号：CN101899646A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010191678.4

申请日：2010-06-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴晓京 ,  王一鹏 ,  张昕 ,  卢茜

IPC: C23C14/48

Abstract: 本发明属于等离子体技术领域，具体为一种等离子体浸没注入剂量检测装置。该装置包括：安装于腔体内靶台的信号采集器，引线以及外围测量仪器；其中，信号采集器为导电金属片和绝缘体基片的双层结构，所述引线为刚性结构，用于连接信号采集器和外围检测仪器。该装置通过控制引线转动使信号采集器在靶台上移动，得到靶台各点的离子注入剂量信息，进而得到离子注入剂量在靶台上的分布。本发明装置解决了以往测试剂量通过检测等离子体浓度的复杂性，并提高了精确度。本发明装置也可以在各类衍生的等离子体浸没注入设备中使用。

公开(公告)号：CN101857206A

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN201010175147.6

申请日：2010-05-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴晓京 ,  卢茜 ,  张昕 ,  朱玮 ,  周永宁

IPC: C01B21/06 ,  C01B21/068 ,  C01B21/072 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体涉及一种具有阻变性质的金属氮化物材料及其应用。本发明所述的金属氮化物为MxN，M为Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Si、Ga、In、Sc或Y，或者上述金属材料中任意两种或两种以上元素的合金，0.2≤x≤4，可以通过多种常规薄膜制备方法制备，通过对薄膜中氮含量的调控，使金属氮化物具有电阻转变性能。该材料能够作为中间阻变层应用于RRAM元器件中。所述RRAM元器件由下电极层、在下电极上的阻变金属氮化物层以及在阻变层上的上电极层构成。这种三明治结构与传统集成电路工艺高度兼容。本发明为阻变材料的选择提出了一个新的方向，有利于RRAM存储器向低成本、高性能方向发展。