公开(公告)号：CN116264869A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202180068268.7

申请日：2021-09-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·赫克马绍尔塔巴里 ,  A·雷兹尼彻 ,  安藤崇志 ,  龚南博

IPC: H10B61/00 ,  H10N59/00

Abstract: 一种电路(400)包括与垂直场效应晶体管集成的低压闪速存储器(200)和非易失性存储器元件(100)。低压闪速存储器通过垂直场效应晶体管、一条或多条位线和一条或多条字线与非易失性存储器元件耦合。低压闪速存储器可以提供较低的显著电导，非易失性存储器元件可以提供较高的显著电导。低电压闪速存储器可以包括源极和漏极。源极可以通过外延通道与漏极分开。低压闪速存储器可以包括浮置栅极。浮置栅极可以通过第一电介质层与外延通道分开。低压闪速存储器可以包括控制栅极。控制栅极可以通过第二电介质层与浮置栅极分开。

公开(公告)号：CN119769189A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380061644.9

申请日：2023-05-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·M·科恩 ,  宫副裕之

IPC: H10B51/00 ,  H10B53/00 ,  G11C11/22

Abstract: 一种半导体器件，包括铁电随机存取存储器(FeRAM)单元。所述FeRAM包括铁电电介质，所述铁电电介质通过引导的电流流动及加热过程进行退火，以达到其铁电相。电流流动可以被引导通过使所述FeRAM单元加热的临时导线。对所述铁电电介质产生的加热或退火可以使所述铁电电介质结晶，以体现或导致具有铁电性质。与其中整个半导体器件或半导体器件的相对更大的区域被加热到铁电电介质的退火温度的全局加热或退火过程不同，引导的电流流动和加热过程基本上局限于所述FeRAM单元以及其中的铁电电介质。

公开(公告)号：CN117120970A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202280023227.0

申请日：2022-03-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G·科恩 ,  安藤崇志 ,  龚南博 ,  李宇龙

IPC: G06F7/544

Abstract: 在用于形成非易失性可调谐电容器装置的方法中，第一电极层与第二电极层相对地向远侧形成，第一电极层被配置为形成第一电连接，第二电极层被配置为形成第二电连接。介电层设置在第一电极层之间并且与第二电极层相邻。相变材料(PCM)层邻近介电层设置在第一电极层与第二电极层之间。提供激励部件以加热PCM层以改变PCM层的相位。该激励部件可以包括与该PCM层直接接触的加热元件或电探针，当被激励时该加热元件或电探针被配置成用于向该PCM层施加热量。PCM层的相在非晶相与结晶相之间是可改变的。

公开(公告)号：CN116711478A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180080583.1

申请日：2021-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  G·科恩 ,  安藤崇志

IPC: H10N70/20

Abstract: 一种装置，包括：相变材料；第一电极，位于所述相变材料的第一端；第二电极，位于所述相变材料的第二端；以及加热元件，耦合到所述相变材料的在所述第一端和所述第二端之间的至少给定部分。该装置还包括耦合到加热元件的第一输入端子、耦合到加热元件的第二输入端子和耦合到第二电极的输出端子。

公开(公告)号：CN116649003A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202180083411.X

申请日：2021-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 龚南博 ,  安藤崇志 ,  G·M·科昂

IPC: H10B51/00

Abstract: 一种器件包括非易失性存储器和控制系统。该非易失性存储器包括非易失性存储器单元的阵列，其中至少一个非易失性存储器单元包括铁电场效应晶体管(FeFET)器件。FeFET器件包括第一和第二源极/漏极区，以及包括铁电层和设置在铁电层之上的栅极电极的栅极结构。铁电层包括邻近于第一源极/漏极区的第一区和邻近于第二源极/漏极区的第二区。控制系统可操作地耦合到所述非易失性存储器，以将FeFET器件编程为具有多个不同逻辑状态中的逻辑状态。多个不同逻辑状态中的至少一个逻辑状态对应于FeFET器件的极化状态，其中铁电层的第一区和第二区具有极性相反的相应剩余极化。