杂化光致抗蚀剂组合物和使用它的图案形成方法

    公开(公告)号:CN103930828A

    公开(公告)日:2014-07-16

    申请号:CN201280055029.9

    申请日:2012-11-02

    Abstract: 本发明涉及改进分辨率的杂化光致抗蚀剂组合物和使用该光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。所述光致抗蚀剂组合物包括辐射敏感性酸产生剂、交联剂和具有疏水性单体单元和含羟基的亲水性单体单元的聚合物。所述羟基中的至少一些用具有低活化能的酸不稳定性结构部分保护。所述光致抗蚀剂能够对单一曝光产生杂化响应。所述图案形成方法利用所述杂化响应以在所述光致抗蚀剂层中形成图案化的结构。本发明的光致抗蚀剂组合物和图案形成方法可用于印刷具有精确图像控制的小特征,尤其是小尺寸的空间。

    光致抗蚀剂组合物及多层抗蚀剂体系的多次曝光方法

    公开(公告)号:CN102591161A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210043396.9

    申请日:2008-12-05

    CPC classification number: G03F7/0045 G03F7/0397 G03F7/40

    Abstract: 本发明涉及一种方法及抗蚀剂组合物。抗蚀剂组合物包含:具有含有内酯结构部分的第一重复单元的聚合物、能产生碱的热碱产生剂、以及光敏酸产生剂。聚合物具有的特性为:实质可溶于第一溶剂,并且该聚合物在加热后变成实质不可溶。该方法包括:形成光致抗蚀剂薄膜,该光致抗蚀剂包含聚合物、能释出碱的热碱产生剂、光敏酸产生剂、以及溶剂。图案式成像薄膜。成像包括将薄膜曝光于辐射,导致产生酸催化剂。在水性碱中显像薄膜,导致移除可碱溶区域,并且形成图案化层。烘烤图案化层高于该温度,导致热碱产生剂在图案化层内释出碱,且导致图案化层变成不可溶于溶剂。

    用于DUV、MUV和光学平版印刷的基于全受体取代的芳族阴离子的离子、有机光致产酸剂

    公开(公告)号:CN101910944A

    公开(公告)日:2010-12-08

    申请号:CN200880124366.2

    申请日:2008-12-17

    CPC classification number: G03F7/0045 G03F7/0392

    Abstract: 光致产酸剂P+A-包括天线(antenna)基团P+和A-,所述天线基团P+包括当与光相互作用时产生质子的阳离子,和所述A-包括不含氟或半金属元素,例如硼的弱配位的全受体-取代的芳族阴离子。在一个实施方案中,这种阴离子包括下述化合物4、5、6和7,其中E包括吸电子基团,且除去一个质子产生芳香性。P+包括与光子相互作用时分解成质子和其他组分的鎓阳离子。P+可包括有机硫属元素鎓阳离子或卤素鎓阳离子,其中在另一个实施方案中,硫属元素鎓阳离子可包括氧鎓、锍、硒鎓、碲鎓或鎓阳离子,和在另一个实施方案中,卤素鎓阳离子可包括碘鎓、氯或溴鎓阳离子。新颖化合物包括TPS CN5。照相平版印刷配方包括与照相平版印刷组合物例如照相平版印刷聚合物结合的该光致产酸剂。当在基底上时,该配方曝光于光学平版印刷辐射或ArF(193nm)或KrF(248nm)辐射下并显影。产物包括通过本发明的方法制备的制造制品。

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