公开(公告)号：CN108352443B

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201680049774.0

申请日：2016-08-26

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  三菱综合材料株式会社

Inventor： 田头裕己 ,  志村礼司郎 ,  高村禅 ,  李金望 ,  下田达也 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸

IPC: H01L41/43 ,  H01L41/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明包括下述的工序：涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序；将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序；对已干燥的膜在含氧气氛下以150～200℃的温度进行紫外线照射的工序；以及，将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后，在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温，并保持于400～500℃的温度，由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中，设定液体组合物的每1次的涂布量，使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上，且在紫外线照射时供给臭氧。

公开(公告)号：CN107431013A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680022181.5

申请日：2016-03-14

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  深田和宏 ,  西冈圣司 ,  藤本信贵 ,  铃木正博

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种丝网印刷用的蚀刻掩模(80)，其包含脂肪族聚碳酸酯。此外，本发明提供一种氧化物层(沟道(44))的制造方法，包括：形成包含脂肪族聚碳酸酯的蚀刻掩模(80)的图案的蚀刻掩模形成工序；在该蚀刻掩模形成工序之后，与溶解没有以蚀刻掩模(80)保护的氧化物层(沟道(44))的溶液接触的接触工序；及在该接触工序之后，将氧化物层(沟道(44))及蚀刻掩模(80)，加热至蚀刻掩模(80)会分解的温度以上的加热工序。

公开(公告)号：CN107949903B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201680051797.5

申请日：2016-07-21

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  深田和宏 ,  西冈圣司 ,  铃木正博

IPC: H01L21/3205 ,  G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/312 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明的课题在于，提供一种实现微细配线形成的简便化及/或高品质化的复合部件。本发明的解决手段在于，本发明的一种复合部件(100)，其配置在基材上的多个岛状含有脂肪族聚碳酸酯的层的至少表面，曝露在含有180nm以上且370nm以下的波长的紫外光15分钟后，纯水与其表面的接触角度为50°以上，在各个该前体层所夹持的区域的至少一部分，具备位于前述基材上的金属墨液。

公开(公告)号：CN108878267A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810733814.4

申请日：2014-07-04

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  川北知纪 ,  藤本信贵 ,  西冈圣司

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  C01G15/00

CPC classification number: H01L29/66969 ,  C01G15/00 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：前驱体层的形成工序，其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯；及烧成工序，其在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后，在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。

公开(公告)号：CN105474372A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480044072.4

申请日：2014-07-04

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  川北知纪 ,  藤本信贵 ,  西冈圣司

IPC: H01L21/368 ,  C01G15/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  C01G15/00 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法，包含以下工序：前驱体层的形成工序，其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状，其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的，所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯；及烧成工序，其在使该粘合剂的90wt％以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后，在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。

公开(公告)号：CN107431013B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201680022181.5

申请日：2016-03-14

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  深田和宏 ,  西冈圣司 ,  藤本信贵 ,  铃木正博

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种丝网印刷用的蚀刻掩模(80)，其包含脂肪族聚碳酸酯。此外，本发明提供一种氧化物层(沟道(44))的制造方法，包括：形成包含脂肪族聚碳酸酯的蚀刻掩模(80)的图案的蚀刻掩模形成工序；在该蚀刻掩模形成工序之后，与溶解没有以蚀刻掩模(80)保护的氧化物层(沟道(44))的溶液接触的接触工序；及在该接触工序之后，将氧化物层(沟道(44))及蚀刻掩模(80)，加热至蚀刻掩模(80)会分解的温度以上的加热工序。

公开(公告)号：CN107004606B

公开(公告)日：2020-07-24

申请号：CN201580062190.2

申请日：2015-10-05

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 下田达也 ,  井上聪 ,  深田和宏 ,  西冈圣司 ,  藤本信贵 ,  铃木正博

IPC: H01L21/368 ,  C23C18/12 ,  H01L21/288 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供当通过印刷法形成电子装置或半导体元件可采用的薄膜时能控制牵丝性的脂肪族聚碳酸酯、氧化物的前驱体、及氧化物层。本发明之一的氧化物的前驱体是在含有分子量为6千以上且40万以下的脂肪族聚碳酸酯比率为该脂肪族聚碳酸酯全体的80质量％以上的前述脂肪族聚碳酸酯构成的粘结剂(可含不可避免的杂质)的溶液中，分散有在被氧化时成为金属氧化物的金属的化合物的物质。结果如图1所示，可形成可用于半导体元件的制造的良好图案。

公开(公告)号：CN105474372B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201480044072.4

申请日：2014-07-04

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  川北知纪 ,  藤本信贵 ,  西冈圣司

IPC: H01L21/368 ,  C01G15/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  C01G15/00 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的课题在于提供种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供种氧化物半导体层的制造方法,包含以下工序:前驱体层的形成工序,其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状,其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的,所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯;及烧成工序,其在使该粘合剂的90wt%以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后,在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。

公开(公告)号：CN108352443A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680049774.0

申请日：2016-08-26

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  三菱综合材料株式会社

Inventor： 田头裕己 ,  志村礼司郎 ,  高村禅 ,  李金望 ,  下田达也 ,  渡边敏昭 ,  曾山信幸

IPC: H01L41/43 ,  H01L41/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/43 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/187 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316 ,  H01L41/318

Abstract: 本发明包括下述的工序：涂布PZT铁电体膜形成用液体组合物的工序；将涂布液体组合物而得的膜干燥的工序；对已干燥的膜在含氧气氛下以150～200℃的温度进行紫外线照射的工序；以及，将涂布工序、干燥工序及紫外线照射工序进行1次或2次以上之后，在含氧气氛下以0.5℃/秒以上的速度升温、或在不含氧气氛下以0.2℃/秒以上的速度升温，并保持于400～500℃的温度，由此将经紫外线照射的铁电体膜前体膜煅烧而结晶的工序。其中，设定液体组合物的每1次的涂布量，使得每涂布1次的铁电体膜的厚度为150nm以上，且在紫外线照射时供给臭氧。

公开(公告)号：CN105874575A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480067483.5

申请日：2014-12-16

Applicant: 国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学 ,  住友精化株式会社

Inventor： 井上聪 ,  下田达也 ,  藤本信贵 ,  西冈圣司 ,  辛岛修一

IPC: H01L21/336 ,  C08G64/02 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78618 ,  C09D5/008 ,  C09D7/61 ,  C09D169/00 ,  H01L21/385 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的课题在于提供一种薄膜晶体管及其制造方法，所述薄膜晶体管不必使用在真空下或低压下的各工艺且不必使用昂贵的设备，而对于提供一种能够简便地实现自对准式地形成源极/漏极区域。本发明的一种半导体器件的制造方法，包括以下的步骤：脂肪族聚碳酸酯层形成步骤，其是将介由栅绝缘层30而被配置在本半导体层20上的栅电极层40、及半导体层20覆盖而形成脂肪族聚碳酸酯层50，此脂肪族聚碳酸酯层50是具有使半导体层20成为n型或p型的半导体层的掺杂剂；及加热步骤，其是在将其掺杂剂导入半导体层20中且于将脂肪族聚碳酸酯层50分解的温度下进行加热。