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公开(公告)号：CN108585881A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810612015.1
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/64
Abstract: 本发明提供一种高热导率氮化硅陶瓷及其制备方法，用以解决现有热导率偏低的技术问题，通过将氮化硅粉进行脱氧处理、自然冷却，并将所得氮化硅粉体研磨过筛；与烧结助剂在混合介质的作用下混合，混合结束后干燥、过筛，得到粉料；压制成型，得到氮化硅陶瓷生坯；最后经气压烧结，得到氮化硅陶瓷材料，与现有技术比较，通过对氮化硅粉体的脱氧处理，使得原始粉料含氧量更低，在烧结过程中降低晶格氧含量程度更高，更有利于避免声子散射，从而提高氮化硅陶瓷的热导率，制备的氮化硅陶瓷具有高热导率、良好的抗热震性能和耐高温性能，使用安全，是一种具有优良的力、热、电综合性能的氮化硅陶瓷基板材料。
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公开(公告)号：CN105034407A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510594429.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种双连续树脂基空心微珠复合泡沫材料的制备方法，涉及一种树脂基复合泡沫材料的制备方法。本发明是为了解决目前树脂基复合泡沫材料中空心微珠固相含量低、分层、组织不均匀和气孔难以逸出的技术问题。本发明：一、制备空心微珠预制体；二、树脂渗入空心微珠预制体并固化。本发明优点：一、本发明的树脂基空心微珠复合泡沫材料具有空心微珠分布均匀、轻质、高强、高模量的特点，空心微珠呈紧密堆积，并且空心微珠与树脂基体呈双连续结构；二、本发明的树脂基空心微珠复合泡沫材料抗压强度＞90.2MPa，压缩模量＞3.7GPa；三、本发明的树脂基空心微珠复合泡沫材料中空心微珠固相含量达到65％左右，且制备工艺简单，可操作性强。
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公开(公告)号：CN104945002A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510312802.0
申请日：2015-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种陶瓷/树脂复合材料制备多层器件的方法，它涉及制备多层器件的方法。它要解决现有LTCC技术所存在烧结温度高、收缩率难以控制、金属电极易于与陶瓷发生界面反应以及脆性高的问题。方法：一、制备悬浊液；二、制备浆料；三、浆料除泡后进行流延成型，得陶瓷生带；四、陶瓷生带进行裁剪，采用丝网印刷的方法印制导电银浆作为电路，叠压，排胶后，得微波介质陶瓷的多孔预制体；五、树脂浸渍到多孔预制体内部，固化，脱模后，即完成。本发明的工艺温度低，在制备过程中材料没有任何收缩，避免了LTCC共烧过程中电路中的导电电极与陶瓷之间的界面反应和扩散，制备的多层器件具有较高的介电常数和较低的介电损耗，且韧性高、加工性能优良。
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公开(公告)号：CN104693798A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510136852.8
申请日：2015-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法，它涉及一种高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的高介电常数陶瓷/树脂复合材料的介电损耗高并且工艺复杂的问题，本发明的制备方法一、微波介质陶瓷多孔预制体的制备；二、陶瓷/树脂复合材料的制备，得到高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料，即完成。本发明制备的高介电常数、超低介电损耗陶瓷/树脂复合材料具有更高的介电常数和超低的介电损耗，介电常数处于6.32至24.96之间，介电损耗均低于4.9×10-3。本发明应用于在PCB基板以及嵌入型电容器领域。
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公开(公告)号：CN104693688A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510136815.7
申请日：2015-03-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C08L63/00 , C08L79/04 , C08K3/22 , C04B35/622
Abstract: PCB基板用微波介质陶瓷/树脂双连续复合材料的制备方法，它涉及一种树脂基复合材料的制备方法。本发明是为了解决现有方法制备的陶瓷/树脂复合材料介电常数低且介电损耗大的技术问题。制备方法：一、制备浆料；二、制备定向孔分布的多孔陶瓷生坯；三、制备多孔微波介质陶瓷预制体；四、将温度为室温～-20℃的树脂倒入模具中，抽真空至熔化的树脂完全进入多孔微波介质陶瓷预制体内，固化，即得。由于微波介质陶瓷多孔预制体的比表面积大大低于粉体的比表面积，因此有利于降低界面极化，从而降低介电损耗；此外，可以根据材料要求制备出不同陶瓷含量的复合材料，介电常数可调。本发明属于复合材料的制备领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108395257B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201810478171.3
申请日：2018-05-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/593 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基复合材料及其制备方法，具体的，氮化硅粉体和氮化硼先驱体的混合粉体在通入氨气的高温炉中得到纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体；将纳米级氮化硼改性的氮化硅粉体与烧结助剂在无水乙醇中球磨混合，干燥过筛后烧结，得到致密的氮化硅基复合材料；将所获得致密氮化硅基复合材料在氮气保护气氛炉中进行高温长时间热处理，得到高热导率、高抗弯强度及高韧性的氮化硅基复合材料，满足大功率电子器件的封装材料及高超音速飞行器透波窗口材料的性能要求。
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公开(公告)号：CN108789770B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201810592623.0
申请日：2018-06-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B28B1/00 , B28B11/24 , C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/634 , B33Y10/00 , B33Y70/10 , B33Y40/20
Abstract: 本发明提供了一种氮化硅基复合材料天线窗及其制备方法，根据天线窗的介电常数随厚度的变化规律的要求，确定孔隙率随厚度的变化规律，进而确定制备氮化硅基复合材料的陶瓷浆料固相含量随厚度的变化规律；在3D打印过程中，根据陶瓷浆料固相含量随厚度的变化规律，控制含有陶瓷相的第一浆料和水溶胶的加入质量，逐层打印，获得陶瓷浆料凝胶块，经低温冷冻，真空冷冻干燥，烧结降温后即可获得具有介电梯度的氮化硅基复合材料，经加工制备成氮化硅基复合材料天线窗。本发明所述的氮化硅基复合材料天线窗一体化制备，消除界面应力，在使用中安全可靠，工艺简单，能够满足不同宽频透波的要求。
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公开(公告)号：CN108752008B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201810611330.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/597 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B38/00
Abstract: 本发明提供一种多孔Si2N2O耐高温透波陶瓷及其制备方法，通过在有机溶剂中加入陶瓷粉体、烧结助剂、分散剂、单体和交联剂，球磨混合得到浆料，除泡后，加入引发剂和催化剂，并经溶剂置换后，得到多孔Si2N2O坯体，最终经气压烧结，得到多孔Si2N2O耐高温透波陶瓷，与现有技术相比，本发明的有益效果在于，本发明使用了乙二醇为溶剂制备多孔Si2N2O陶瓷，乙二醇的低表面张力保证了凝胶较小的干燥收缩，从而可获得高气孔率的Si2N2O陶瓷；且凝胶在乙二醇中的聚合为溶液聚合，保证了坯体的高强度，可实现大尺寸工件的近净成型；因此，本发明制备的多孔Si2N2O陶瓷材料具有优良的抗热震性能、抗氧化性和透波性能，是一种具有优良力、热、电综合性能的耐高温透波材料。
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公开(公告)号：CN108516814B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810611586.3
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/185 , C04B35/81 , C04B35/84
Abstract: 本发明提供一种低温制备高强度莫来石陶瓷的方法，以高岭土、铝溶胶和氧化铝为原料，在矿化剂和助烧剂的作用下，首先在低温下合成含有针状晶须的莫来石多孔陶瓷，利用材料内部的孔洞为晶须的生长提供空间使其充分发育，再通过浸渍反应活性较高的莫来石前驱体，最终通过二次低温烧结获得，本发明的有益效果在于，原料价格低廉，来源广泛易得，成本较低；制备温度较低，大幅度降低了生产能耗；工艺简单，设备要求低；原位自生的晶须实现了材料强度和韧性的同时提高；烧结过程中，产品收缩小，可实现净尺寸成型。
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公开(公告)号：CN108912520A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810612006.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C08K9/04 , C08K3/22 , C08K3/38 , C08K7/00 , C08K9/06 , C08K2003/385 , C08L25/06 , C08L27/16 , C08L33/12
Abstract: 一种陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料及其制备方法，方法在于将陶瓷粉末进行表面氨基化，再将树脂微球进行表面磺化，将表面磺化的聚合物微球与去离子水混合后，加入氨基化的陶瓷粉末搅拌，并逐滴加入戊二醛溶液，保温、清洗后烘干，得到复合粉体，置于模具，热压成型，获得陶瓷片晶取向分布的聚合物基介质材料，与现有技术比较，本发明将片状陶瓷粉体包覆在聚合物微球表面，形成具有核壳结构的聚合物微球/陶瓷片晶复合粉体，通过成型过程中聚合物微球的熔化变形对片状复合粉体产生扭转力，实现复合材料中片状陶瓷粉体的取向分布，大幅度提高复合材料的介电常数，进而提高其介电储能密度，为小型化介电储能器件的发展提供材料和技术支撑。
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