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公开(公告)号:CN110568011A
公开(公告)日:2019-12-13
申请号:CN201910875937.6
申请日:2019-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种液氮温区热电势测量仪及其测量方法,包括采集控制单元、冷却单元、探头组件单元、真空密封单元和测试探头单元,测试探头单元用于夹持样品,受采集控制单元控制对样品进行加热,同时向采集控制单元传输温度信号及电压信号;探头组件单元用于承载测试探头单元,调节探头间距,以及减少外界温度对测试探头单元的影响;采集控制单元用于对测试探头单元进行温度控制,并接收测试探头单元的探头温度信号及电压信号;冷却单元用于通过液氮使探头组件单元和样品快速降温;真空密封单元用于在测试探头单元对样品加热时提供真空环境。本发明的设备操作简单方便、降温和测量耗时短,成本低廉,并且能同时满足机械强度较高材料和机械强度较低材料的测试。
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公开(公告)号:CN110568011B
公开(公告)日:2021-12-24
申请号:CN201910875937.6
申请日:2019-09-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种液氮温区热电势测量仪及其测量方法,包括采集控制单元、冷却单元、探头组件单元、真空密封单元和测试探头单元,测试探头单元用于夹持样品,受采集控制单元控制对样品进行加热,同时向采集控制单元传输温度信号及电压信号;探头组件单元用于承载测试探头单元,调节探头间距,以及减少外界温度对测试探头单元的影响;采集控制单元用于对测试探头单元进行温度控制,并接收测试探头单元的探头温度信号及电压信号;冷却单元用于通过液氮使探头组件单元和样品快速降温;真空密封单元用于在测试探头单元对样品加热时提供真空环境。本发明的设备操作简单方便、降温和测量耗时短,成本低廉,并且能同时满足机械强度较高材料和机械强度较低材料的测试。
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公开(公告)号:CN111876151A
公开(公告)日:2020-11-03
申请号:CN202010680138.6
申请日:2020-07-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于色彩显示和生物成像的上转换荧光材料及其制备方法和应用。本发明属于材料科学领域。本发明解决现有掺杂发光材料普遍存在发光离子浓度低、光增益小、难以在单一波长激发下产生多色输出的技术问题。产品:是由Er2O3粉末和SiO2粉末经烧结而成的具有三原色及近红外上转换发光特性的稀土焦硅酸盐C-Er2Si2O7。方法:一、先将Er2O3粉末烘干,然后与SiO2粉末混合均匀;二、将混合粉末先烧结,然后研磨,研磨后再烧结,得到前驱体粉末;三、压片,压片后烧结,得到稀土焦硅酸盐C-Er2Si2O7。本发明的一种稀土焦硅酸盐C-Er2Si2O7作为发光材料应用于色彩显示或生物成像领域。本发明的材料发光离子浓度的提升有效地增大了荧光寿命,使其达到了135.4μs。
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公开(公告)号:CN107808908B
公开(公告)日:2019-03-26
申请号:CN201711099351.2
申请日:2017-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/032 , H01L31/18 , G01D5/26
Abstract: 基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料及其传感器制备方法和应用,本发明属于传感器领域,它为了解决现有紫外光电探测器的响应速度较慢,未有同时兼具自驱动紫外光电传感器和位敏传感器材料器件的问题。该基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料具有p‑n结结构,在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用激光脉冲沉积有厚度为5~20nm的p型镍酸盐氧化物层,其中的镍酸盐氧化物为镍酸钕、镍酸钐或镍酸钆。在该异质结表面镀有金电极制备传感器,此传感器能够应用于自驱动紫外光电探测器和位敏传感器中。本发明利用Nb:SrTiO3半导体仅在紫外/近紫外光区响应的特点,其探测范围接近日盲区范围,且光电响应速度快。
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公开(公告)号:CN104451557A
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201410735056.1
申请日:2014-12-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C23C14/28 , C23C14/083 , C23C14/085 , C23C14/086
Abstract: 具有超快响应速度的光电位置传感材料及其制备方法,本发明属于传感器领域,它为了解决现有光电位置传感材料的位置灵敏度较低以及响应速度慢的问题。该光电位置传感材料具有金属氧化物—SiO2—Si三层结构,在Si基片上采用激光脉冲沉积有金属氧化物层,其中的金属氧化物为Fe3O4、ZnO或TiO2。制备方法:一、超声波清洗Si基片;二、金属氧化物粉末研磨压片,烧结处理后得到金属氧化物靶材;三、采用准分子激光器照射金属氧化物靶材,在Si基片上脉冲激光沉积金属氧化物层,沉积结束后冷却到室温。本发明所述的光电位置传感材料的位置灵敏度在1mW的激光照射下达到了54mV/mm,半峰宽在5μs左右。
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