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公开(公告)号：CN100351410C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200510010443.X
申请日：2005-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 用于低频减振的TiNi合金板簧的制备方法，它涉及一种用于低频减振的板簧的制备方法的技术领域，它是为了解决目前采用钢或橡胶材料制备的减振板簧存在阻尼特性差、容易变形、易老化、不耐腐蚀等缺点的问题。本发明板簧采用TiNi形状记忆合金材料，其中钛镍两种元素的原子比在45∶55～55∶45之间；其制备方法是：一、合金冶炼；二、铸锭均匀化退火；三、锻造；四、热轧；五、冷轧；六、整平；七、切割；八、构件成型。本发明的板簧具有非线性迟滞特性，可以有效地应用于电路板紧固系统、易振动的机械装置等需要低频减震和紧固防松的场所，其紧固力强而且恒定；同时它也具有较好的抗疲劳特性、不易老化和耐腐蚀的优点。
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公开(公告)号：CN1253217C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200410013749.6
申请日：2004-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 聚L-乳酸做为医用形状记忆材料的新用途，它涉及一种聚L-乳酸的新用途。现有技术都认为聚L-乳酸不可能作为形状记忆聚合物得到实际应用，尤其是在医用可降解形状记忆材料方面无法应用。本发明就提供了一种聚L-乳酸做为医用形状记忆材料的新用途，将聚L-乳酸在温度为190～210℃、压力为2～10MPa下成型成初始形状，即得到具有形状记忆特性的聚L-乳酸，所得聚L-乳酸可用于医用形状记忆材料。本发明首次将聚L-乳酸作为医用可降解形状记忆材料，在微创介入支架、血管接合、手术缝合线、骨折固定等方面有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN1050907A
公开(公告)日：1991-04-24
申请号：CN89107863.0
申请日：1989-10-10
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 内蒙古大兴安岭林业中心医院
IPC: C22C19/03 , A61B17/064 , A61B17/58
CPC classification number: A61B17/68 , A61B2017/00867
Abstract: 一种用于颅骨缺损修复用NiTi合金铆钉及NiTi板的制造方法，主要特征在于分别加热后，空冷和热轧，用本发明方法制造的NiTi合金铆钉和NiTi板，在手术条件下植入人体后，铆钉呈现良好的记忆效应，NiTi板则无记忆反应，保持形状不变，从而较好的解决了颅骨缺损修复过程中存在的问题。本发明方法简单，易于实现，所制造的NiTi合金铆钉和板材料相同，不会产生电化学腐蚀，记忆效应不同，从而实现不同的使用功能，是一种较理想的脑外科手术材料。
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公开(公告)号：CN100494519C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200710071637.X
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:Fe:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO3晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都为99.99%的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成；其中ZrO2的掺杂量为2～6mol%、Fe2O3的掺杂浓度为0.01～0.04wt%、Li与Nb摩尔比为0.946。本发明的方法的步骤如下：一、称取ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5，充分混合；二、把混合好的原料放入Pt坩锅中，采用提拉法进行晶体生长；三、将经步骤二得到的晶体极化；再把极化后的晶体准确定向，并按照Y面切割，再把切割后的晶体对其表面进行光学质量级抛光；即得到Zr:Fe:LiNbO3晶体。本发明Zr:Fe:LiNbO3晶体可作为海量全息存储器件。本发明具有衍射效率降低的幅度小、写入时间短、灵敏度高和抗光损伤能力强的优点。
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公开(公告)号：CN101024902A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710071637.X
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:Fe:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明解决了目前Fe:LiNbO3晶体反应速度慢、光折变性能差和抗光损伤能力低的问题。本发明的晶体由纯度都为99.99％的ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5制成；其中ZrO2的掺杂量为2～6mol％、Fe2O3的掺杂浓度为0.01～0.04wt％、Li与Nb摩尔比为0.946。本发明的方法的步骤如下：一、称取ZrO2、Fe2O3、LiCO3和Nb2O5，充分混合；二、把混合好的原料放入Pt坩锅中，采用提拉法进行晶体生长；三、将经步骤二得到的晶体极化；再把极化后的晶体准确定向，并按照Y面切割，再把切割后的晶体对其表面进行光学质量级抛光；即得到Zr:Fe:LiNbO3晶体。本发明Zr:Fe:LiNbO3晶体可作为海量全息存储器件。本发明具有衍射效率降低的幅度小、写入时间短、灵敏度高和抗光损伤能力强的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101024901A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710071636.5
申请日：2007-01-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: Zr:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。它为了解决铌酸锂晶体抗光损伤能力低，而提供的一种Zr:LiNbO3晶体及其制备方法。Zr:LiNbO3晶体由纯度都为99.99％的ZrO2、Nb2O5和LiCO3制成；其中ZrO2的掺杂量为ZrO2、Nb2O5和LiCO3总物质的量的4％～6％，Li与Nb的摩尔比为0.946。制备方法：(一)称取并混合ZrO2、Nb2O5和LiCO3；(二)提拉法进行晶体生长；(三)极化；(四)晶体切割后表面光学质量级抛光，即得到Zr:LiNbO3晶体。本发明Zr:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生；在保证了铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力比5mol％Mg:LiNbO3，6.5％Zn:LiNbO3和4mol％Hf:LiNbO3分别提高了85％、100％和112％以上。本发明Zr:LiNbO3晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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公开(公告)号：CN1311229C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200410043789.5
申请日：2004-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及用在光纤相干通讯和光纤传感器领域，应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法。技术措施包括如下步骤：取出应力区和芯区的样品，测量应力区样品B元素的含量，测量芯区样品Ge元素的含量；把光纤小段端面喷镀1μm～2μm厚的导电膜，利用电子探针设备做原子衬度的面扫描和Ge成分的线扫描，清理掉原子衬度的面扫描图像中的杂质疵点；把处理后的原子衬度面扫描图像输入MATLAB工程软件中，利用光纤的应力双折射计算公式和应力区掺杂浓度计算得出光纤的应力双折射数值。用本发明的保偏光纤的测量方法获得应力区和芯区的实际几何形状和精确掺杂浓度，为通过理想应力元几何形状的选择和合理掺杂浓度的选取进行新型保偏光纤的设计提供了手段。
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公开(公告)号：CN1726885A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510010217.1
申请日：2005-07-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: TiNi基药物洗脱支架及其制备方法，涉及一种医用器械及其制备方法。本发明为解决现有的不锈钢血管支架容易导致局部出现炎症反应等问题。TiNi基药物洗脱支架，制备基体支架的材料为TiNi形状记忆合金，钛镍两种元素的重量百分比在40∶60～50∶50之间；TiNi基药物洗脱支架的制备方法，该方法依次包括制造基体支架和在基体支架上浸渍药物涂层的过程，制备基体支架的过程依次为管材的挤压、毛细管材激光切割、扩径与热处理、电化学处理及其清洗，然后通过常规方法在所得到的基体支架上浸渍药物即可。本发明的洗脱支架有良好的生物相容性和柔韧性、极小的促凝作用、支撑力强且在X射线下容易观察利于推广应用。
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公开(公告)号：CN1569261A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410013749.6
申请日：2004-05-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 聚L－乳酸做为医用形状记忆材料的新用途，它涉及一种聚L－乳酸的新用途。现有技术都认为聚L－乳酸不可能作为形状记忆聚合物得到实际应用，尤其是在医用可降解形状记忆材料方面无法应用。本发明就提供了一种聚L－乳酸做为医用形状记忆材料的新用途，将聚L－乳酸在温度为190～210℃、压力为2～10MPa下成型成初始形状，即得到具有形状记忆特性的聚L－乳酸，所得聚L－乳酸可用于医用形状记忆材料。本发明首次将聚L－乳酸作为医用可降解形状记忆材料，在微创介入支架、血管接合、手术缝合线、骨折固定等方面有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN104518054A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410813122.2
申请日：2014-12-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1852 , H01L31/101
Abstract: 一种在硅衬底上变温生长InAs/GaSb超晶格红外探测器GaSb缓冲层的方法，其具体步骤如下：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长AlSb薄层；步骤3：在AlSb薄层上低温生长GaSb薄层；步骤4：停顿5-10min；步骤5：在GaSb薄层上高温生长GaSb缓冲层；步骤6：在GaSb缓冲层上生长外延层；步骤7：对生长结束后材料进行降温处理，完成在硅衬底上生长红外探测材料GaSb缓冲层的制备。本发明通过在较低温度下生长GaSb薄层，可有效限制外延层与衬底由于晶格失配产生的位错，减少高温下生长的GaSb缓冲层中的缺陷密度，提高外延层质量，具有广阔应用前景与技术优势。
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