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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103922344B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410166001.3
申请日：2014-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 回收制备太阳能级硅材料的方法，它涉及太阳能级硅材料的制备方法，它提供了一种用表面带有二氧化硅层的硅微粉制造硅材料的方法。本方法包含步骤如下：收集硅微粉，放在密闭炉中，在纯氢气氛中加热至熔点以下的温度范围，在持续通入干氢气的条件下保温，使硅粉末表面的二氧化硅层与其他杂质被除掉，得到太阳能级硅材料。利用本法可利用回收的表面带有二氧化硅层的硅微粉制备太阳能级硅材料，包括利用硅晶体切割加工过程中的锯屑制备太阳能级硅材料。
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公开(公告)号：CN105463568A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201511023450.3
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法。本发明属于晶体生长领域，具体涉及一种掺钬氟化钇钡晶体的制备方法。本发明是为了解决现有掺钬氟化钇钡晶体难以生长的问题。一、晶体生长原料的制备；二、晶体的生长；三、退火；四、后处理。本发明采用缓冷法和坩埚下降法结合的方式制备掺钬的氟化钇钡晶体，能有效避免晶体生长过程中由于温度梯度过大造成的晶体开裂问题，可得到大尺寸、高质量的完整晶体；并且该方法不需要籽晶，设备简单，整个生长过程在高真空条件下进行，解决了氟化钇钡熔体流动性能差造成晶体生长困难、晶体中包裹气泡等不利因素。
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公开(公告)号：CN105040093A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510527468.0
申请日：2015-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种混合热场结构蓝宝石晶体生长炉，本发明涉及蓝宝石晶体生长炉。本发明要解决现有装置存在高温下材料挥发污染热场，并且能耗大，晶体的性价比低的技术问题。该装置包括外壳、钼桶、顶保温层、底保温层、高温区侧保温层、填充球、钨杆加热器、钼坩埚和坩埚轴；其中钼坩埚设置在钼桶内部，钼坩埚的底部与坩埚轴连接，坩埚轴穿过底保温层。本发明装置结合了石墨加热器、钨钼材料、氧化铝材料、碳毡材料的保温的特点，既能解决高温下材料挥发污染热场的缺点，又能有效地降低能耗，从而提高晶体的性价比。本发明用于生长制备蓝宝石晶体。
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公开(公告)号：CN103803955B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201410074632.2
申请日：2014-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C30B29/06 , C04B35/14 , C04B35/622 , C30B28/06
Abstract: 一种氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法，它涉及一种复合坩埚的制备方法。本发明是要解决目前的底部的热导率高于侧壁的坩埚的生产造价高并且生产成功率低的技术问题。本发明的氮化硅/氧化硅复合坩埚的制备方法：制浆、浇注、脱坯、高温烧结。本发明的氮化硅/氧化硅复合坩埚可以提高加热效率和散热效率，极大改进了硅熔体的定向凝固效果，从而提高硅晶体生长的质量，可以降低晶体硅光伏发电的成本。本发明主要应用于多晶硅定向凝固生长。
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公开(公告)号：CN103922344A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410166001.3
申请日：2014-04-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 回收制备太阳能级硅材料的方法，它涉及太阳能级硅材料的制备方法，它提供了一种用表面带有二氧化硅层的硅微粉制造硅材料的方法。本方法包含步骤如下：收集硅微粉，放在密闭炉中，在纯氢气氛中加热至熔点以下的的温度范围，在持续通入干氢气的条件下保温，使硅粉末表面的二氧化硅层与其他杂质被除掉，得到太阳能级硅材料。利用本法可利用回收的表面带有二氧化硅层的硅微粉制备太阳能级硅材料，包括利用硅晶体切割加工过程中的锯屑制备太阳能级硅材料。
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