公开(公告)号：CN103922344B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201410166001.3

申请日：2014-04-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵丽丽 ,  吕铁铮 ,  卢乔 ,  宋爱利 ,  单宇

IPC: C01B33/037

Abstract: 回收制备太阳能级硅材料的方法，它涉及太阳能级硅材料的制备方法，它提供了一种用表面带有二氧化硅层的硅微粉制造硅材料的方法。本方法包含步骤如下：收集硅微粉，放在密闭炉中，在纯氢气氛中加热至熔点以下的温度范围，在持续通入干氢气的条件下保温，使硅粉末表面的二氧化硅层与其他杂质被除掉，得到太阳能级硅材料。利用本法可利用回收的表面带有二氧化硅层的硅微粉制备太阳能级硅材料，包括利用硅晶体切割加工过程中的锯屑制备太阳能级硅材料。

公开(公告)号：CN103922344A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410166001.3

申请日：2014-04-23

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 赵丽丽 ,  吕铁铮 ,  卢乔 ,  宋爱利 ,  单宇

IPC: C01B33/037

Abstract: 回收制备太阳能级硅材料的方法，它涉及太阳能级硅材料的制备方法，它提供了一种用表面带有二氧化硅层的硅微粉制造硅材料的方法。本方法包含步骤如下：收集硅微粉，放在密闭炉中，在纯氢气氛中加热至熔点以下的的温度范围，在持续通入干氢气的条件下保温，使硅粉末表面的二氧化硅层与其他杂质被除掉，得到太阳能级硅材料。利用本法可利用回收的表面带有二氧化硅层的硅微粉制备太阳能级硅材料，包括利用硅晶体切割加工过程中的锯屑制备太阳能级硅材料。