公开(公告)号：CN109712873B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201910110168.0

申请日：2019-02-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘超铭 ,  张延清 ,  齐春华 ,  王天琦 ,  马国亮 ,  霍明学 ,  李何依 ,  魏轶聃

IPC: H01L21/04 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的MOS场效应管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服MOS型器件易受总剂量辐射损伤导致MOS型器件抗辐照能力低下的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，并向MOS场效应管的栅极氧化层注入离子。本发明通过离子注入的方式，在MOS场效应管的栅极氧化层内人为地引入缺陷陷阱，可以对由总剂量辐射效应造成的电子空穴对产生复合作用，并对器件内部由于总剂量辐射缺陷所产生的电场产生补偿作用，从而提高MOS场效应管的抗辐照能力。能大幅度降低总剂量辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以增强MOS器件的抗辐照性能。

公开(公告)号：CN110491970A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910775586.1

申请日：2019-08-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张延清 ,  齐春华 ,  王天琦 ,  马国亮 ,  刘超铭 ,  陈肇宇 ,  王新胜 ,  李何依 ,  周佳明 ,  霍明学

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/265

Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有倒置四结太阳电池在空间带电粒子的辐照下抗位移辐照能力差，易产生位移辐射损伤，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置四结太阳电池的第四结有源区和第三结有源区模拟注入离子，获得离子能量和射程信息，模拟I-V特性，记录与未注入离子时的I-V特性变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子电压和离子束电流，设置注入离子时间，采用设置后的注入离子机进行离子注入，对完成离子注入的倒置四结太阳电池进行退火处理。本发明用于对倒置四结太阳电池进行抗位移辐照加固。

公开(公告)号：CN109712873A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201910110168.0

申请日：2019-02-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘超铭 ,  王天琦 ,  齐春华 ,  张延青 ,  马国亮 ,  霍明学 ,  李何依 ,  魏轶聃

IPC: H01L21/04 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的MOS场效应管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服MOS型器件易受总剂量辐射损伤导致MOS型器件抗辐照能力低下的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，并向MOS场效应管的栅极氧化层注入离子。本发明通过离子注入的方式，在MOS场效应管的栅极氧化层内人为地引入缺陷陷阱，可以对由总剂量辐射效应造成的电子空穴对产生复合作用，并对器件内部由于总剂量辐射缺陷所产生的电场产生补偿作用，从而提高MOS场效应管的抗辐照能力。能大幅度降低总剂量辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以增强MOS器件的抗辐照性能。