公开(公告)号：CN113221059A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202010721858.2

申请日：2020-07-24

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 闫锋刚 ,  刘帅 ,  王军 ,  赫靓 ,  李享 ,  孟祥天

IPC: G06F17/11 ,  G06K9/00

Abstract: 本发明属于阵列信号处理技术领域，具体的说是一种实现了在不损失精度的情况下，显著降低了计算复杂度的无需构造协方差矩阵的快速共轭梯度测向算法，其特征在于，接收辐射源信号后，利用最小二乘法改进维纳霍夫方程，获得最小二乘维纳霍夫方程，最小二乘维纳霍夫方程为正态方程，使用正态方程构造仅与接收数据有关的参考信号，设置迭代初始值并进行共轭梯度迭代后，根据信源数估计出信号子空间并获得信号波达方向。

公开(公告)号：CN113219399A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202010779585.7

申请日：2020-08-05

Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)

Inventor： 闫锋刚 ,  王军 ,  刘帅 ,  孟祥天 ,  李享 ,  苑清扬

IPC: G01S3/14 ,  G06F17/16

Abstract: 本发明涉及信号处理技术领域，具体地说是一种能够显著降低计算复杂度、提高精度的基于全实值计算的远场窄带无线电信号波达方向估计方法，其特征在于，获取辐射源信号后，计算信号协方差矩阵，构造实导向矢量后，构造实值多项式，计算多项式系数及根，解模糊并获得信号波达方向，本发明与现有技术相比有益效果为：实现了特征值分解和多项式求根的全实值计算，避免了进行复值多项式求根所需的大量计算，为波达方向的工程化实现提供了技术支持。

公开(公告)号：CN102393501A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110311567.7

申请日：2011-10-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  陈世杰 ,  叶雪荣 ,  韩笑 ,  李求洋 ,  李岱霖 ,  胡汇达 ,  苏博男 ,  蒙航 ,  薛升俊 ,  马跃 ,  谭榕容 ,  邵雪瑾 ,  李享 ,  周月阁

IPC: G01R31/26

Abstract: 一种MOSFET可靠性测试分析系统及方法，属于测量及分析技术领域。为了解决过去没有采用在模拟恶劣环境下进行加速退化寿命试验来实时连续检测MOSFET可靠性的方法。MOSFET可靠性测试分析系统包括：MOSFET退化实验环境模拟箱、MOSFET静态参数测试仪、下位机、上位机和PC机。静态参数测试仪测量退化实验环境模拟箱中MOSFET的阈值电压、跨导和沟道电阻。方法是首先将MOSFET置于退化实验环境模拟箱中，上位机中设置加速寿命实验所需的温度和湿度，预定测试次数，上位机将采集数据进行计算、储存和分析。用于评估MOSFET的可靠性。

公开(公告)号：CN101984441A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN201010521026.2

申请日：2010-10-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 翟国富 ,  周月阁 ,  邵雪瑾 ,  谭榕容 ,  叶雪荣 ,  李享 ,  胡方

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供一种基于EDA技术的电子系统多目标可靠性容差设计方法。步骤包括：建立电子系统的Pspice仿真模型；根据电子系统所处的环境条件建立关键元器件可靠性退化模型；根据系统的可靠性指标或根据元器件实际所受应力情况来确定其约束条件；对目标函数进行灵敏度分析，找出影响目标函数的灵敏元器件；通过多元线性回归分析建立目标函数与参数容差之间的回归方程，找到所有满足特性指标的容差组合；建立基于质量损失的多目标容差优化函数。本发明通过对灵敏元件进行容差控制，减小因参数和噪声偏差导致的元器件应力的波动，在不改变系统参数及结构的情况下提高系统内部每个元器件的寿命，进而提高电子系统整体的可靠性，延长使用寿命。