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公开(公告)号:CN117835682B
公开(公告)日:2025-05-16
申请号:CN202410124541.9
申请日:2024-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 一种通过内层套环连接的内嵌连接式磁场屏蔽筒,它涉及元件的磁场屏蔽领域。本发明为了解决现有的长屏蔽筒制造过程中存在材料均匀性难以保持、形状变化难以控制、以及连接不牢固和不紧密,从而导致漏磁的问题。本发明包括基层屏蔽筒,所述基层屏蔽筒包括N个屏蔽筒筒体(1)和N‑1个内层套环(2),其中,屏蔽筒筒体(1)包括两个端部筒体(1‑1)和多个中部筒体(1‑2),且端部筒体(1‑1)和中部筒体(1‑2)的壁厚和孔径相同;相邻两个中部筒体(1‑2)的连接处的内侧壁上安装有内层套环(2),并组成中部筒体单元;中部筒体单元的两端与端部筒体(1‑1)的连接处的内侧壁上安装有内层套环(2)。本发明用于磁场屏蔽。
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公开(公告)号:CN117835683B
公开(公告)日:2024-11-01
申请号:CN202410124544.2
申请日:2024-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 一种适用于长距离磁场屏蔽的法兰连接式屏蔽筒,它涉及元件的磁场屏蔽领域。本发明为了解决现有技术在采用焊接制造时存在连接不牢固和不紧密的问题。本发明包括基层屏蔽筒,基层屏蔽筒包括中部筒体单元和端部筒体,端部筒体的一侧端部加工有端部法兰;中部筒体单元包括多个中部屏蔽筒筒体,相邻两个中部屏蔽筒筒体之间通过中部法兰连接;端部筒体分别安装在中部筒体单元的两侧,且端部筒体的端部法兰与中部屏蔽筒筒体一侧的中部法兰连接。端部法兰在圆周方向上加工有端部凹槽,中部法兰的一侧端部加工有中部凹槽,中部法兰的另一侧端部加工有中部凸起;且端部凹槽与中部凸起之间凹凸配合,中部凹槽和中部凸起之间凹凸配合。本发明用于磁场屏蔽。
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公开(公告)号:CN116605424B
公开(公告)日:2023-11-28
申请号:CN202310427553.4
申请日:2023-04-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B64G4/00
Abstract: 本发明提供一种模块化混合励磁的空间碎片磁消旋方法。步骤1:根据探测的空间碎片选择合适的初级励磁的个数及初级励磁的形状;步骤2:执行空间碎片消旋任务的航天器通过运动机构将初级励磁停靠在空间碎片附近;步骤3:将至少2个初级励磁相对作用于空间碎片,同时抑制空间碎片的5个自由度方向的运动,达到空间碎片磁消旋的目的。本发明通过磁场与空间碎片的相对运动产生涡流,从而产生涡流阻尼力或转矩,用于解决传统技术方案中的3轴电磁线圈的太空碎片的消旋的问题。
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公开(公告)号:CN116605424A
公开(公告)日:2023-08-18
申请号:CN202310427553.4
申请日:2023-04-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B64G4/00
Abstract: 本发明提供一种模块化混合励磁的空间碎片磁消旋方法。步骤1:根据探测的空间碎片选择合适的初级励磁的个数及初级励磁的形状;步骤2:执行空间碎片消旋任务的航天器通过运动机构将初级励磁停靠在空间碎片附近;步骤3:将至少2个初级励磁相对作用于空间碎片,同时抑制空间碎片的5个自由度方向的运动,达到空间碎片磁消旋的目的。本发明通过磁场与空间碎片的相对运动产生涡流,从而产生涡流阻尼力或转矩,用于解决传统技术方案中的3轴电磁线圈的太空碎片的消旋的问题。
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公开(公告)号:CN110993252B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201911359320.5
申请日:2019-12-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种分布式退磁线圈系统、屏蔽装置及退磁方法,该系统包括多匝退磁线圈以及多个连接导线;屏蔽装置中屏蔽体的每个屏蔽面上均匀间隔缠绕多匝所述退磁线圈,每匝所述退磁线圈一半位于所缠绕的屏蔽体内侧,另一半位于所缠绕的屏蔽体外侧,用于提供相应的退磁磁场,以构成闭合的磁通回路;各连接导线均回折设置于屏蔽面外侧,每个连接导线一半与相对应的各退磁线圈连接,另一半原路反向折回,接入供电模块,用于使其连接的各退磁线圈通入相应的退磁电流。本发明采用了分布式设置的退磁线圈,相较于现有技术能够大幅度提高退磁效果,将屏蔽装置中的静态磁场降低到极低程度,有效解决微弱磁场信号检测时对无磁环境的迫切需求。
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公开(公告)号:CN110212735A
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201910518637.2
申请日:2019-06-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种基于转速自适应调节的宽速域旋转涡流制动器,属于电机领域。本发明永磁铁和压力弹簧连接在一起并安装在初级转接板上的长方形槽内,初级背铁与初级转接板连接在一起且二者同轴;1号导体环、2号导体环、3号导体环和4号导体环采用不同材料的导体,且从内到外电导率逐渐降低,1号导体环、2号导体环、3号导体环和4号导体环紧密贴合在一起且两两同轴;次级部分与初级部分连接且次级部分与初级部分同轴。本发明中提出的宽速域旋转涡流制动器,可以随着转速变化自动调整永磁体的位置,使其与次级导体板中的不同材料导体环相对应,从而在宽速度范围内,均获得优良的制动性能。
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公开(公告)号:CN106061219B
公开(公告)日:2019-08-09
申请号:CN201610444314.X
申请日:2016-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明提供了一种分层搭接的磁屏蔽室开关机构。主要解决了现有的屏蔽室屏蔽门或屏蔽窗等屏蔽效果差的问题。包括固定屏蔽结构、活动屏蔽结构,所述的固定屏蔽结构包括固定屏蔽内层(1)、固定屏蔽外层(4),所述的活动屏蔽结构包括活动屏蔽内层(2)、活动屏蔽外层(3),其特征在于:所述的活动屏蔽结构搭接在固定屏蔽结构上,所述的固定屏蔽内层(1)、固定屏蔽外层(4)、活动屏蔽内层(2)、活动屏蔽外层(3)分别包括至少一层导磁屏蔽层,所述的活动屏蔽内层(2)、活动屏蔽外层(3)之间设置有柔性支撑结构。具有屏蔽效果好,结构简单的特点。
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公开(公告)号:CN116577715B
公开(公告)日:2025-05-09
申请号:CN202310734298.8
申请日:2023-06-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种用于三轴磁通门传感器零偏标定的装夹工装,包括底座、z轴距离补偿块、第一限位杆,第二限位杆;所述底座上垂直设有两个相互平行的y轴限位板,所述y轴限位板一端垂直设有z轴限位板;两个所述y轴限位板上对应位置开设有中部限位孔和端部限位孔;本发明解决磁通门传感器零偏误差标定过程中,正向测量和反向180°翻转测量过程中,传感器三轴坐标原点位置不重合引入的零偏标定误差问题。便于操作,以最小程度减小正反两次测量操作过程中,环境磁场的变化对于零偏标定误差的影响。
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公开(公告)号:CN119414309A
公开(公告)日:2025-02-11
申请号:CN202411610013.0
申请日:2024-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R33/032 , G01K7/36
Abstract: 本发明属于量子精密传感技术领域,具体涉及一种基于零场分裂系数的NV色心磁探测或测温的方法,本发明根据金刚石正四面体晶格结构特征推算假想磁场矢量,由该矢量的幅值实现零场分裂系数的计算。充分考虑横向磁场引入的频率偏移,在上述步骤基础上提升准确度。相较现有方法,计算的零场分裂系数更加准确,且提供一种误差分析方法,通过上述方法可以更精准的D值实现磁场的测量或者温度的测量。
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公开(公告)号:CN118311357B
公开(公告)日:2024-11-22
申请号:CN202410468484.6
申请日:2024-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种用于磁屏蔽室构建的坡莫合金材料性能评测方法,它涉及合金屏蔽性能测评。本发明为了解决现有坡莫合金在磁屏蔽室中的屏蔽效果缺乏深入研究,导致无法满足不同应用场景对磁场屏要求的问题。步骤一:选取坡莫合金样品,并对其进行质量检查,以确保符合实验需求;步骤二:搭建实验装置;坡莫合金样品竖直放置,磁场产生线圈和磁场测量传感器分别放置在坡莫合金样品的左右两侧;步骤三:对坡莫合金样品进行屏蔽性能测评;步骤四:根据评估结果,选择最合适的坡莫合金材料,并对磁屏蔽室的结构和参数进行优化,至此,完成了对坡莫合金性能的评测。本发明用于快速、准确地评估坡莫合金在磁屏蔽室中的屏蔽效果。
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